JPS6179544U - - Google Patents

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JPS6179544U
JPS6179544U JP16323884U JP16323884U JPS6179544U JP S6179544 U JPS6179544 U JP S6179544U JP 16323884 U JP16323884 U JP 16323884U JP 16323884 U JP16323884 U JP 16323884U JP S6179544 U JPS6179544 U JP S6179544U
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【図面の簡単な説明】
第1図a〜cは本考案の一実施例の拡散系の平
面図、A−A′断面図、B−B′断面図、第2図
a〜cは本考案の一実施例の配線系の平面図、C
−C′断面図、D−D′断面図である。 1…P型半導体基板、2…N型埋込領域、3…
N型領域、4…P型領域、5,6…N型領域、7
…コンタクト、8…第1の絶縁膜、9,9′…第
1の導電層、10…コンタクト、11…第2の絶
縁膜、12…第2の導電層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板のボンデイングパツドを形成する領
    域に複数のエミツタ領域を有するトランジスタ構
    造の拡散領域を設け、その上に層間絶縁膜を介し
    て絶縁された二つの部分から成る導電層を少くと
    も一層設け、該導電層の一方の部分を前記エミツ
    タ領域に選択的に接続の他方の部分をベース領域
    に選択的に接続し、前記導電層の上に絶縁膜を介
    してボンデイングパツドを設け、前記トランジス
    タ構造の拡散領域に生成されるPN接合容量と、
    前記拡散領域と前記導電層との間に生成される容
    量と、前記導電層と前記ボンデイングパツドとの
    間に生成される容量とをすべて並列に接続したこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP16323884U 1984-10-29 1984-10-29 Expired JPH0419808Y2 (ja)

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JP16323884U JPH0419808Y2 (ja) 1984-10-29 1984-10-29

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JPS6179544U true JPS6179544U (ja) 1986-05-27
JPH0419808Y2 JPH0419808Y2 (ja) 1992-05-06

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ID=30721098

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JP16323884U Expired JPH0419808Y2 (ja) 1984-10-29 1984-10-29

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JPH0419808Y2 (ja) 1992-05-06

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