JPH0945942A - 半導体デバイス - Google Patents
半導体デバイスInfo
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- JPH0945942A JPH0945942A JP7190768A JP19076895A JPH0945942A JP H0945942 A JPH0945942 A JP H0945942A JP 7190768 A JP7190768 A JP 7190768A JP 19076895 A JP19076895 A JP 19076895A JP H0945942 A JPH0945942 A JP H0945942A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で安価な半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 赤外線センサ１２は素子基板２と封止用
基板９を有しており、素子基板２は、下面に第１の凹所
３を設け、第１の凹所３の天井部を構成する円形の第１
のダイアフラム１を形成している。また、第１のダイア
フラム１の上面に赤外線検出素子５が形成されている。
一方、封止用基板９は第２の凹所１０を有しており、第
２の凹所１０が赤外線検出素子５を覆うように、封止用
基板９が素子基板２の上面に接合され、キャビティ構造
を形成している。ここで、第１のダイアフラム１の中心
に対して対称な位置に、２個の電極６を配設することに
より、電極６をまとまりよく配設することができる。
基板９を有しており、素子基板２は、下面に第１の凹所
３を設け、第１の凹所３の天井部を構成する円形の第１
のダイアフラム１を形成している。また、第１のダイア
フラム１の上面に赤外線検出素子５が形成されている。
一方、封止用基板９は第２の凹所１０を有しており、第
２の凹所１０が赤外線検出素子５を覆うように、封止用
基板９が素子基板２の上面に接合され、キャビティ構造
を形成している。ここで、第１のダイアフラム１の中心
に対して対称な位置に、２個の電極６を配設することに
より、電極６をまとまりよく配設することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアフラムを有
し、キャビティ構造を形成する半導体デバイスに関する
ものである。
し、キャビティ構造を形成する半導体デバイスに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図３に示すような、赤外線検
出素子がキャンに封止されて形成された赤外線センサが
ある。この赤外線センサ１４は、赤外線検出素子が上面
に形成された素子基板１５の下面に突設されたピン１８
を円板状のステム１７に貫通させ、ステム１７との間に
所定の距離を保持して素子基板１５をステム１７に固定
している。さらに、キャン１６が素子基板１５を覆うよ
うにステム１７の上面に冠着されており、素子基板１５
上方のキャン１６の開口窓には赤外線透過フィルタ１９
が配設されている。
出素子がキャンに封止されて形成された赤外線センサが
ある。この赤外線センサ１４は、赤外線検出素子が上面
に形成された素子基板１５の下面に突設されたピン１８
を円板状のステム１７に貫通させ、ステム１７との間に
所定の距離を保持して素子基板１５をステム１７に固定
している。さらに、キャン１６が素子基板１５を覆うよ
うにステム１７の上面に冠着されており、素子基板１５
上方のキャン１６の開口窓には赤外線透過フィルタ１９
が配設されている。
【０００３】ところで、上述の赤外線センサ１４は、キ
ャン１６に赤外線検出素子を封止する構造なので、赤外
線センサの機械的強度を大きくすることは出来るが、小
型化が困難であるという問題点がある。そこで、図４
（ａ），（ｂ）に示すような、素子基板２と封止用基板
９とで赤外線検出素子５を封止する構造により、小型化
を図った赤外線センサ１２が提案されている。
ャン１６に赤外線検出素子を封止する構造なので、赤外
線センサの機械的強度を大きくすることは出来るが、小
型化が困難であるという問題点がある。そこで、図４
（ａ），（ｂ）に示すような、素子基板２と封止用基板
９とで赤外線検出素子５を封止する構造により、小型化
を図った赤外線センサ１２が提案されている。
【０００４】赤外線センサ１２は、素子基板２の下面に
第１の凹所３を設け、第１の凹所３の天井部を構成する
正方形の第１のダイアフラム１を酸化膜と窒化膜の積層
膜（Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ４）から成る絶縁
膜４から形成している。赤外線検出素子５が、第１のダ
イアフラム１の上面に形成されている。また、２個の電
極６が、第１のダイアフラムの外側の素子基板２上面
の、第１のダイアフラム１の対角線上に設けられてお
り、電極６と赤外線検出素子５は、配線７を介して電気
的に接続されている。一方、封止用基板９は、下面に設
けられた第２の凹所１０の天井部に、赤外線透過フィル
タ１１が配設された第２のダイアフラム８を形成してい
る。
第１の凹所３を設け、第１の凹所３の天井部を構成する
正方形の第１のダイアフラム１を酸化膜と窒化膜の積層
膜（Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ４）から成る絶縁
膜４から形成している。赤外線検出素子５が、第１のダ
イアフラム１の上面に形成されている。また、２個の電
極６が、第１のダイアフラムの外側の素子基板２上面
の、第１のダイアフラム１の対角線上に設けられてお
り、電極６と赤外線検出素子５は、配線７を介して電気
的に接続されている。一方、封止用基板９は、下面に設
けられた第２の凹所１０の天井部に、赤外線透過フィル
タ１１が配設された第２のダイアフラム８を形成してい
る。
【０００５】ここで、第２の凹所１０が赤外線検出素子
５を覆うように、封止用基板９を素子基板２の上面に接
合し、キャビティ構造を形成しており、赤外線センサの
小型化を図っている。
５を覆うように、封止用基板９を素子基板２の上面に接
合し、キャビティ構造を形成しており、赤外線センサの
小型化を図っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の赤外線セン
サ１２では、素子基板２に形成された第１のダイアフラ
ム１の形状を正方形として、２個の電極６を、第１のダ
イアフラム１の外側の素子基板２上面の、第１のダイア
フラム１の対角線上に配設しているので、２個の電極６
が正方形の幅からはみ出して、無駄な空間が発生するた
め、半導体デバイスの一層小型化、コストダウンが困難
であるという問題点がある本発明は上記問題点に鑑みて
為されたものであり、安価で小型の半導体デバイスを提
供することを目的とするものである。
サ１２では、素子基板２に形成された第１のダイアフラ
ム１の形状を正方形として、２個の電極６を、第１のダ
イアフラム１の外側の素子基板２上面の、第１のダイア
フラム１の対角線上に配設しているので、２個の電極６
が正方形の幅からはみ出して、無駄な空間が発生するた
め、半導体デバイスの一層小型化、コストダウンが困難
であるという問題点がある本発明は上記問題点に鑑みて
為されたものであり、安価で小型の半導体デバイスを提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では上記目的を達
成するために、素子基板の下面に設けられた第１の凹所
の天井部を形成する第１のダイアフラムの形状を円形と
し、第１のダイアフラムの外側の素子基板上面に、第１
のダイアフラムの中心に対して対称な位置に電極を配設
することにより、第１のダイアフラムの形状を正方形と
した場合と比較して、ダイアフラムの面積が同一であっ
ても電極の配置間隔を短くすることができ、電極をまと
まりよく配置できる。
成するために、素子基板の下面に設けられた第１の凹所
の天井部を形成する第１のダイアフラムの形状を円形と
し、第１のダイアフラムの外側の素子基板上面に、第１
のダイアフラムの中心に対して対称な位置に電極を配設
することにより、第１のダイアフラムの形状を正方形と
した場合と比較して、ダイアフラムの面積が同一であっ
ても電極の配置間隔を短くすることができ、電極をまと
まりよく配置できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本実施形態を用いる赤外線センサ
の構成を図１（ａ），（ｂ）を用いて説明する。赤外線
センサ１２は、素子基板２と封止用基板９とを有してお
り、素子基板２は、下面に第１の凹所３を設け、第１の
凹所３の天井部を構成する円形の第１のダイアフラム１
を酸化膜および窒化膜の積層膜（Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＯ２
−Ｓｉ３Ｎ４）から成る絶縁膜４から形成している。第
１のダイアフラム１の上面には赤外線検出素子５が形成
されている。また、２個の電極６が、第１のダイアフラ
ム１の外側の素子基板２上面の、第１のダイアフラム１
の中心に対して対称な位置に設けられており、電極６と
赤外線検出素子５は配線７を介して電気的に接続されて
いる。
の構成を図１（ａ），（ｂ）を用いて説明する。赤外線
センサ１２は、素子基板２と封止用基板９とを有してお
り、素子基板２は、下面に第１の凹所３を設け、第１の
凹所３の天井部を構成する円形の第１のダイアフラム１
を酸化膜および窒化膜の積層膜（Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＯ２
−Ｓｉ３Ｎ４）から成る絶縁膜４から形成している。第
１のダイアフラム１の上面には赤外線検出素子５が形成
されている。また、２個の電極６が、第１のダイアフラ
ム１の外側の素子基板２上面の、第１のダイアフラム１
の中心に対して対称な位置に設けられており、電極６と
赤外線検出素子５は配線７を介して電気的に接続されて
いる。
【０００９】一方、封止用基板９は下面に第２の凹所１
０を設け、第２の凹所１０の天井部に第２のダイアフラ
ム８が形成され、第２のダイアフラム８の上面には赤外
線透過フィルタ１１が配設されている。ここで、第２の
凹所１０が赤外線検出素子５を覆うように、封止用基板
９が素子基板２上に接合されており、キャビティ構造が
形成されている。
０を設け、第２の凹所１０の天井部に第２のダイアフラ
ム８が形成され、第２のダイアフラム８の上面には赤外
線透過フィルタ１１が配設されている。ここで、第２の
凹所１０が赤外線検出素子５を覆うように、封止用基板
９が素子基板２上に接合されており、キャビティ構造が
形成されている。
【００１０】次に、上述の赤外線センサ１２の製造工程
を、図２を用いて説明する。製造工程１では、図２
（ａ）に示すように、酸化膜および窒化膜の積層膜（Ｓ
ｉ３Ｎ４−ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ４）から成る絶縁膜４が
素子基板２を構成するシリコンウェハの上面に成膜され
るとともに、窒化膜１３（Ｓｉ３Ｎ４）が素子基板２の
下面に成膜されている。
を、図２を用いて説明する。製造工程１では、図２
（ａ）に示すように、酸化膜および窒化膜の積層膜（Ｓ
ｉ３Ｎ４−ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ４）から成る絶縁膜４が
素子基板２を構成するシリコンウェハの上面に成膜され
るとともに、窒化膜１３（Ｓｉ３Ｎ４）が素子基板２の
下面に成膜されている。
【００１１】製造工程２では、図２（ｂ）に示すよう
に、素子基板２の下面の窒化膜１３に、フォトリソグラ
フィー技術によりエッチングパターンが形成される。製
造工程３では、図２（ｃ）に示すように、素子基板２の
一部が選択的にエッチングされて、素子基板２の下面に
第１の凹所３が形成されるとともに、第１の凹所３の天
井部を構成する円形の第１のダイアフラム１が絶縁膜４
から形成されている。
に、素子基板２の下面の窒化膜１３に、フォトリソグラ
フィー技術によりエッチングパターンが形成される。製
造工程３では、図２（ｃ）に示すように、素子基板２の
一部が選択的にエッチングされて、素子基板２の下面に
第１の凹所３が形成されるとともに、第１の凹所３の天
井部を構成する円形の第１のダイアフラム１が絶縁膜４
から形成されている。
【００１２】製造工程４では、図２（ｄ）に示すよう
に、第１のダイアフラム１の上面に赤外線検出素子５が
形成される。製造工程５では、上記の製造工程１〜３と
同様の工程で、封止用基板９の下面に第２の凹所１０が
設けられ、第２の凹所１０の天井部に第２のダイアフラ
ム８が形成された封止用基板９が、第２の凹所１０が赤
外線検出素子５を覆うように素子基板２の上面に接合さ
れ、キャビティ構造を形成している。
に、第１のダイアフラム１の上面に赤外線検出素子５が
形成される。製造工程５では、上記の製造工程１〜３と
同様の工程で、封止用基板９の下面に第２の凹所１０が
設けられ、第２の凹所１０の天井部に第２のダイアフラ
ム８が形成された封止用基板９が、第２の凹所１０が赤
外線検出素子５を覆うように素子基板２の上面に接合さ
れ、キャビティ構造を形成している。
【００１３】製造工程６では、封止用基板９の第２のダ
イアフラム８の上面に赤外線透過用フィルタ１１が配設
される。ここで、第１のダイアフラム１の形状を円形に
することにより、正方形の場合と比較して、赤外線検出
素子５の受光面積を同じにした場合、第１のダイアフラ
ム１の中心に対して対称な位置に配設する２個の電極６
の間隔を約２０％短縮することができ、電極６をまとま
りよく配設することができるので、赤外線センサを小型
化することができる。
イアフラム８の上面に赤外線透過用フィルタ１１が配設
される。ここで、第１のダイアフラム１の形状を円形に
することにより、正方形の場合と比較して、赤外線検出
素子５の受光面積を同じにした場合、第１のダイアフラ
ム１の中心に対して対称な位置に配設する２個の電極６
の間隔を約２０％短縮することができ、電極６をまとま
りよく配設することができるので、赤外線センサを小型
化することができる。
【００１４】
【発明の効果】請求項１の発明は上述のように、素子基
板の下面に設けられた第１の凹所の天井部を形成する第
１のダイアフラムの形状を円形とし、第１のダイアフラ
ムの外側の素子基板上面に、第１のダイアフラムの中心
に対して対称的に電極を設けることにより、第１のダイ
アフラムの形状を正方形とした場合と比較して、ダイア
フラムの面積が同一であっても電極間の距離を短縮する
ことが出来るので、電極をまとまりよく配設でき、半導
体デバイスの小型化、低コスト化が実現できるという効
果がある。
板の下面に設けられた第１の凹所の天井部を形成する第
１のダイアフラムの形状を円形とし、第１のダイアフラ
ムの外側の素子基板上面に、第１のダイアフラムの中心
に対して対称的に電極を設けることにより、第１のダイ
アフラムの形状を正方形とした場合と比較して、ダイア
フラムの面積が同一であっても電極間の距離を短縮する
ことが出来るので、電極をまとまりよく配設でき、半導
体デバイスの小型化、低コスト化が実現できるという効
果がある。
【図１】（ａ）本発明の実施形態を示す上面図である。 （ｂ）同上を示す断面図である。
【図２】（ａ）本発明の実施形態の製造工程１を示す断
面図である。 （ｂ）同上の製造工程２を示す断面図である。 （ｃ）同上の製造工程３を示す断面図である。 （ｄ）同上の製造工程４を示す断面図である。 （ｅ）同上の製造工程５を示す断面図である。 （ｆ）同上の製造工程６を示す断面図である。
面図である。 （ｂ）同上の製造工程２を示す断面図である。 （ｃ）同上の製造工程３を示す断面図である。 （ｄ）同上の製造工程４を示す断面図である。 （ｅ）同上の製造工程５を示す断面図である。 （ｆ）同上の製造工程６を示す断面図である。
【図３】一従来例を示す断面図である。
【図４】（ａ）別の従来例を示す上面図である。 （ｂ）同上を示す断面図である。
１ 第１のダイアフラム ２ 素子基板 ３ 第１の凹所 ５ 赤外線検出素子 ６ 電極 ９ 封止用基板 １０ 第２の凹所 １２ 赤外線センサ
Claims (1)
- 【請求項１】 素子基板の下面に設けられた第１の凹所
と、前記第１の凹所の天井部を形成する円形の第１のダ
イアフラムと、前記第１のダイアフラムの上面に形成さ
れた半導体素子と、前記第１のダイアフラムの外側の前
記素子基板上面に、前記第１のダイアフラムの中心に対
して対称的に設けられた電極とを有する前記素子基板
と、封止用基板の下部に設けられた第２の凹所と、前記
第２の凹所の天井部に形成された第２のダイアフラムと
を有する前記封止用基板とを備え、前記第２の凹所が前
記半導体素子を覆うように前記封止用基板が前記素子基
板上に接合される半導体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190768A JPH0945942A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190768A JPH0945942A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 半導体デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945942A true JPH0945942A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16263406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7190768A Withdrawn JPH0945942A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945942A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203796A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Robert Bosch Gmbh | 放射線検出器および放射線検出器を備えたセンサモジュール並びに放射線検出器を製作する方法 |
-
1995
- 1995-07-26 JP JP7190768A patent/JPH0945942A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203796A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Robert Bosch Gmbh | 放射線検出器および放射線検出器を備えたセンサモジュール並びに放射線検出器を製作する方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021001 |