JPS6435759U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6435759U JPS6435759U JP13060187U JP13060187U JPS6435759U JP S6435759 U JPS6435759 U JP S6435759U JP 13060187 U JP13060187 U JP 13060187U JP 13060187 U JP13060187 U JP 13060187U JP S6435759 U JPS6435759 U JP S6435759U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type semiconductor
- conductive layer
- conductive
- insulating film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図ａは本考案の第１の実施例の主要部を示
す半導体チツプの平面図、第１図ｂは第１図ａの
Ｘ―Ｘ′線断面図、第２図ａは第２の実施例の主
要部を示す半導体チツプの平面図、第２図ｂは第
２図ａのＸ―Ｘ′線断面図、第３図、第４図はそ
れぞれ従来例の主要部を示す半導体チツプの平面
図である。 １……Ｐ型半導体基体、２……Ｎ型半導体層、
３，３ａ〜３ｃ……フイールド絶縁膜、４……高
濃度Ｎ型半導体層、５，５ａ〜５ｃ……第１層間
絶縁膜、６ａ〜６ｃ……第２層間絶縁膜、７……
絶縁膜、８，８ａ，８ｂ……第２導電層、９ａ，
９ｂ……第３導電層、１０……第１導電層（多結
晶シリコン層）、１５，１５ａ……第１の絶縁層
、１７……絶縁膜、１８ａ，１８ａ′，１８ｂ…
…金属配線層、１９ａ，１９ｂ……第２の金属配
線層。
す半導体チツプの平面図、第１図ｂは第１図ａの
Ｘ―Ｘ′線断面図、第２図ａは第２の実施例の主
要部を示す半導体チツプの平面図、第２図ｂは第
２図ａのＸ―Ｘ′線断面図、第３図、第４図はそ
れぞれ従来例の主要部を示す半導体チツプの平面
図である。 １……Ｐ型半導体基体、２……Ｎ型半導体層、
３，３ａ〜３ｃ……フイールド絶縁膜、４……高
濃度Ｎ型半導体層、５，５ａ〜５ｃ……第１層間
絶縁膜、６ａ〜６ｃ……第２層間絶縁膜、７……
絶縁膜、８，８ａ，８ｂ……第２導電層、９ａ，
９ｂ……第３導電層、１０……第１導電層（多結
晶シリコン層）、１５，１５ａ……第１の絶縁層
、１７……絶縁膜、１８ａ，１８ａ′，１８ｂ…
…金属配線層、１９ａ，１９ｂ……第２の金属配
線層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 第１導電型半導体基板の一主面内に選択的
に設けられた第２導電型半導体層と、前記第２導
電型半導体層上に選択的に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた第１導電層と、前記第
１導電層上に第１層間絶縁膜を介して設けられ前
記第２導電型半導体層に連結する第２導電層と、
前記第２導電層上に第２層間絶縁膜を介して設け
られ前記第１導電層と連結する第３導電層とを含
み、前記第１、第３導電層を一方の電極とし前記
第２導電型半導体層及び前記第２導電層を他方の
電極とする容量素子を有することを特徴とする半
導体集積回路。 (2) 第１，第３導電層が第１導電型半導体基体
に接続されている実用新案登録請求の範囲第(1)
項記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13060187U JPS6435759U (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13060187U JPS6435759U (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6435759U true JPS6435759U (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=31385918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13060187U Pending JPS6435759U (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6435759U (ja) |
-
1987
- 1987-08-26 JP JP13060187U patent/JPS6435759U/ja active Pending