JPS5892258A - 集積回路素子 - Google Patents

集積回路素子

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JPS5892258A
JPS5892258A JP56191153A JP19115381A JPS5892258A JP S5892258 A JPS5892258 A JP S5892258A JP 56191153 A JP56191153 A JP 56191153A JP 19115381 A JP19115381 A JP 19115381A JP S5892258 A JPS5892258 A JP S5892258A
Authority
JP
Japan
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wiring
layer
lead
terminal
lead terminal
Prior art date
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Pending
Application number
JP56191153A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Uotani
魚谷　重雄
Masao Nagatomo
長友　正男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP56191153A priority Critical patent/JPS5892258A/ja
Publication of JPS5892258A publication Critical patent/JPS5892258A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は集積回路素子の配線用リード端子の配置に関
するものである。
従来、多層構造の集積回路素子の配線用リード端子の配
置は第１図に示すようなものであった。
図において、（１）は配線用リード端子、（２）　、　
（３）　、　（４）（５）　、　（６）は各々第１層、
第２層、第８層、第４層。
第６層の配線及び活性素子層である。
配線用リード端子（１）は通常、その素子のパッケージ
ングの際、パッケージのリードフレームとの接続用端子
として使用されるが、その接続（ワイヤボンディング）
面積は自効ボンディング装置の精度その他の点から一定
以上の大きさを必要とする。一方、集積回路素子の多層
化、多機能化等に伴ない、−素子当り必要とされる配線
用リード端子の個数は多くなる傾向にあり、従来のよう
に一つの層に配置する方法では面積的にも配線の段差被
覆性等の信頼性上からも限界がある。
この発明は、上記のような点に鑑み、配線用リード端子
を同一層に形成せず、２つ以上の層に分散させて形成す
ることにより上記の従来の欠点を取り除くことを目的と
している。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図で（７）　（８）　（９１αＱＯυは各々、第１層、
第２層。
第８層、第４層、第５層の配線及び活性累子層である。
叩〜Ｑｆ９は配線用リード端子で、このうち（２）０３
　Ｑ４１は各々第１層、第２層、第８層からの配線角リ
ード端子で、これらはいずれも第１層の上に引き出され
ている。Ｑ９は第４層からの配線用リード端子で第４層
・の上に引き出されている。ＣＬＱは第５層からの配線
用リード端子で第５層の上に引き出されている。
第２図の実施例に示すように第４層上にただ１つの配線
用リード端子ａυを引き出し、端子面積を大きくとると
、外部端子との接続を大面積でできる。従って、このリ
ード端子は、単なる配線用リード端子としての機能の他
、この集積回路素子内部で発生する熱の放散用リードと
しての機能にも使える。
また、配線用リード端子Ｑｔ９と配線用リード端子側〜
Ｑ４とを論理レベルの異なる信号ライン別に分けて使っ
て、かつ配線用リード端子Ｑ５の層をグランドライン等
に使うと、信号ラインの８／Ｎマージンの拡大という効
果も期待できる。
上記実施例では、５層の配線層を持った素子について示
したが、゛もちろん５層以外の配線層を持った素子であ
っても上記実施例と同様の効果が得られる。
以上のように、この発明によれば、配線用リード端子を
２層以上の層に分散させて配置したので、配線用リード
端子を１つの梁構回路素子に多く配置することができる
。
また配線用信号の種類毎に分類して各層に配線用リード
端子を設けることができるので、デバイストシての動作
マージン（耐ノイズマージン）。
放熱特性等の改善を期待できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の集積回路素子における配線用リード端子
の配置例を示す要部断面斜視図、第２図はとの発明の一
実施例を示す要部断面斜視図である。 （７）〜Ｑｌ）・・・第１層〜第５層の配線及び活性素
子層、ａｚ〜Ｑ４１・・・第１ａ〜第８層からの配線用
リード端子、０Ｑ・・・第４層からの配線用リード端子
、ＯＱ・・・第６層からの配線用リード端子。 代理人　葛野信−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 多層構造をもつ集積回路素子において、配線用リード端
    子を同一層に形成せず、２つ以上の層に分散させて配置
    したことを特徴とする集積回路素子。
JP56191153A 1981-11-27 1981-11-27 集積回路素子 Pending JPS5892258A (ja)

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JP56191153A JPS5892258A (ja) 1981-11-27 1981-11-27 集積回路素子

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JP56191153A JPS5892258A (ja) 1981-11-27 1981-11-27 集積回路素子

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JPS5892258A true JPS5892258A (ja) 1983-06-01

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ID=16269775

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JP56191153A Pending JPS5892258A (ja) 1981-11-27 1981-11-27 集積回路素子

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62237748A (ja) * 1986-04-08 1987-10-17 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS63124540A (ja) * 1986-11-14 1988-05-28 Nec Corp 半導体装置
US5216280A (en) * 1989-12-02 1993-06-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device having pads at periphery of semiconductor chip

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5081475A (ja) * 1973-11-19 1975-07-02
JPS56126956A (en) * 1980-03-11 1981-10-05 Fujitsu Ltd Semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5081475A (ja) * 1973-11-19 1975-07-02
JPS56126956A (en) * 1980-03-11 1981-10-05 Fujitsu Ltd Semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62237748A (ja) * 1986-04-08 1987-10-17 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS63124540A (ja) * 1986-11-14 1988-05-28 Nec Corp 半導体装置
US5216280A (en) * 1989-12-02 1993-06-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device having pads at periphery of semiconductor chip

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