JPS60144951A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60144951A JPS60144951A JP160184A JP160184A JPS60144951A JP S60144951 A JPS60144951 A JP S60144951A JP 160184 A JP160184 A JP 160184A JP 160184 A JP160184 A JP 160184A JP S60144951 A JPS60144951 A JP S60144951A
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- Japan
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- region
- layer
- semiconductor device
- thickness
- dielectric
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体装置に関し、特に誘電体分離構造の高耐
圧の半導体装置に関する。
圧の半導体装置に関する。
（従来技術）
従来の誘電体分離構造の半導体装置、例えばｎｐｎ ト
ランジスタは第・１図に示すような構造となっている。
ランジスタは第・１図に示すような構造となっている。
第１図はｎｐｎ トランジスタの断面図である。第１図
に示すように、ｎ型で抵抗率２０Ωａのシリコン単結晶
による素子形成領域３が絶縁体であるシリコン酸化膜２
，２′と高抵抗率ポリシリコン基板１とによって、別の
素子形成領域１０と絶縁分離されている。
に示すように、ｎ型で抵抗率２０Ωａのシリコン単結晶
による素子形成領域３が絶縁体であるシリコン酸化膜２
，２′と高抵抗率ポリシリコン基板１とによって、別の
素子形成領域１０と絶縁分離されている。
また、素子形成領域３には、ベース領域５．エミッタ領
域６およびベース電極７．エミッタ電極８、コレクタ電
極９が形成されている。４は層抵抗１００Ω／口のｎ型
拡散層である埋込層である。
域６およびベース電極７．エミッタ電極８、コレクタ電
極９が形成されている。４は層抵抗１００Ω／口のｎ型
拡散層である埋込層である。
この構造において、埋込層４は不可欠ではないが、無い
と、コレクタ抵抗が増大するし、また素子形成領域３の
、絶縁体２に接した表面が反転しやすくなり、例えばサ
イリスタでは耐圧が低下する等、素子特性に大きく影響
するという欠点があった。
と、コレクタ抵抗が増大するし、また素子形成領域３の
、絶縁体２に接した表面が反転しやすくなり、例えばサ
イリスタでは耐圧が低下する等、素子特性に大きく影響
するという欠点があった。
しかしながら、埋込層４を形成したときには、耐圧を保
つためにベース領域５と埋込層４との間に空乏層の広が
る余地１１が必要であり、この距離が場合によっては３
０μｍ程度になるため、素子の小型化の防げとなる欠点
があった。
つためにベース領域５と埋込層４との間に空乏層の広が
る余地１１が必要であり、この距離が場合によっては３
０μｍ程度になるため、素子の小型化の防げとなる欠点
があった。
また、この例のｎｐｎ ）ランジスタの場合は拡散係数
の小さいヒ素等を埋込層４の不純物として用いることに
°よシ、その厚さは２μｍ程度にできるが％ ｐｎｐ
トランジスタの場合には、ｐ型不純物として通常使用さ
れるホウ素を拡散すると以後の燃処理によシ厚さが１０
μｍ程度になってしまうので、これによっても小型化が
制限されてしまうという欠点があった。
の小さいヒ素等を埋込層４の不純物として用いることに
°よシ、その厚さは２μｍ程度にできるが％ ｐｎｐ
トランジスタの場合には、ｐ型不純物として通常使用さ
れるホウ素を拡散すると以後の燃処理によシ厚さが１０
μｍ程度になってしまうので、これによっても小型化が
制限されてしまうという欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、以上の欠点を除去し、形成される素子
の特性を低下させることがなく素子を小型化できる誘電
体分離構造を有する半導体装置を提供するにある。
の特性を低下させることがなく素子を小型化できる誘電
体分離構造を有する半導体装置を提供するにある。
（発明の構成）
本発明の半導体装置は、複数の素子形成領域が、絶縁性
の誘電体によって互いに絶縁された誘電体分離構造の半
導体装置において、素子形成領域と絶縁体との間に誘電
体層によって素子形成領域と隔てられた導電性の層を設
けることにより構成される。
の誘電体によって互いに絶縁された誘電体分離構造の半
導体装置において、素子形成領域と絶縁体との間に誘電
体層によって素子形成領域と隔てられた導電性の層を設
けることにより構成される。
（実施例）
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第２図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第２図において１〜１０は従来例と同じ部分をあられす
。１２は高濃度にヒ素をドープした伝導性の高いポリシ
リコン層で厚さは２μｍであり、厚さ４μｍの誘電体で
あるシリコン酸化膜１３によって素子形成領域３と隔て
られている。１４は素子形成領域３の底と導電層１２を
接続するために誘電体層であるシリコン酸化膜１３に開
けた窓てあシ、コレクタに相当する。
。１２は高濃度にヒ素をドープした伝導性の高いポリシ
リコン層で厚さは２μｍであり、厚さ４μｍの誘電体で
あるシリコン酸化膜１３によって素子形成領域３と隔て
られている。１４は素子形成領域３の底と導電層１２を
接続するために誘電体層であるシリコン酸化膜１３に開
けた窓てあシ、コレクタに相当する。
本館１の実施例では、ベースの深さが５μｍのとき耐圧
４００■においてベース領域５と素子形成領域の壁との
間の距離１５は、１０μｍ程度であり、従来構造の第１
図に示した１１に比べて小さくでき、１２．１３の厚は
を考慮しても水平距離で５μｍ、ベースの両側で計１０
μｍの縮小が可能である。
４００■においてベース領域５と素子形成領域の壁との
間の距離１５は、１０μｍ程度であり、従来構造の第１
図に示した１１に比べて小さくでき、１２．１３の厚は
を考慮しても水平距離で５μｍ、ベースの両側で計１０
μｍの縮小が可能である。
第３図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明をｎｐｎ トラン
ジスタに適用した第２の実施例の断面図および底面図で
ある。第３図（ａ） 、 （ｂ）において、１，２，３
，５゜６．７．ｓ、ｃｌは第１図と同じである。１２′
。
ジスタに適用した第２の実施例の断面図および底面図で
ある。第３図（ａ） 、 （ｂ）において、１，２，３
，５゜６．７．ｓ、ｃｌは第１図と同じである。１２′
。
１２“は第２図における導電層１２に相当するポリシリ
コン層であるが、第３図（ｂｌに示すように２つの部分
に分割され、そのうち１２′は第２図の１２と同様に窓
１４とコレクタ電極９を接続し、１２”は素子形成領域
３の三方を囲み、ベース電極７に接続されている。１３
’は１２’、１２“と３とを隔てるシリコン酸化膜で厚
さ１．５μｍである。第２図の１３に比べて薄くてよい
のは１２”が一種のフィールドグレートの役割をするた
めである。１６は、導電層１２’、１２“の間隔で１５
μｍである。この例では１２”の効果により、ベース領
域５を素子形成領域３の壁につけることが可能であシ、
第１図と比べてベース領域の３方向についてそれぞれ水
平距離２５μｍの、大幅な縮小になる。
コン層であるが、第３図（ｂｌに示すように２つの部分
に分割され、そのうち１２′は第２図の１２と同様に窓
１４とコレクタ電極９を接続し、１２”は素子形成領域
３の三方を囲み、ベース電極７に接続されている。１３
’は１２’、１２“と３とを隔てるシリコン酸化膜で厚
さ１．５μｍである。第２図の１３に比べて薄くてよい
のは１２”が一種のフィールドグレートの役割をするた
めである。１６は、導電層１２’、１２“の間隔で１５
μｍである。この例では１２”の効果により、ベース領
域５を素子形成領域３の壁につけることが可能であシ、
第１図と比べてベース領域の３方向についてそれぞれ水
平距離２５μｍの、大幅な縮小になる。
第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第３の実施例の平
面図および断面図である。
面図および断面図である。
従来、多層配線によらず配線を交叉させるにはトンネル
抵抗を使用していたが、第４図（ａ） 、 （ｂ）のよ
うに横方向に抵抗２０がある素子形成領域ではトンネル
抵抗の使用は難かしかった。
抵抗を使用していたが、第４図（ａ） 、 （ｂ）のよ
うに横方向に抵抗２０がある素子形成領域ではトンネル
抵抗の使用は難かしかった。
本発明によればこのような場合でも素子形成領域の外側
の導電層１９を使用することにより、複数本の配線が、
耐圧を気にすることなく交叉可能であシ、配線の自由度
が増し、ひいては配線の占める面積や、素子形成領域の
数を減少させることができる。
の導電層１９を使用することにより、複数本の配線が、
耐圧を気にすることなく交叉可能であシ、配線の自由度
が増し、ひいては配線の占める面積や、素子形成領域の
数を減少させることができる。
なお、これまではｎｐｎ ）ランジスタを王に説明して
きたが％ Ｉ）ｎｐ トランジスタ、サイリスタについ
ても同様に本発明を適用できる。
きたが％ Ｉ）ｎｐ トランジスタ、サイリスタについ
ても同様に本発明を適用できる。
（発明の効果）
以上説明した様に、誘電体分離構造の半導体装置におい
て、素子形成領域と、誘電体層によって隔てられた導電
性の層を設けることにより、素子の小型化を、素子の特
性を低下させることなく達成できる。
て、素子形成領域と、誘電体層によって隔てられた導電
性の層を設けることにより、素子の小型化を、素子の特
性を低下させることなく達成できる。
第１図は従来の誘電体分離構造のトランジスタの一例の
断面図、第２図は本発明の第１の実施例の断面図、第３
図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第２の実施例の断面図
および底面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第
３の実施例の平面図およびその断面図である。 ｌ・・・・・・ポリシリコン基板、２．２’・・・・・
・シリコン酸化膜、３・・・・・・素子形成領域、４・
・・・・・埋込層、５・・・・・・ベース領域、６・・
・・・・エミッタ領域、７・・・・・・ベース電極、８
・・・・・・エミッタ電極、９・・・・・・コレクタ電
極、ｌＯ・・・・・・他の素子形成領域、１１・・・・
・・ベースと埋込層との距離、１２．１２’ 、１２“
・・・・・・導電層、１３．１３’・・・・・・シリコ
ン酸化膜、１４・・・・・・誘電体に開けた窓、１５・
・・・・・ベースとシリコ／酸化膜との距離、１６・・
・・・・導電層１２’、１２“間の間隔、１７・・・・
・・横方向配線、１８・・・・・・縦方向配線、１９・
・・・・・縦方向配線をつなぐ導電層、２０・・・・・
・抵抗。 半１１ 半２回 事３回
断面図、第２図は本発明の第１の実施例の断面図、第３
図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第２の実施例の断面図
および底面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第
３の実施例の平面図およびその断面図である。 ｌ・・・・・・ポリシリコン基板、２．２’・・・・・
・シリコン酸化膜、３・・・・・・素子形成領域、４・
・・・・・埋込層、５・・・・・・ベース領域、６・・
・・・・エミッタ領域、７・・・・・・ベース電極、８
・・・・・・エミッタ電極、９・・・・・・コレクタ電
極、ｌＯ・・・・・・他の素子形成領域、１１・・・・
・・ベースと埋込層との距離、１２．１２’ 、１２“
・・・・・・導電層、１３．１３’・・・・・・シリコ
ン酸化膜、１４・・・・・・誘電体に開けた窓、１５・
・・・・・ベースとシリコ／酸化膜との距離、１６・・
・・・・導電層１２’、１２“間の間隔、１７・・・・
・・横方向配線、１８・・・・・・縦方向配線、１９・
・・・・・縦方向配線をつなぐ導電層、２０・・・・・
・抵抗。 半１１ 半２回 事３回
Claims (1)
- 複数の素子形成領域が絶縁性の誘電体によって互いに絶
縁された誘電体分離構造の半導体装置において、素子形
成領域と絶縁体との間に誘電体層によって素子形成領域
と隔てられた導電性の層が設けられていあことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP160184A JPS60144951A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP160184A JPS60144951A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144951A true JPS60144951A (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=11506016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP160184A Pending JPS60144951A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60144951A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025544A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE4233773A1 (de) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Daimler Benz Ag | Halbleiterbauelement mit hoher Durchbruchspannung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120267A (ja) * | 1974-08-12 | 1976-02-18 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| JPS5735590A (en) * | 1980-06-16 | 1982-02-26 | Gen Foods Corp | Separation of caffeine from active carbon |
-
1984
- 1984-01-09 JP JP160184A patent/JPS60144951A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120267A (ja) * | 1974-08-12 | 1976-02-18 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| JPS5735590A (en) * | 1980-06-16 | 1982-02-26 | Gen Foods Corp | Separation of caffeine from active carbon |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025544A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE4233773A1 (de) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Daimler Benz Ag | Halbleiterbauelement mit hoher Durchbruchspannung |
| DE4233773C2 (de) * | 1992-10-07 | 1996-09-19 | Daimler Benz Ag | Halbleiterstruktur für Halbleiterbauelemente mit hoher Durchbruchspannung |
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