KR970067443A - 진공 마이크로디바이스 - Google Patents

진공 마이크로디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR970067443A
KR970067443A KR1019970010913A KR19970010913A KR970067443A KR 970067443 A KR970067443 A KR 970067443A KR 1019970010913 A KR1019970010913 A KR 1019970010913A KR 19970010913 A KR19970010913 A KR 19970010913A KR 970067443 A KR970067443 A KR 970067443A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
protrusion
structural substrate
vacuum microdevice
support structure
Prior art date
Application number
KR1019970010913A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100438629B1 (ko
Inventor
게니찌로 스즈끼
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR970067443A publication Critical patent/KR970067443A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100438629B1 publication Critical patent/KR100438629B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B1/00—Devices without movable or flexible elements, e.g. microcapillary devices
    • B81B1/006—Microdevices formed as a single homogeneous piece, i.e. wherein the mechanical function is obtained by the use of the device, e.g. cutters
    • B81B1/008—Microtips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

전계 방출 냉음극을 가지 진공 마이크로디바이스는 선단부가 뾰족한 돌출부를 그 표면에 가진 제1전극과; 돌출부의 뾰족한 선단부를 제외한 제1전극의 영역에 형성되는 절연막과; 제2전극의 표면을 평탄화하도록, 돌출부의 뾰족한 선단부를 제외한 절연막 상의 영역에 형성되는 제2전극; 및 제1전극의 저면에 접착되며 제1전극의 저면과의 접착면 내의 오목부를 가진 구조 기판을 포함하되, 오목부는 제1전극의 저면 상에 형성된 돌출부의 뾰족한 선단부를 반영하는 오목 부분을 커버하기에 충분히 큰 크기를 가진다. 구조 기판에 형성된 오목부의 내부는 디바이스 외부의 분위기와 연결되어 있다. 지지 구조체는 제1전극 상에 형성된 각각의 돌출부를 둘러싸도록 제2전극의 표면 상에 형성된다. 이러한 구조로, 보이드의 존재에 의한 특성의 변화를 억제시킬 수 있으며 장기적 신뢰성이 우수한 진공 마이크로디바이스를 제공할 수 있다.

Description

진공 마이크로디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계 방출 냉음극을 가진 진공 마이크로디바이스의 구조를 도시한 평면도, 제4도는 제3도의 A-A선에 따른 단면도, 제5A 내지 5F도는 제1실시예에 따른 진공 마이크로디바이스 제조 방법의 공정을 순차적으로 도시한 단면도.

Claims (10)

  1. 표면 상에 형성되며 뾰족한 선단부를 가진 돌출부(projection portion)를 갖는 제1전극과; 상기 제1전극의 영역으로서, 상기 돌출부의 상기 선단부를 제외한 영역에 형성되는 절연막과; 상기 절연막 상의 영역으로서 상기 돌출부의 뾰족한 선단부를 제외한 영역에 상기 제2전극의 표면을 평탄화하도록 형성되는 제2전극; 및 상기 제1전극의 저면(lower surface)에 접착되고 상기 제1전극의 저면과의 접착면 내의 오목부(recess portion)를 가진 구조 기판을 포함하되, 상기 오목부는 상기 제1전극의 저면 상에 형성된 돌출부의 뾰족한 선단부를 반영하는 오목 부분을 커버하기에 충분히 큰 크기를 갖는 진공 마이크로디바이스(vacuum microdevice).
  2. 제1항에 있어서, 상기 구조 기판 내에 형성된 오목부의 내부가 상기 디바이스의 외부 분위기와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 마이크로디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1전극 상에 형성된 돌출부를 둘러싸도록 상기 제2전극의 표면 상에 형성되는 지지 구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 마이크로디바이스.
  4. 제3항에 있어서, 상기 지지 구조체는 반도체로 구성되어 있으며, (111)측면을 갖는 것을 특징으로 하는 진공 마이크로디바이스.
  5. 제3항에 있어서, 상기 지지 구조체는 상기 제2전극을 형성하는 불순물 확산층의 일부로 구성되는 것을 특징으로 하는 진공 마이크로디바이스.
  6. 제1항에 있어서, 상기 지지 구조체가 글라스 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 마이크로디바이스.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 구조 기판 상에 형성된 금속 전극에 접속되며, 상기 제2전극은 상기 절연막에 형성된 호울을 통하여 상기 구조 기판 상에 형성되는 다른 금속 전극에 접속되고, 상기 금속 전극을 통하여 상기 제1 및 제2전극에 전기 신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 진공 마이크로디바이스.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극의 일부는 상기 구조 기판이 접착되어 있는 표면과 다른 표면측에 노출되도록 연장되며, 상기 노출된 영역을 통하여 상기 제1 및 제2전극에 전기 신호가 공급되는 것을 특징으로하는 진공 마이크로디바이스.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제2전극의 일부는 상기 구조 기판이 접착되어 있는 표면과 다른 표면측에 노출되도록 연장되며, 상기 노출된 영역을 통하여 상기 제2전극에 전기 신호가 공급되고, 상기 제1전극 상에 형성된 상기 지지 구조체를 통하여 상기 제1전극에 전기 신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 진공 마이크로디바이스.
  10. 표면 상에 형성되며 뾰족한 선단부를 가진 돌출부를 갖는 제1전극과; 상기 제1전극의 영역으로서, 상기 돌출부의 상기 선단부를 제외한 영역에 형성되는 절연막; 및 상기 절연막 상의 영역으로서 상기 돌출부의 뾰족한 선단부를 제외한 영역에 상기 제2전극의 표면을 평탄화하도록 형성되는 제2전극을 포함하되, 상기 제1전극상에 형성되는 전극과, 상기 제1전극으로부터 분리되고 상기 제2전극에 접속되는 전극에 전기 신호가 공급되는 진공 마이크로디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970010913A 1996-03-27 1997-03-27 진공마이크로디바이스 KR100438629B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-071905 1996-03-27
JP7190596A JP3079994B2 (ja) 1996-03-27 1996-03-27 真空マイクロデバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970067443A true KR970067443A (ko) 1997-10-13
KR100438629B1 KR100438629B1 (ko) 2004-09-08

Family

ID=13474031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970010913A KR100438629B1 (ko) 1996-03-27 1997-03-27 진공마이크로디바이스

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5834790A (ko)
JP (1) JP3079994B2 (ko)
KR (1) KR100438629B1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10149778A (ja) * 1996-09-17 1998-06-02 Toshiba Corp 微小冷陰極管とその駆動方法
KR100568571B1 (ko) * 1997-05-09 2006-04-07 시티즌 도케이 가부시키가이샤 반도체 패키지의 제조 방법 및 집합 회로 기판
TW483025B (en) * 2000-10-24 2002-04-11 Nat Science Council Formation method of metal tip electrode field emission structure
US20050016575A1 (en) * 2003-06-13 2005-01-27 Nalin Kumar Field emission based thermoelectric device
US7646149B2 (en) * 2003-07-22 2010-01-12 Yeda Research and Development Company, Ltd, Electronic switching device
US7956742B2 (en) 2003-10-30 2011-06-07 Motedata Inc. Method and system for storing, retrieving, and managing data for tags
US7388488B2 (en) * 2003-10-30 2008-06-17 Peter Lupoli Method and system for storing, retrieving, and managing data for tags
US8946739B2 (en) * 2005-09-30 2015-02-03 Lateral Research Limited Liability Company Process to fabricate integrated MWIR emitter
JP2014029921A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Sony Corp 半導体基板の処理方法及び半導体基板処理品
KR101904907B1 (ko) 2018-03-28 2018-11-30 장은재 배관 단열재용 덕트

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4307507A (en) * 1980-09-10 1981-12-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of manufacturing a field-emission cathode structure
US4916002A (en) * 1989-01-13 1990-04-10 The Board Of Trustees Of The Leland Jr. University Microcasting of microminiature tips
US5580827A (en) * 1989-10-10 1996-12-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Casting sharpened microminiature tips
US5100355A (en) * 1991-06-28 1992-03-31 Bell Communications Research, Inc. Microminiature tapered all-metal structures
JP3021995B2 (ja) * 1992-01-22 2000-03-15 三菱電機株式会社 表示素子
JPH05205614A (ja) * 1992-01-23 1993-08-13 Mitsubishi Electric Corp 電界放出陰極の作製方法
US5499938A (en) * 1992-07-14 1996-03-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Field emission cathode structure, method for production thereof, and flat panel display device using same
JP3142388B2 (ja) * 1992-09-16 2001-03-07 富士通株式会社 陰極装置
JPH06111713A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Sony Corp 電子放出素子
JPH06310029A (ja) * 1993-02-26 1994-11-04 Nippon Steel Corp 電子銃および量子細線の製造方法
US5394006A (en) * 1994-01-04 1995-02-28 Industrial Technology Research Institute Narrow gate opening manufacturing of gated fluid emitters
JP3425209B2 (ja) * 1994-03-15 2003-07-14 株式会社東芝 電界放出型冷陰極アレイ
JP3460096B2 (ja) * 1994-05-30 2003-10-27 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3156903B2 (ja) * 1994-09-29 2001-04-16 シャープ株式会社 電界放出型電子源

Also Published As

Publication number Publication date
JP3079994B2 (ja) 2000-08-21
US5834790A (en) 1998-11-10
JPH09259738A (ja) 1997-10-03
KR100438629B1 (ko) 2004-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2369636A3 (fr) Substrat transparent muni d'une electrode
KR970067443A (ko) 진공 마이크로디바이스
EP1193760A3 (en) Semiconductor device with SOI structure and method of manufacturing the same
KR960005972A (ko) 수지 밀폐형 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR930024140A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR890007348A (ko) 형광 표시관
KR840002162A (ko) 반도체 장치(半導體裝置)
KR980006153A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
TW429600B (en) Semiconductor device and production process thereof
US4855808A (en) Hermetic glass chip carrier
JP2002289630A (ja) パワー半導体モジュール
KR970067916A (ko) 접합누설이 적은 저 스트레스 광다이오드
JP2001085750A (ja) 窒化物半導体発光チップ
KR960702182A (ko) 반도체 칩을 지지하기 위한 받침대 리드 프레임(a pedestal lead frame for supporting a semiconductor chip)
KR970071897A (ko) 전계방출소자 및 그의 제조방법
KR980005145A (ko) 전계 방출 디바이스
KR940012583A (ko) 반도체 집적회로 장치 및 그 제조방법
KR960012454A (ko) 몰드에서 수지 압력에 의한 단락 회로를 갖지 않는 반도체 장치
JPH0331083Y2 (ko)
JPH11162635A (ja) 薄膜電界発光素子
JPS5858785A (ja) 半導体レ−ザ−装置
JPS6297372A (ja) 半導体装置
JPS6065578A (ja) シヨツトキ−バリヤダイオ−ド
JPH041737Y2 (ko)
JPH0249056U (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130520

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140616

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee