JPS62179763A - バイポ−ラ型トランジスタ - Google Patents
バイポ−ラ型トランジスタInfo
- Publication number
- JPS62179763A JPS62179763A JP2310586A JP2310586A JPS62179763A JP S62179763 A JPS62179763 A JP S62179763A JP 2310586 A JP2310586 A JP 2310586A JP 2310586 A JP2310586 A JP 2310586A JP S62179763 A JPS62179763 A JP S62179763A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- emitter
- electrode
- wirings
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- NBJBFKVCPBJQMR-APKOLTMOSA-N nff 1 Chemical compound C([C@H](NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@@H]1CCCN1C(=O)[C@H](CCCCN)NC(=O)[C@@H]1CCCN1C(=O)CC=1C2=CC=C(C=C2OC(=O)C=1)OC)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCCCNC=1C(=CC(=CC=1)[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)C(=O)NCC(O)=O)C1=CC=CC=C1 NBJBFKVCPBJQMR-APKOLTMOSA-N 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、バイポーラ型トランジスタ、特にその電極取
出し構造に関する。
出し構造に関する。
従来、バイポーラ型トランジスタは第２図の断面図に示
す構造を有していた。以下図面について説明する。第２
図において、Ｎ型エピタキシャル層領域ｌ内に、ベース
領域２、ベース領域２内にエミッタ領域３が形成され、
ベース領域２．エミッタ領域３は、それぞれシリコン酸
化膜４内にあけられた開孔を通してベース電極配線１０
．エミッタ電極配線６に接続されている。
す構造を有していた。以下図面について説明する。第２
図において、Ｎ型エピタキシャル層領域ｌ内に、ベース
領域２、ベース領域２内にエミッタ領域３が形成され、
ベース領域２．エミッタ領域３は、それぞれシリコン酸
化膜４内にあけられた開孔を通してベース電極配線１０
．エミッタ電極配線６に接続されている。
上述した従来のトランジスタ構造では、エミッタ電極取
り出し用の開孔部５とベース電極取り出し用の開孔部８
との距離ａは、エミッタ電極配線６とベース電極配線ｌ
Ｏの距離ｂ１更に、電極配線６，１０と前記電極取り出
し用の開孔部５と８との目合せマージンＣの和で決定さ
れていた。従って、前記開孔部間の距離ａは非常に長く
なり、その為、距離ａで決まるトランジスタのベース抵
抗も大きくなり、高性能化に対して問題であった。
り出し用の開孔部５とベース電極取り出し用の開孔部８
との距離ａは、エミッタ電極配線６とベース電極配線ｌ
Ｏの距離ｂ１更に、電極配線６，１０と前記電極取り出
し用の開孔部５と８との目合せマージンＣの和で決定さ
れていた。従って、前記開孔部間の距離ａは非常に長く
なり、その為、距離ａで決まるトランジスタのベース抵
抗も大きくなり、高性能化に対して問題であった。
上記問題点に対し、本発明では、ベース電極配線をエミ
ッタ電極配線上に電気絶縁物を介して形成することによ
り、前記電極取り出し用開孔部間の距離ａを小さくシ、
トランジスタのベース抵抗及びベースの接合容量を小さ
くしている。
ッタ電極配線上に電気絶縁物を介して形成することによ
り、前記電極取り出し用開孔部間の距離ａを小さくシ、
トランジスタのベース抵抗及びベースの接合容量を小さ
くしている。
第１図（ａ） ｌ （ｂ）は本発明の一実施例を製造工
程で説明するための断面図である。
程で説明するための断面図である。
第１図（ａ）において、まず、Ｎ型エピタキシャル層１
領域内に通常の方法によりＰ型のペース領域２、Ｎ型の
エミッタ領域３を形成する。次に、基板上面のシリコン
酸化膜４、エミッタ電極取り出し用開孔部５を形成した
後、アルミニウムを被着し、通常のリングラフィ技術を
用い、エミッタ電極配線６を形成する。更に、例えば気
相成長法により、シリコン酸化膜７を形成する。次に第
１図（ｂ）において、ベース電極数９出し用の開孔部８
を形成した後、アルミニウムを被着し、ベース電極配線
９を形成する。
領域内に通常の方法によりＰ型のペース領域２、Ｎ型の
エミッタ領域３を形成する。次に、基板上面のシリコン
酸化膜４、エミッタ電極取り出し用開孔部５を形成した
後、アルミニウムを被着し、通常のリングラフィ技術を
用い、エミッタ電極配線６を形成する。更に、例えば気
相成長法により、シリコン酸化膜７を形成する。次に第
１図（ｂ）において、ベース電極数９出し用の開孔部８
を形成した後、アルミニウムを被着し、ベース電極配線
９を形成する。
以上説明したように、本発明は、ベース電極配線をエミ
ッタ電極配線上に絶縁膜を介して形成している３、これ
によりエミッタ電極取り出し用開孔部５、ペース電極取
り出し用開孔部８との距離人は、エミッタ電極配線６と
エミッタ電極取り出し用開孔部５との目合せマージンＣ
と、エミッタ電極配８５とペース電極取り出し用開孔部
８との目合せマージンＤとの和で決定される。従って、
前記従来のトランジスタにおけるエミッタ、ペース電極
取り出し用開孔部間の距離ａと比較すると短かくするこ
とができる。その結果、上記距離Ａで決まるトランジス
タのベース抵抗は小さくなり、更にベース領域の面積も
縮小される為、ベースの接合容量も小さくすることがで
き、高性能なバイポーラトランジスタが実現できる。
ッタ電極配線上に絶縁膜を介して形成している３、これ
によりエミッタ電極取り出し用開孔部５、ペース電極取
り出し用開孔部８との距離人は、エミッタ電極配線６と
エミッタ電極取り出し用開孔部５との目合せマージンＣ
と、エミッタ電極配８５とペース電極取り出し用開孔部
８との目合せマージンＤとの和で決定される。従って、
前記従来のトランジスタにおけるエミッタ、ペース電極
取り出し用開孔部間の距離ａと比較すると短かくするこ
とができる。その結果、上記距離Ａで決まるトランジス
タのベース抵抗は小さくなり、更にベース領域の面積も
縮小される為、ベースの接合容量も小さくすることがで
き、高性能なバイポーラトランジスタが実現できる。
尚本発明の実施例において、エミッタ電極配線及びベー
ス電極配線を多結晶シリコン膜を用いて形成することも
できる。
ス電極配線を多結晶シリコン膜を用いて形成することも
できる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例を製造工
程で説明するための断面図、第２図は従来のバイポーラ
型トランジスタの断面図である。 １・・・・・・Ｎｆｆ１工ピタキシヤル層、２・・・・
・・ｐ ｆｌＪ ペース領域、３・・・・・・Ｎ型エミ
ッタ領域、４，７・・・・・・シリコン酸化膜、５・・
・・・・エミッタ電極取出し開孔、６０００２１．エミ
ッタ電極配線、８・・・・・・ベース電極取出し開孔、
９，１０・・・・・・ベース電極配線。 第１図 第２図
程で説明するための断面図、第２図は従来のバイポーラ
型トランジスタの断面図である。 １・・・・・・Ｎｆｆ１工ピタキシヤル層、２・・・・
・・ｐ ｆｌＪ ペース領域、３・・・・・・Ｎ型エミ
ッタ領域、４，７・・・・・・シリコン酸化膜、５・・
・・・・エミッタ電極取出し開孔、６０００２１．エミ
ッタ電極配線、８・・・・・・ベース電極取出し開孔、
９，１０・・・・・・ベース電極配線。 第１図 第２図
Claims (1)
- ベース電極配線がエミッタ電極配線上に絶縁物を介して
重なって設けられていることを特徴とするバイポーラ型
トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310586A JPS62179763A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | バイポ−ラ型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310586A JPS62179763A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | バイポ−ラ型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62179763A true JPS62179763A (ja) | 1987-08-06 |
Family
ID=12101181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2310586A Pending JPS62179763A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | バイポ−ラ型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62179763A (ja) |
-
1986
- 1986-02-04 JP JP2310586A patent/JPS62179763A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62179763A (ja) | バイポ−ラ型トランジスタ | |
| JPH01289264A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61278161A (ja) | 高耐圧半導体装置 | |
| JP2631673B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS5919475B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS62160761A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6120141B2 (ja) | ||
| JP2606414B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0333067Y2 (ja) | ||
| JPS62183558A (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| JPS62189752A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04323832A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH02119229A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS61207069A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0666275B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02246221A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH027527A (ja) | トランジスター | |
| JPS6124825B2 (ja) | ||
| JPS63273355A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03230560A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH01227474A (ja) | 相補型バイポーラトランジスタの製造方法 | |
| JPS63153858A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62163343A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6022828B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62208671A (ja) | ヘテロ接合横型バイポ−ラ・トランジスタ装置とその製造方法 |