JPS6297372A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6297372A JPS6297372A JP23882685A JP23882685A JPS6297372A JP S6297372 A JPS6297372 A JP S6297372A JP 23882685 A JP23882685 A JP 23882685A JP 23882685 A JP23882685 A JP 23882685A JP S6297372 A JPS6297372 A JP S6297372A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor device
- contact
- groove
- wiring layer
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体装置に関し、特に微細化したコンタク
トで低抵抗化を図ることができる半導体装置に関するも
のである。
トで低抵抗化を図ることができる半導体装置に関するも
のである。
［従来の技術］
第２図は、従来の半導体装置の構造を示す断面図である
。図において、シリコン（Ｓｒ ＞基板１表面に選択的
に電極となる拡散層２０が形成されており、シリコン基
板１表面および拡散層２０表面に絶縁１３が形成されて
いる。拡散層２０上の絶縁！１ｌＩ３にはコンタクト孔
５が設けられており、コンタクト孔５表面および絶縁膜
３表面に電極となるアルミニウム〈Δ琵）配線層４が形
成されている。６はアルミニウム配線層４と拡散層２０
とのコンタクト領域を示しており、拡散ｌＷ２Ｏからの
信号はこのコンタクトサイズ６を通してアルミニウム配
線層４に伝達される。
。図において、シリコン（Ｓｒ ＞基板１表面に選択的
に電極となる拡散層２０が形成されており、シリコン基
板１表面および拡散層２０表面に絶縁１３が形成されて
いる。拡散層２０上の絶縁！１ｌＩ３にはコンタクト孔
５が設けられており、コンタクト孔５表面および絶縁膜
３表面に電極となるアルミニウム〈Δ琵）配線層４が形
成されている。６はアルミニウム配線層４と拡散層２０
とのコンタクト領域を示しており、拡散ｌＷ２Ｏからの
信号はこのコンタクトサイズ６を通してアルミニウム配
線層４に伝達される。
［発明が解決しようとする問題点１
ところで、以上のような構造の半導体装置では、微細化
の進展とともにコンタクトサイズの縮小が生じ、コンタ
クト面積が小さくなってコンタクト抵抗のＪｉｊ大が起
きる。このため、素子の特性の劣化や動作不能が生じる
などの問題点があった。
の進展とともにコンタクトサイズの縮小が生じ、コンタ
クト面積が小さくなってコンタクト抵抗のＪｉｊ大が起
きる。このため、素子の特性の劣化や動作不能が生じる
などの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、微細化したコンタクトで極めて小さいコンタ
クト抵抗を持つ半導体装置を得ることを目的とする。
たもので、微細化したコンタクトで極めて小さいコンタ
クト抵抗を持つ半導体装置を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る半導体装置は、基板と、第１の電極と、
該第１の電極に接続される第２の電極とを備え、第１の
電極は凹部を有し、第２の電極は第１の？！！糧の凹部
の全表面にわたって接触する凸部を有するようにしたも
のである。
該第１の電極に接続される第２の電極とを備え、第１の
電極は凹部を有し、第２の電極は第１の？！！糧の凹部
の全表面にわたって接触する凸部を有するようにしたも
のである。
し作用］
第２の電極の凸部は第１の電極の凹部の全表面にわたっ
て接触するので、微細化したコンタクトにおいて、微小
平面面積でより大きなコンタクト面積が得られ、第１の
′Ｒ極と第２のＷ［とのコンタクト抵抗が減少する。
て接触するので、微細化したコンタクトにおいて、微小
平面面積でより大きなコンタクト面積が得られ、第１の
′Ｒ極と第２のＷ［とのコンタクト抵抗が減少する。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は、この発明の実施例である半導体装置の構造を
示″ｇ断面図である。図において、シリコン（Ｓｉ ＞
基板１表面に絶縁膜３が形成されている。絶縁膜３には
選択的にコンタクトホール５が設けられており、さらに
このコンタクトホール５下部のシリコン基板１に満７が
掘られている。溝７表面にはこの溝に泊って電極となる
拡ｒｌ１層２が形成されており、溝７表面、コンタクト
ホール５表面Ｊ３よびＩ８縁躾３表面に電極となるアル
ミニウム配線層４が形成されている。６はアルミニウム
配線ｒｇＡ４と拡散層２とのコンタクト領域を示してお
り、拡［）２１ｉｉ２からの信号は、このコンタクト領
域６を通してアルミニウム配線［４に伝達される。
示″ｇ断面図である。図において、シリコン（Ｓｉ ＞
基板１表面に絶縁膜３が形成されている。絶縁膜３には
選択的にコンタクトホール５が設けられており、さらに
このコンタクトホール５下部のシリコン基板１に満７が
掘られている。溝７表面にはこの溝に泊って電極となる
拡ｒｌ１層２が形成されており、溝７表面、コンタクト
ホール５表面Ｊ３よびＩ８縁躾３表面に電極となるアル
ミニウム配線層４が形成されている。６はアルミニウム
配線ｒｇＡ４と拡散層２とのコンタクト領域を示してお
り、拡［）２１ｉｉ２からの信号は、このコンタクト領
域６を通してアルミニウム配線［４に伝達される。
このような溝掘り型Ｉ造の半導体装置においては、アル
ミニウム配線層４は拡散層２と溝７の全表面にわたって
接触するため、半導体装置をｍ５ｔｔ＋化した場合にＪ
３いて、微小平面面積でコンタクト面積を増大させるこ
とができ、アルミニウム配線層４と拡散層２とのコンタ
クト抵抗が減少する。
ミニウム配線層４は拡散層２と溝７の全表面にわたって
接触するため、半導体装置をｍ５ｔｔ＋化した場合にＪ
３いて、微小平面面積でコンタクト面積を増大させるこ
とができ、アルミニウム配線層４と拡散層２とのコンタ
クト抵抗が減少する。
なお、上記実施例では、配［１がアルミニウム配線層で
ある場合について示したが、この発明は配線層がモリブ
デン＜ＭＯ）など他の金属の配線層である場合について
も適用でき、この場合にも上記実施例と同様の効果を奏
する。
ある場合について示したが、この発明は配線層がモリブ
デン＜ＭＯ）など他の金属の配線層である場合について
も適用でき、この場合にも上記実施例と同様の効果を奏
する。
また、上記実施例では、シリコン基板表面に形成さる拡
散層と、この拡Ｗ１！Ｇ上に絶縁膜を介して形成される
アルミニウム配置ｊｌ！！ｔどのコンタクトの例につい
て示したが、この溝掘り型構造は多層配線の半導体装置
においても配線層間のコンタクトに適用でき、この場合
にも上記実施例と同様の効果を奏する。
散層と、この拡Ｗ１！Ｇ上に絶縁膜を介して形成される
アルミニウム配置ｊｌ！！ｔどのコンタクトの例につい
て示したが、この溝掘り型構造は多層配線の半導体装置
においても配線層間のコンタクトに適用でき、この場合
にも上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、シリコン基板の半導体装置の例
について示したが、この発明はシリコン基板の半導体装
Ｕに限定されるものではない。
について示したが、この発明はシリコン基板の半導体装
Ｕに限定されるものではない。
［発明の効果１
以上のようにこの発明によれば、半導体装置の第１の電
極は凹部を有し、第２の電極は第１の電極の凹部の全表
面にわたって接触する凸部を有するようにしたので、半
導体装ｄを微細化した場合に、ｙｉｔｍ化したコンタク
トにおいて微小平面面積でより大きなコンタクト面積が
得られ、極めて小さなコンタクト抵抗を持つ半導体装置
を得ることができる。
極は凹部を有し、第２の電極は第１の電極の凹部の全表
面にわたって接触する凸部を有するようにしたので、半
導体装ｄを微細化した場合に、ｙｉｔｍ化したコンタク
トにおいて微小平面面積でより大きなコンタクト面積が
得られ、極めて小さなコンタクト抵抗を持つ半導体装置
を得ることができる。
第１図は、この発明の実施例である半導体装置の構造を
示す断面図である。 第２図は、従来の半導体装置の構造を示す断面図である
。 図において、１はシリコン基板、２．２０は拡散層、３
は絶縁膜、４はアルミニウム配ｍＦｆＩ、５はコンタク
ト孔、６はコンタクト領域、７は溝である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
示す断面図である。 第２図は、従来の半導体装置の構造を示す断面図である
。 図において、１はシリコン基板、２．２０は拡散層、３
は絶縁膜、４はアルミニウム配ｍＦｆＩ、５はコンタク
ト孔、６はコンタクト領域、７は溝である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）基板と、第１の電極と、該第１の電極に接続され
る第２の電極とを備え、 前記第１の電極は凹部を有し、 前記第２の電極は前記凹部の全表面にわたって接触する
凸部を有することを特徴とする半導体装置。 - （２）前記第１の電極は前記基板表面に形成される拡散
層であり、 前記第２の電極は前記第１の電極上に絶縁膜を介して形
成される配線層である特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置。 - （３）前記配線層はアルミニウム配線層である特許請求
の範囲第２項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23882685A JPS6297372A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23882685A JPS6297372A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297372A true JPS6297372A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17035842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23882685A Pending JPS6297372A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297372A (ja) |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP23882685A patent/JPS6297372A/ja active Pending
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