JPS63134558U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS63134558U JPS63134558U JP2692087U JP2692087U JPS63134558U JP S63134558 U JPS63134558 U JP S63134558U JP 2692087 U JP2692087 U JP 2692087U JP 2692087 U JP2692087 U JP 2692087U JP S63134558 U JPS63134558 U JP S63134558U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- conductivity type
- type semiconductor
- regions
- photo sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
Description
第１図は本考案フオトセンサの第１の実施例を
示す断面図、第２図は本考案フオトセンサの第２
の実施例を示す断面図、第３図は本考案フオトセ
ンサの第３の実施例を示す断面図、第４図はフオ
トセンサの従来例を示す断面図である。 符号の説明、１……絶縁基板、２……第１導電
型半導体領域、２Ａ，２Ｂ，２Ｃ……分割領域、
３……真性半導体領域、４……第２導電型半導体
領域。
示す断面図、第２図は本考案フオトセンサの第２
の実施例を示す断面図、第３図は本考案フオトセ
ンサの第３の実施例を示す断面図、第４図はフオ
トセンサの従来例を示す断面図である。 符号の説明、１……絶縁基板、２……第１導電
型半導体領域、２Ａ，２Ｂ，２Ｃ……分割領域、
３……真性半導体領域、４……第２導電型半導体
領域。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 絶縁基板上に第１導電型半導体領域を形成し、
該第１導電型半導体領域上に真性半導体領域を形
成し、該真性半導体領域上に第２導電型半導体領
域を形成してなるフオトセンサにおいて、 上記第１導電型半導体領域と第２導電型半導体
領域のうちの一方の半導体領域が互いに分離され
た複数の領域に分割され、 上記真性半導体領域の上記各分割領域に対応す
る部分における膜厚が互いに異なるようにされて
なる ことを特徴とするフオトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2692087U JPS63134558U (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2692087U JPS63134558U (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63134558U true JPS63134558U (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=30828465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2692087U Pending JPS63134558U (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63134558U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135314A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Oki Semiconductor Co Ltd | フォトダイオードの製造方法およびそれを用いて形成されたフォトダイオード |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP2692087U patent/JPS63134558U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135314A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Oki Semiconductor Co Ltd | フォトダイオードの製造方法およびそれを用いて形成されたフォトダイオード |
| JP4574667B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2010-11-04 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | フォトダイオードの製造方法およびそれを用いて形成されたフォトダイオード |