JPH04370978A - 量子効果型電界効果トランジスタ - Google Patents
量子効果型電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPH04370978A JPH04370978A JP14854191A JP14854191A JPH04370978A JP H04370978 A JPH04370978 A JP H04370978A JP 14854191 A JP14854191 A JP 14854191A JP 14854191 A JP14854191 A JP 14854191A JP H04370978 A JPH04370978 A JP H04370978A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- junction
- gate
- quantum
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は量子効果型電界効果トラ
ンジスタの構造に関する。
ンジスタの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体内のｐ−ｎ接合を通して流
れるトンネル電流を電界で制御してトランジスタ動作さ
せるトランジスタは無かった。
れるトンネル電流を電界で制御してトランジスタ動作さ
せるトランジスタは無かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると高速で低消費電力のトンネル効果を用いたトラ
ンジスタが製作できないと言う課題が有った。
によると高速で低消費電力のトンネル効果を用いたトラ
ンジスタが製作できないと言う課題が有った。
【０００４】本発明はかかる従来技術の課題を解決し、
高速で低消費電力の量子効果型電界効果トランジスタに
よる集積回路の製作を可能にする事を目的とする。
高速で低消費電力の量子効果型電界効果トランジスタに
よる集積回路の製作を可能にする事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】上記課題を解決し、上記目
的を達成する為に本発明は量子効果型電界効果トランジ
スタに関し、（１） 半導体薄膜の一主面から他の主
面に貫通してｐ−ｎ接合を形成して成り、該両主面のｐ
−ｎ接合表面にはゲート絶縁膜を介して第１及び第２の
ゲート電極を形成する手段を取る事、及び（２） 半
導体基板上には絶縁膜を介して半導体膜を形成して成り
、該半導体膜の一主面から下部絶縁膜に達するｐ−ｎ接
合を形成して成り、該一主面のｐ−ｎ接合表面にはゲー
ト絶縁膜を介して第１のゲート電極を形成して成ると共
に、前記半導体基板を第２のゲート電極と成す手段を取
る事、及び（３） 前記（２）項に記載の半導体基板
に拡散層を設け、該拡散層を第２のゲート電極と成す手
段を取る事、等の手段を取る。
的を達成する為に本発明は量子効果型電界効果トランジ
スタに関し、（１） 半導体薄膜の一主面から他の主
面に貫通してｐ−ｎ接合を形成して成り、該両主面のｐ
−ｎ接合表面にはゲート絶縁膜を介して第１及び第２の
ゲート電極を形成する手段を取る事、及び（２） 半
導体基板上には絶縁膜を介して半導体膜を形成して成り
、該半導体膜の一主面から下部絶縁膜に達するｐ−ｎ接
合を形成して成り、該一主面のｐ−ｎ接合表面にはゲー
ト絶縁膜を介して第１のゲート電極を形成して成ると共
に、前記半導体基板を第２のゲート電極と成す手段を取
る事、及び（３） 前記（２）項に記載の半導体基板
に拡散層を設け、該拡散層を第２のゲート電極と成す手
段を取る事、等の手段を取る。
【０００６】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。図１
は本発明の一実施例を示す量子効果型電界効果トランジ
スタの断面図である。すなわち、ｐ＋拡散層１とｎ＋拡
散層２との接合部３を有する半導体膜の接合部３の両面
にはゲート絶縁膜４、５を介してゲート電極５、７が形
成されて成る。本例ではｐ＋拡散層１をソースＳ、ｎ＋
拡散層２をドレインＤ、ゲート電極５を第１のゲートＧ
１、ゲート電極７を第２のゲートＧ２として接合部３に
流れるトンネル電流をＧ１及びＧ２で制御する電界効果
トランジスタであるが、ソースＳトドレインＤとが逆で
あってもトランジスタ動作する。
は本発明の一実施例を示す量子効果型電界効果トランジ
スタの断面図である。すなわち、ｐ＋拡散層１とｎ＋拡
散層２との接合部３を有する半導体膜の接合部３の両面
にはゲート絶縁膜４、５を介してゲート電極５、７が形
成されて成る。本例ではｐ＋拡散層１をソースＳ、ｎ＋
拡散層２をドレインＤ、ゲート電極５を第１のゲートＧ
１、ゲート電極７を第２のゲートＧ２として接合部３に
流れるトンネル電流をＧ１及びＧ２で制御する電界効果
トランジスタであるが、ソースＳトドレインＤとが逆で
あってもトランジスタ動作する。
【０００７】図２は本発明の他の実施例を示す量子効果
型電界効果トランジスタの断面図である。すなわち、ｐ
＋拡散層１１とｎ＋拡散層１２との接合部１３を有する
半導体膜は半導体基板１７の表面に形成された絶縁膜１
６上に形成されて成り、前記接合部１３の表面にはゲー
ト絶縁膜１４を介してゲート電極１５が形成されて成る
。 尚、半導体基板１７は第２のゲートＧ２として作用させ
る事が出来る図３は本発明のその他の実施例を示す量子
効果型電界効果トランジスタの断面図である。すなわち
、ｐ＋拡散層２１とｎ＋拡散層２２との接合部２３を有
する半導体膜は半導体基板２７の表面に形成された絶縁
膜２６上に形成されて成り、前記接合部２３の表面には
ゲート絶縁膜２４を介してゲート電極２５が形成されて
成ると共に、前記半導体基板２７の表面に於いて前記接
合部２３の下部に半導体基板２７と導電型を異にする拡
散層２８を第２のゲートＧ２ として形成しておく。尚
、半導体基板２７は第３のゲートＧ３として、あるいは
拡散層２８と導電型を異にする拡散層を半導体基板２７
の他の接合部下に形成する等して相補型トランジスタと
して作用させる事も出来る。
型電界効果トランジスタの断面図である。すなわち、ｐ
＋拡散層１１とｎ＋拡散層１２との接合部１３を有する
半導体膜は半導体基板１７の表面に形成された絶縁膜１
６上に形成されて成り、前記接合部１３の表面にはゲー
ト絶縁膜１４を介してゲート電極１５が形成されて成る
。 尚、半導体基板１７は第２のゲートＧ２として作用させ
る事が出来る図３は本発明のその他の実施例を示す量子
効果型電界効果トランジスタの断面図である。すなわち
、ｐ＋拡散層２１とｎ＋拡散層２２との接合部２３を有
する半導体膜は半導体基板２７の表面に形成された絶縁
膜２６上に形成されて成り、前記接合部２３の表面には
ゲート絶縁膜２４を介してゲート電極２５が形成されて
成ると共に、前記半導体基板２７の表面に於いて前記接
合部２３の下部に半導体基板２７と導電型を異にする拡
散層２８を第２のゲートＧ２ として形成しておく。尚
、半導体基板２７は第３のゲートＧ３として、あるいは
拡散層２８と導電型を異にする拡散層を半導体基板２７
の他の接合部下に形成する等して相補型トランジスタと
して作用させる事も出来る。
【０００８】
【発明の効果】本発明により、高速で低消費電力の量子
効果型電界効果トランジスタによる集積回路の製作を可
能にする事が出来る効果が有る。
効果型電界効果トランジスタによる集積回路の製作を可
能にする事が出来る効果が有る。
【図１】本発明の一実施例を示す量子効果型電界効果ト
ランジスタの断面図である。
ランジスタの断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す量子効果型電界効果
トランジスタの断面図である。
トランジスタの断面図である。
【図３】本発明のその他の実施例を示す量子効果型電界
効果トランジスタの断面図である。
効果トランジスタの断面図である。
１、１１、２１ ・・・ ｐ＋拡散層、２、１２、
２２ ・・・ ｎ＋拡散層、３、１３、２３ ・
・・ 接合部、４、１４、２４、６ ・・・ ゲ
ート絶縁膜、５、１５、２５、７ ・・・ ゲート
電極、１７、２７ ・・・ 半導体基板、２８
・・・ 拡散層、 Ｓ ・・・ ソース、 Ｄ ・・・ ドレイン、 Ｇ１ ・・・ 第１のゲート、 Ｇ２ ・・・ 第２のゲート、 Ｇ３ ・・・ 第３のゲート
２２ ・・・ ｎ＋拡散層、３、１３、２３ ・
・・ 接合部、４、１４、２４、６ ・・・ ゲ
ート絶縁膜、５、１５、２５、７ ・・・ ゲート
電極、１７、２７ ・・・ 半導体基板、２８
・・・ 拡散層、 Ｓ ・・・ ソース、 Ｄ ・・・ ドレイン、 Ｇ１ ・・・ 第１のゲート、 Ｇ２ ・・・ 第２のゲート、 Ｇ３ ・・・ 第３のゲート
Claims (3)
- 【請求項１】半導体薄膜の一主面から他の主面に貫通し
てｐ−ｎ接合が形成されて成り、該両主面のｐ−ｎ接合
表面にはゲート絶縁膜を介して第１及び第２のゲート電
極が形成されて成る事を特徴とする量子効果型電界効果
トランジスタ。 - 【請求項２】半導体基板上には絶縁膜を介して半導体膜
が形成されて成り、該半導体膜の一主面から下部絶縁膜
に達するｐ−ｎ接合が形成されて成り、該一主面のｐ−
ｎ接合表面にはゲート絶縁膜を介して第１のゲート電極
が形成されて成ると共に、前記半導体基板を第２のゲー
ト電極と成す事を特徴とする量子効果型電界効果トラン
ジスタ。 - 【請求項３】請求項２に記載の半導体基板に拡散層を設
け、該拡散層を第２のゲート電極と成す事を特徴とする
量子効果型電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14854191A JPH04370978A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 量子効果型電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14854191A JPH04370978A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 量子効果型電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04370978A true JPH04370978A (ja) | 1992-12-24 |
Family
ID=15455085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14854191A Pending JPH04370978A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 量子効果型電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04370978A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07263720A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 電子デバイス |
| US6104068A (en) * | 1998-09-01 | 2000-08-15 | Micron Technology, Inc. | Structure and method for improved signal processing |
| US6320222B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-11-20 | Micron Technology, Inc. | Structure and method for reducing threshold voltage variations due to dopant fluctuations |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP14854191A patent/JPH04370978A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07263720A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 電子デバイス |
| US6104068A (en) * | 1998-09-01 | 2000-08-15 | Micron Technology, Inc. | Structure and method for improved signal processing |
| US6320222B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-11-20 | Micron Technology, Inc. | Structure and method for reducing threshold voltage variations due to dopant fluctuations |
| US6355961B1 (en) | 1998-09-01 | 2002-03-12 | Micron Technology, Inc. | Structure and method for improved signal processing |
| US6413825B1 (en) | 1998-09-01 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Method for signal processing |
| US6964903B2 (en) | 1998-09-01 | 2005-11-15 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a transistor on a substrate to operate as a fully depleted structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04107877A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS63102264A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPH04370978A (ja) | 量子効果型電界効果トランジスタ | |
| JPS58192359A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2647020B2 (ja) | 相補型薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2001189441A5 (ja) | ||
| US3450963A (en) | Field effect semiconductor devices of the junction type and method of making | |
| JPH0410659A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH05114732A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPS62291179A (ja) | 二重拡散ｍｏｓｆｅｔ | |
| JPH04370977A (ja) | 量子化電界効果トランジスタ | |
| JPH04320063A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH04127574A (ja) | 縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ | |
| JPS6022372A (ja) | 絶縁ゲ−ト型トランジスタ | |
| JPS6355976A (ja) | 電界効果半導体装置 | |
| JPS62101077A (ja) | 縦型絶縁ゲ−ト形電界効果半導体装置 | |
| JPH0319285A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置 | |
| JPH0427157A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05198803A (ja) | 二重拡散型電界効果半導体装置 | |
| JPS56147467A (en) | Cmos semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS58142579A (ja) | Ｍｏｓトランジスタ | |
| JPH04206661A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63102369A (ja) | 縦型ｍｉｓ電界効果トランジスタ | |
| JPH0234970A (ja) | 電界効果型薄膜トランジスタ | |
| JPH04236460A (ja) | 半導体メモリ装置 |