JPS6214753U - - Google Patents

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JPS6214753U
JPS6214753U JP10708085U JP10708085U JPS6214753U JP S6214753 U JPS6214753 U JP S6214753U JP 10708085 U JP10708085 U JP 10708085U JP 10708085 U JP10708085 U JP 10708085U JP S6214753 U JPS6214753 U JP S6214753U
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region
conductivity type
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JP10708085U
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【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図はそれぞれ本考案を説明する
ための断面図、回路図、第3図及び第4図はそれ
ぞれ従来の静電破壊保護素子を示す回路図、断面
図である。 主な図番の説明、1は内部回路、2,7,8は
ダイオード、3は入力端子、4は接地電位点、5
,6は第1及び第2のトランジスタ、16,21
は半導体基板、14,24は島領域、25はベー
ス領域、26はエミツタ領域である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 入力端子と基準電位点との間に挿入される半導
    体集積回路の静電破壊保護素子であつて、一導電
    型半導体基板上に形成した逆導電型のエピタキシ
    ヤル層を島状に分離した島領域と該島領域表面に
    形成した一導電型ベース領域と該ベース領域表面
    に形成した逆導電型のエミツタ領域と前記ベース
    領域と前記エピキタシヤル層とを接続する手段と
    エミツタ領域と前記入力端子とを接続する手段と
    を備え、前記入力端子と前記基準電位点との間に
    は実質的に前記ベース領域と前記エミツタ領域と
    のPN接合及び前記島領域と前記基板とのPN接
    合を挿入したことを特徴とする静電破壊保護素子
JP10708085U 1985-07-12 1985-07-12 Pending JPS6214753U (ja)

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JP10708085U JPS6214753U (ja) 1985-07-12 1985-07-12

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JPS6214753U true JPS6214753U (ja) 1987-01-29

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JP10708085U Pending JPS6214753U (ja) 1985-07-12 1985-07-12

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5696851A (en) * 1979-12-27 1981-08-05 Fujitsu Ltd Static breakdown preventive element

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5696851A (en) * 1979-12-27 1981-08-05 Fujitsu Ltd Static breakdown preventive element

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