JPH0279061U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0279061U JPH0279061U JP1988158043U JP15804388U JPH0279061U JP H0279061 U JPH0279061 U JP H0279061U JP 1988158043 U JP1988158043 U JP 1988158043U JP 15804388 U JP15804388 U JP 15804388U JP H0279061 U JPH0279061 U JP H0279061U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- metal substrate
- insulating film
- memory
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図は本考案の第１の実施例を示す薄膜マス
クＲＯＭの一部分の断面図、第２図および第３図
は本考案の第２の実施例を示す薄膜マスクＲＯＭ
の一部分の断面図およびその回路図、第４図およ
び第５図は従来の薄膜マスクＲＯＭの一部分の断
面図およびその回路図である。 １０……金属基板、１１……絶縁膜、Ａ１，Ａ
２……薄膜素子。
クＲＯＭの一部分の断面図、第２図および第３図
は本考案の第２の実施例を示す薄膜マスクＲＯＭ
の一部分の断面図およびその回路図、第４図およ
び第５図は従来の薄膜マスクＲＯＭの一部分の断
面図およびその回路図である。 １０……金属基板、１１……絶縁膜、Ａ１，Ａ
２……薄膜素子。
Claims (1)
- 基板上に多数の薄膜素子を配列形成した薄膜メ
モリにおいて、前記基板を導電性の金属基板とし
、この金属基板面に絶縁膜を形成して、この絶縁
膜上に前記薄膜素子を形成したことを特徴とする
薄膜メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988158043U JPH0279061U (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988158043U JPH0279061U (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279061U true JPH0279061U (ja) | 1990-06-18 |
Family
ID=31438015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988158043U Pending JPH0279061U (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0279061U (ja) |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP1988158043U patent/JPH0279061U/ja active Pending