JPS63192272A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63192272A JPS63192272A JP2316887A JP2316887A JPS63192272A JP S63192272 A JPS63192272 A JP S63192272A JP 2316887 A JP2316887 A JP 2316887A JP 2316887 A JP2316887 A JP 2316887A JP S63192272 A JPS63192272 A JP S63192272A
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- JP
- Japan
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- barrier metal
- metal
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Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はコンタクトを用いる半導体装置に関するもの
である。
である。
第２図は、従来の半導体装置のコンタクト部の断面図で
あり、図において、１はアルミ配線やポリシリコン配線
などの金属配線、２はコンタクト孔５が形成された酸化
膜等の分離層、３は半導体基板、４ａは上記コンタクト
孔５の底部に形成され配線金属の基板への拡散を防止す
るためのバリアメタルである。
あり、図において、１はアルミ配線やポリシリコン配線
などの金属配線、２はコンタクト孔５が形成された酸化
膜等の分離層、３は半導体基板、４ａは上記コンタクト
孔５の底部に形成され配線金属の基板への拡散を防止す
るためのバリアメタルである。
このような装置では半導体基板３からの電気信号がバリ
アメタル４を介して配線金属ｌに伝達される。
アメタル４を介して配線金属ｌに伝達される。
従来の半導体装置のコンタクト部では、バリアメタル４
と配線金属１の接触面が平坦であるため、半導体装置の
微細化によりコンタクト部の面積が小さくなると、バリ
アメタル４と配線金属１との接触面積も小さくなりコン
タクト抵抗が増加する。
と配線金属１の接触面が平坦であるため、半導体装置の
微細化によりコンタクト部の面積が小さくなると、バリ
アメタル４と配線金属１との接触面積も小さくなりコン
タクト抵抗が増加する。
したがって、素子の微細化は進んでもコンタクト部の微
細化は難しいという問題があった。
細化は難しいという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、コンタクト抵抗を増大させることなくコンタ
クト部を微細化できる半導体装置を得ることを目的とす
る。
たもので、コンタクト抵抗を増大させることなくコンタ
クト部を微細化できる半導体装置を得ることを目的とす
る。
この発明に係る半導体装置は、バリアメタルの断面形状
をバリアメタルと配線金属とが広い面積で接触する形状
としたものである。
をバリアメタルと配線金属とが広い面積で接触する形状
としたものである。
この発明においては、バリアメタルの断面形状をバリア
メタルと配線金属とが広い面積で接触する形状としたか
らコンタクト抵抗を増大させることなくコンタクト部を
微細化できる。
メタルと配線金属とが広い面積で接触する形状としたか
らコンタクト抵抗を増大させることなくコンタクト部を
微細化できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、第２図と同一符号は同一のものを示し、４
は断面凸形状のバリアメタルで、これはコンタクト孔５
の底部にあらかじめ厚く形成され、その周辺部をエツチ
ングし′て断面凸状としたものであり、配線金属１と広
い面積で接触するようになっている。
図において、第２図と同一符号は同一のものを示し、４
は断面凸形状のバリアメタルで、これはコンタクト孔５
の底部にあらかじめ厚く形成され、その周辺部をエツチ
ングし′て断面凸状としたものであり、配線金属１と広
い面積で接触するようになっている。
このように構成された半導体装置によれば、バリアメタ
ルの断面形状を凸形状としたのでパターン上の面積は同
じでもバリアメタル４と配線金属１との接触面積を大き
くすることができ、すなわち従来の半導体装置と比較し
てコンタクト抵抗の大きさが同じでもコンタクト部のパ
ターン面積を小さくすることができ、微細化に寄与でき
る。またこれはコンタクト抵抗が一応接触面積に反比例
することからコンタクト部を微細化しても結局コンタク
ト抵抗が増大するのを抑えることができるということで
ある。
ルの断面形状を凸形状としたのでパターン上の面積は同
じでもバリアメタル４と配線金属１との接触面積を大き
くすることができ、すなわち従来の半導体装置と比較し
てコンタクト抵抗の大きさが同じでもコンタクト部のパ
ターン面積を小さくすることができ、微細化に寄与でき
る。またこれはコンタクト抵抗が一応接触面積に反比例
することからコンタクト部を微細化しても結局コンタク
ト抵抗が増大するのを抑えることができるということで
ある。
なお、上記実施例では、バリアメタルの断面形状が凸形
状の場合について示したが、これは凹形状等でもよく、
バリアメタルと配線金属との接触面積が大きくなるよう
な形状であればどのようなものでもよい。
状の場合について示したが、これは凹形状等でもよく、
バリアメタルと配線金属との接触面積が大きくなるよう
な形状であればどのようなものでもよい。
以上のように、この発明にかかる半導体装置によれば、
バリアメタルの断面形状をバリアメタルと配線金属とが
広い面積で接触する形状としたので、コンタクト抵抗を
増大させることなくコンタクト部を微細化できる効果が
ある。
バリアメタルの断面形状をバリアメタルと配線金属とが
広い面積で接触する形状としたので、コンタクト抵抗を
増大させることなくコンタクト部を微細化できる効果が
ある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第２図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図において、１は配線金属、２は分離層、３は半導体基
板、４はバリアメタル、５はコンタクト孔である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第２図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図において、１は配線金属、２は分離層、３は半導体基
板、４はバリアメタル、５はコンタクト孔である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）配線のコンタクト孔の底部に配線金属の拡散防止
のためのバリアメタルを有する半導体装置において、 上記バリアメタルは上記配線金属と広い面積で接触する
断面形状を有することを特徴とする半導体装置。 - （２）上記バリアメタルの断面形状は凸形状または凹形
状であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2316887A JPS63192272A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2316887A JPS63192272A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63192272A true JPS63192272A (ja) | 1988-08-09 |
Family
ID=12103092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2316887A Pending JPS63192272A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63192272A (ja) |
-
1987
- 1987-02-03 JP JP2316887A patent/JPS63192272A/ja active Pending
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