JPH01175768A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01175768A JPH01175768A JP33456387A JP33456387A JPH01175768A JP H01175768 A JPH01175768 A JP H01175768A JP 33456387 A JP33456387 A JP 33456387A JP 33456387 A JP33456387 A JP 33456387A JP H01175768 A JPH01175768 A JP H01175768A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- emitter
- conductivity type
- base
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、詳しくは、広い安全動作領域を必
要とする大電流増幅用トランジスタに関するものである
。
要とする大電流増幅用トランジスタに関するものである
。
従来の技術
近年、電力用のトランジスタは広い安全動作領域化と大
電流化とが望まれている。
電流化とが望まれている。
以下、従来のトランジスタについて説明する。
第２図は、従来のトランジスタの断面図である。
従来のトランジスタにおいて、コレクタ領域１にベース
領域２を形成し、そのベース領域２内にエミッタ領域３
を形成し、その後エミッタ電極６、ベース電極５、コレ
クタ電極７を形成する。
領域２を形成し、そのベース領域２内にエミッタ領域３
を形成し、その後エミッタ電極６、ベース電極５、コレ
クタ電極７を形成する。
なお、絶縁膜９は表面保護用である。
この際、エミッタ領域３の端部とエミッタ電極６を短絡
する開孔部までの距離Ａをエミッタ抵抗として使用して
いる。このエミッタ抵抗は、距離Ａとエミッタ領域３の
表面濃度を制御することにより、抵抗値を決定すること
ができる。このため、並列にエミッタ領域が形成されて
いる場合、エミッタ抵抗の効果によりトランジスタ全体
が均一に動作し、安全動作領域が拡大される。
する開孔部までの距離Ａをエミッタ抵抗として使用して
いる。このエミッタ抵抗は、距離Ａとエミッタ領域３の
表面濃度を制御することにより、抵抗値を決定すること
ができる。このため、並列にエミッタ領域が形成されて
いる場合、エミッタ抵抗の効果によりトランジスタ全体
が均一に動作し、安全動作領域が拡大される。
第３図も従来のトランジスタの断面図である。
このトランジスタにおいて、コレクタ領域１にベース領
域２を形成し、そのベース領域２内にエミッタ領域３を
形成し、さらにエミッタ領域の開孔窓部とエミッタ電極
６との間に、ポリシリコンによる外付は抵抗８を形成し
ている。絶縁膜９上に形成したポリシリコン８は、同ポ
リシリコンｓ中の不純物濃度を制御することにより、ま
たポリシリコンの幅と長さと厚みを制御することにより
、抵抗値を決定することができる。このエミッタ抵抗は
、並列にエミッタ領域３が形成されている場合、トラン
ジスタ全体が均一に動作し、安全動作領域が拡大される
。
域２を形成し、そのベース領域２内にエミッタ領域３を
形成し、さらにエミッタ領域の開孔窓部とエミッタ電極
６との間に、ポリシリコンによる外付は抵抗８を形成し
ている。絶縁膜９上に形成したポリシリコン８は、同ポ
リシリコンｓ中の不純物濃度を制御することにより、ま
たポリシリコンの幅と長さと厚みを制御することにより
、抵抗値を決定することができる。このエミッタ抵抗は
、並列にエミッタ領域３が形成されている場合、トラン
ジスタ全体が均一に動作し、安全動作領域が拡大される
。
発明が解決しようとする問題点
第２図で示すように、抵抗値を大きくするには、距＋ｌ
Ａを長くする必要があり、エミッタ領域が大きくなって
しまう。このためトランジスタとして有効に働く領域が
少なくなり、大電流領域での電流増幅率が低下し、また
微細化も困難であった。
Ａを長くする必要があり、エミッタ領域が大きくなって
しまう。このためトランジスタとして有効に働く領域が
少なくなり、大電流領域での電流増幅率が低下し、また
微細化も困難であった。
さらに、第３図に示すように、ポリシリコンによる外付
は抵抗では、微細化は可能であるが、ポリシリコン蒸着
やフォトマスク形成工程などの複雑な工程が増え、歩留
りの低下およびコスト増加の要因になっていた。
は抵抗では、微細化は可能であるが、ポリシリコン蒸着
やフォトマスク形成工程などの複雑な工程が増え、歩留
りの低下およびコスト増加の要因になっていた。
問題点を解決するための手段
本発明のトランジスタは、半導体基板上に形成された一
導電型のコレクタ領域とそのコレクタ領域内に形成され
た反対導電型のへ−ス領域とそのへ−ス領域内に形成し
た一導電型のエミッタ領域と、同エミッタ領域内にベー
ス領域と同一導電型の浮遊分離領域とをそなえたもので
ある。
導電型のコレクタ領域とそのコレクタ領域内に形成され
た反対導電型のへ−ス領域とそのへ−ス領域内に形成し
た一導電型のエミッタ領域と、同エミッタ領域内にベー
ス領域と同一導電型の浮遊分離領域とをそなえたもので
ある。
作用
この構造により、エミッタ電流はベース領域と同一導電
型の浮遊分離した領域の下部のエミッタ領域を通って流
れる。この浮遊分離した領域の下部のエミッタ領域はエ
ミッタ領域の表面と比較して濃度が低いために、抵抗値
が高（なり、幅広いエミッタ領域の必要はなく、狭いエ
ミッタ領域幅で容易に抵抗値を大きくすることができる
。このため、従来のトランジスタに比べ、特性のよいト
ランジスタが可能となる。
型の浮遊分離した領域の下部のエミッタ領域を通って流
れる。この浮遊分離した領域の下部のエミッタ領域はエ
ミッタ領域の表面と比較して濃度が低いために、抵抗値
が高（なり、幅広いエミッタ領域の必要はなく、狭いエ
ミッタ領域幅で容易に抵抗値を大きくすることができる
。このため、従来のトランジスタに比べ、特性のよいト
ランジスタが可能となる。
実施例
本発明の一実施例を第１図にもとづいて説明する。第１
図は本発明の実施例のトランジスタの断面図である。半
導体基板上に形成された一導電型のコレクタ領域１とそ
のコレクタ領域１内に形成された反対導電型のベース領
域２と、そのベース領域内に形成した一導電型のエミッ
タ領域３とを有し、このエミッタ領域３内にベース領域
２と同一導電型の浮遊分離した領域４を形成して、その
領域４の下部のエミッタ領域３をエミッタ抵抗として用
いる。なお、エミッタ電極６、ベース電極５、コレクタ
電極７は通常の形態である。
図は本発明の実施例のトランジスタの断面図である。半
導体基板上に形成された一導電型のコレクタ領域１とそ
のコレクタ領域１内に形成された反対導電型のベース領
域２と、そのベース領域内に形成した一導電型のエミッ
タ領域３とを有し、このエミッタ領域３内にベース領域
２と同一導電型の浮遊分離した領域４を形成して、その
領域４の下部のエミッタ領域３をエミッタ抵抗として用
いる。なお、エミッタ電極６、ベース電極５、コレクタ
電極７は通常の形態である。
このエミッタ抵抗の抵抗値は、浮遊分離した領域４の幅
と長さおよび、その領域４の下部のエミッタ領域の不純
物濃度により容易に決定することができる。
と長さおよび、その領域４の下部のエミッタ領域の不純
物濃度により容易に決定することができる。
この抵抗により、並列に形成されたエミッタ領域を持つ
トランジスタを均一に動作させることができ、このため
広い安全動作領域を確保することができる。
トランジスタを均一に動作させることができ、このため
広い安全動作領域を確保することができる。
発明の効果
以上のように、本発明のトランジスタによると、エミッ
タ領域内に、ベース領域と同一導電型の浮遊した領域を
形成して、その領域下のエミッタ領域をエミッタ抵抗と
して用いることにより、幅広いエミッタ領域を必要とせ
ずに、エミッタ抵抗を形成できる。また、コスト増加と
なる複雑な工程を必要とせずに、拡散工程だけで、エミ
ッタ抵抗を形成することができる。
タ領域内に、ベース領域と同一導電型の浮遊した領域を
形成して、その領域下のエミッタ領域をエミッタ抵抗と
して用いることにより、幅広いエミッタ領域を必要とせ
ずに、エミッタ抵抗を形成できる。また、コスト増加と
なる複雑な工程を必要とせずに、拡散工程だけで、エミ
ッタ抵抗を形成することができる。
この抵抗により、広い安全動作領域が確保でき、その効
果は絶大である。
果は絶大である。
第１図は、本発明の実施例トランジスタの断面図を念力
＝ 第２図および第３図は、各従来例トランジスタの断面図
である。 １・・・・・・コレクタ領域、２・・・・・・ベース領
域、３・・・・・・エミッタ領域、４・・・・・・ベー
ス領域と同一導電型の浮遊分離領域、５・・・・・・ベ
ース電極、６・・・・・・エミッタ電極、７・・・・・
・コレクタ電極、８・・・・・・ポリシリコン膜、９・
・・・・・絶縁膜。
＝ 第２図および第３図は、各従来例トランジスタの断面図
である。 １・・・・・・コレクタ領域、２・・・・・・ベース領
域、３・・・・・・エミッタ領域、４・・・・・・ベー
ス領域と同一導電型の浮遊分離領域、５・・・・・・ベ
ース電極、６・・・・・・エミッタ電極、７・・・・・
・コレクタ電極、８・・・・・・ポリシリコン膜、９・
・・・・・絶縁膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された一導電型のコレクタ領域と
そのコレクタ領域内に形成された反対導電型のベース領
域とそのベース領域内に形成した一導電型のエミッタ領
域と、上記エミッタ領域内に反対導電型の浮遊分離領域
とをそなえたことを特徴とした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33456387A JPH01175768A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33456387A JPH01175768A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01175768A true JPH01175768A (ja) | 1989-07-12 |
Family
ID=18278801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33456387A Pending JPH01175768A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01175768A (ja) |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP33456387A patent/JPH01175768A/ja active Pending
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