JPH02118951U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02118951U JPH02118951U JP2710589U JP2710589U JPH02118951U JP H02118951 U JPH02118951 U JP H02118951U JP 2710589 U JP2710589 U JP 2710589U JP 2710589 U JP2710589 U JP 2710589U JP H02118951 U JPH02118951 U JP H02118951U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parallel
- diode
- pellet
- transistor
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
第１図はこの考案によるトランジスタ半導体の
電気接続図、第２図はこの考案による内部構造の
拡大平面図、第３図はこの考案の内部構造の断面
図、第４図および第５図は、従来のトランジスタ
半導体装置の内部構造の拡大平面図と断面図であ
る。 Ｂはベース電極柱、Ｅはエミツタ電極柱、Ｃは
コレクタ電極柱、ＴＲはトランジスタペレツト、
Ｄ１およびＤ２はダイオードペレツト、Ｄ３およ
びＤ４はトンネルダイオード、１はトランジスタ
ペレツト、１ａはベース部位、１ｂはエミツタ部
位、１ｃはコレクタ部位、１ｄは酸化皮膜部位、
２はベース電極柱、３はエミツタ電極柱、４はコ
レクタ電極柱、５はサブマウント、６は密封用カ
ン、７，１２，１３，１４，１５はリード線、８
はダイオードペレツト、８ａはダイオードペレツ
ト８のＰ形部位、８ｂはダイオードペレツト８の
Ｎ形部位、９はダイオードペレツト、９ａはダイ
オードペレツト９のＰ形部位、９ｂはダイオード
ペレツト９のＮ形部位、１０，１１はトンネルダ
イオードである。なお、図中同一あるいは相当部
分には同一符号を付して示してある。
電気接続図、第２図はこの考案による内部構造の
拡大平面図、第３図はこの考案の内部構造の断面
図、第４図および第５図は、従来のトランジスタ
半導体装置の内部構造の拡大平面図と断面図であ
る。 Ｂはベース電極柱、Ｅはエミツタ電極柱、Ｃは
コレクタ電極柱、ＴＲはトランジスタペレツト、
Ｄ１およびＤ２はダイオードペレツト、Ｄ３およ
びＤ４はトンネルダイオード、１はトランジスタ
ペレツト、１ａはベース部位、１ｂはエミツタ部
位、１ｃはコレクタ部位、１ｄは酸化皮膜部位、
２はベース電極柱、３はエミツタ電極柱、４はコ
レクタ電極柱、５はサブマウント、６は密封用カ
ン、７，１２，１３，１４，１５はリード線、８
はダイオードペレツト、８ａはダイオードペレツ
ト８のＰ形部位、８ｂはダイオードペレツト８の
Ｎ形部位、９はダイオードペレツト、９ａはダイ
オードペレツト９のＰ形部位、９ｂはダイオード
ペレツト９のＮ形部位、１０，１１はトンネルダ
イオードである。なお、図中同一あるいは相当部
分には同一符号を付して示してある。
Claims (1)
- シリコンを素材とするトランジスタ半導体装置
内部の構成において、ベース部位、エミツタ部位
ならびにコレクタ部位を有するトランジスタペレ
ツトと、前記トランジスタペレツトのコレクタ部
位およびエミツタ部位間に並列接続して第１の並
列接続二端子回路を構成する第１のダイオードと
、前記並列接続二端子回路のコレクタ側端子をカ
ソード側にする様直列接続し、かつ負性抵抗特性
を有するトンネルダイオードと、上記トランジス
タペレツトのベース部位およびエミツタ部位間に
並列接続して第２の並列接続二端子回路を構成す
る第２のダイオードと、前記第２の並列接続二端
子回路のベース側端子をカソード側にする様直列
接続し、かつ負性抵抗特性を有するトンネルダイ
オードと、ベース電極とエミツタ電極とコレクタ
電極と前記部品素子を支えるサブマウント部と、
前記ペレツトおよび素子を密封するカンとを具備
したことを特徴とするトランジスタ半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2710589U JPH02118951U (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2710589U JPH02118951U (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118951U true JPH02118951U (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=31249324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2710589U Pending JPH02118951U (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02118951U (ja) |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP2710589U patent/JPH02118951U/ja active Pending
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