JPH0458713B2 - - Google Patents
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- JPH0458713B2 JPH0458713B2 JP6371482A JP6371482A JPH0458713B2 JP H0458713 B2 JPH0458713 B2 JP H0458713B2 JP 6371482 A JP6371482 A JP 6371482A JP 6371482 A JP6371482 A JP 6371482A JP H0458713 B2 JPH0458713 B2 JP H0458713B2
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- JP
- Japan
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- light
- photoelectric conversion
- semiconductor element
- conversion device
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電変換素子を絶縁基板上に搭載し、
これを金属層パターン配線により外部導出すると
共に、前記素子の周辺に光の不透過壁をあらかじ
め成型付設した光電変換装置に関するものであ
る。
これを金属層パターン配線により外部導出すると
共に、前記素子の周辺に光の不透過壁をあらかじ
め成型付設した光電変換装置に関するものであ
る。
従来、第１図に従来の光電変換装置の断面図で
示すように、発光素子１と受光素子２を併置して
ハウジングケース３に一体化した光電変換装置が
実用化されている。しかし、最近、取り付け場所
が高密度化されるにつれて、より小形化、より薄
形化が要望されており、上述の従来装置では設置
できない狭いスペースに所望の光電変換装置をお
さめる必要がでてきた。
示すように、発光素子１と受光素子２を併置して
ハウジングケース３に一体化した光電変換装置が
実用化されている。しかし、最近、取り付け場所
が高密度化されるにつれて、より小形化、より薄
形化が要望されており、上述の従来装置では設置
できない狭いスペースに所望の光電変換装置をお
さめる必要がでてきた。
本発明はこのような問題を一掃し、一層の高密
度実装を可能にする光電変換装置を提供するもの
である。
度実装を可能にする光電変換装置を提供するもの
である。
以下、本発明の光電変換装置の実施例を示す。
第２図はその要部の平面図、第３図、第４図は
それぞれのＡ−A′、Ｂ−B′断面図を示すもので
ある。本実施例の光電変換装置は発光素子のチツ
プ４と受光素子のチツプ５を搭載した絶縁基板６
に、これらの各素子に電気接線するための金属層
パターン７が配線してある。発光素子のチツプ４
と受光素子のチツプ５の搭載部周辺にはシリコン
ゴムで形成された光の不透過壁８があらかじめ基
板６に成型付設してある。発光素子のチツプ４と
受光素子のチツプ５の表面には保護のため耐水性
の良好な樹脂９を封止してある。金属層パターン
７は外部端子パツド１０に接続してあり、外部か
らのリード線の半田付けもしくはコネクタ接続さ
れる。尚、１１，１２は電極である。
それぞれのＡ−A′、Ｂ−B′断面図を示すもので
ある。本実施例の光電変換装置は発光素子のチツ
プ４と受光素子のチツプ５を搭載した絶縁基板６
に、これらの各素子に電気接線するための金属層
パターン７が配線してある。発光素子のチツプ４
と受光素子のチツプ５の搭載部周辺にはシリコン
ゴムで形成された光の不透過壁８があらかじめ基
板６に成型付設してある。発光素子のチツプ４と
受光素子のチツプ５の表面には保護のため耐水性
の良好な樹脂９を封止してある。金属層パターン
７は外部端子パツド１０に接続してあり、外部か
らのリード線の半田付けもしくはコネクタ接続さ
れる。尚、１１，１２は電極である。
本実施例の光電変換装置を製造するにあたつて
は、まず発光素子および受光素子のチツプを搭載
する絶縁基板６に金属層パターン７を配線してお
き、シリコンゴムでできた光の不透過壁８を成
型・付設しておく。次に、基板６の素子搭載部に
発光素子のチツプ４および受光素子のチツプ５を
マウントし、Agペーストで基板の金属層パタン
と電気接続をおこないながら固定する。ワイヤボ
ンデイングによりチツプ４，５の各電極部とパタ
ーン層の電極１１，１２にそれぞれワイヤー１３
にて接続する。尚、電極１１，１２は基板６の金
属層パターン配線７と電気接続されている。前記
のボンデイング用ワイヤ１３保護のため耐水性の
良好な樹脂９をチツプ４，５の表面に封止する。
本実施例の光の不透過壁８として、ポリカーボネ
イトやノリルなどの不透過性樹脂を用いることが
出来る。また、光の不透過壁８は光電変換素子
４，５固定後に基板に付設してもさしつかえな
い。
は、まず発光素子および受光素子のチツプを搭載
する絶縁基板６に金属層パターン７を配線してお
き、シリコンゴムでできた光の不透過壁８を成
型・付設しておく。次に、基板６の素子搭載部に
発光素子のチツプ４および受光素子のチツプ５を
マウントし、Agペーストで基板の金属層パタン
と電気接続をおこないながら固定する。ワイヤボ
ンデイングによりチツプ４，５の各電極部とパタ
ーン層の電極１１，１２にそれぞれワイヤー１３
にて接続する。尚、電極１１，１２は基板６の金
属層パターン配線７と電気接続されている。前記
のボンデイング用ワイヤ１３保護のため耐水性の
良好な樹脂９をチツプ４，５の表面に封止する。
本実施例の光の不透過壁８として、ポリカーボネ
イトやノリルなどの不透過性樹脂を用いることが
出来る。また、光の不透過壁８は光電変換素子
４，５固定後に基板に付設してもさしつかえな
い。
次に、本発明の光電変換装置の他の実施例を示
す。第５図は要部の平面図、第６図、第７図はそ
れぞれそのＣ−C′、Ｄ−D′断面図を示す図であ
る。第５図〜第６図において、第２図〜第４図と
同一番号は同一部分を示す。本実施例の装置は受
光素子等のチツプ５，６を２個搭載した絶縁基板
６に電気接続のため金属層パターン７が配線して
あり、素子５のチツプをそれぞれ絶縁基板上の所
定の位置に配設し、同素子に対して周辺に光の不
透過壁を形成するようなスルーホールを有する基
板１４を前記基板に一体化して形成してある。金
属層パターン７は外部導出端子パツド１０に接続
してある。受光素子のチツプ５と金属層パターン
７の電極１１，１２との間はワイヤ１３により電
気接続されている。受光素子等のチツプ５，６の
表面には保護のため耐水性の良好な樹脂９で封止
してある。本実施例において、ワイヤ保護のため
の樹脂９をレンズ状に封止すると指向性が鋭くな
り検出分解能は良くなる。単体レンズを付設する
とさらに検出分解能が向上するのはいうまでもな
い。また、封止樹脂９として可視光カツト樹脂を
用いると外来光ノイズに対するＳ／Ｎ比が向上す
る。
す。第５図は要部の平面図、第６図、第７図はそ
れぞれそのＣ−C′、Ｄ−D′断面図を示す図であ
る。第５図〜第６図において、第２図〜第４図と
同一番号は同一部分を示す。本実施例の装置は受
光素子等のチツプ５，６を２個搭載した絶縁基板
６に電気接続のため金属層パターン７が配線して
あり、素子５のチツプをそれぞれ絶縁基板上の所
定の位置に配設し、同素子に対して周辺に光の不
透過壁を形成するようなスルーホールを有する基
板１４を前記基板に一体化して形成してある。金
属層パターン７は外部導出端子パツド１０に接続
してある。受光素子のチツプ５と金属層パターン
７の電極１１，１２との間はワイヤ１３により電
気接続されている。受光素子等のチツプ５，６の
表面には保護のため耐水性の良好な樹脂９で封止
してある。本実施例において、ワイヤ保護のため
の樹脂９をレンズ状に封止すると指向性が鋭くな
り検出分解能は良くなる。単体レンズを付設する
とさらに検出分解能が向上するのはいうまでもな
い。また、封止樹脂９として可視光カツト樹脂を
用いると外来光ノイズに対するＳ／Ｎ比が向上す
る。
本発明は発光素子等のチツプを１個以上基板に
併置したり、発光素子等のチツプ１個と受光素子
のチツプ２個を基板に併置したりすることも容易
にできることは云うまでもない。
併置したり、発光素子等のチツプ１個と受光素子
のチツプ２個を基板に併置したりすることも容易
にできることは云うまでもない。
以上のように、本発明に係る光電変換装置は絶
縁基板上に形成された金属パターン上に発光素子
等のチツプを積層する構造なので非常に小形化、
薄形化できることから、取り付け場所の制約され
た機器内部にも実装することが可能であり、従来
の光電変換装置では不可能とされていたせまい空
間への実装ができる。また、本発明では光不透過
壁を用いることにより、横方向への光もれを容易
に防止でき、誤動作のない光電変換装置を提供す
ることができる。
縁基板上に形成された金属パターン上に発光素子
等のチツプを積層する構造なので非常に小形化、
薄形化できることから、取り付け場所の制約され
た機器内部にも実装することが可能であり、従来
の光電変換装置では不可能とされていたせまい空
間への実装ができる。また、本発明では光不透過
壁を用いることにより、横方向への光もれを容易
に防止でき、誤動作のない光電変換装置を提供す
ることができる。
第１図は従来の光電変換装置の構造図、第２図
は本発明の一実施例である光電変換装置の概略平
面図、第３図、第４図はそれぞれ第２図のＡ−
A′線、Ｂ−B′線断面図、第５図は本発明の他の
実施例にかかる光電変換装置の概略平面図、第６
図、第７図はそれぞれ第５図のＣ−C′線、Ｄ−
D′線断面図である。 ４……発光素子、５……受光素子、６……絶縁
基板、７……金属層パターン、８……光の不透過
壁、９……封止樹脂、１０……端子パツド、１１
……電極、１２……電極、１３……ワイヤ。
は本発明の一実施例である光電変換装置の概略平
面図、第３図、第４図はそれぞれ第２図のＡ−
A′線、Ｂ−B′線断面図、第５図は本発明の他の
実施例にかかる光電変換装置の概略平面図、第６
図、第７図はそれぞれ第５図のＣ−C′線、Ｄ−
D′線断面図である。 ４……発光素子、５……受光素子、６……絶縁
基板、７……金属層パターン、８……光の不透過
壁、９……封止樹脂、１０……端子パツド、１１
……電極、１２……電極、１３……ワイヤ。
Claims (1)
- １ 金属層で配線パターンの形成された絶縁基板
上の各所定位置に発光半導体素子及び受光半導体
素子を、それぞれ、個別に搭載して前記配線パタ
ーンに導電接続すると共に、あらかじめ成型加工
された、前記発光半導体素子及び前記受光半導体
素子を互いに隔離する壁を持つ光不透過性樹脂に
よる壁枠体で、前記発光半導体素子及び前記受光
半導体素子を囲み、かつ、前記壁枠体内の両素子
を、それぞれ、透明樹脂でレンズ状に封止したこ
とを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063714A JPS58180075A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063714A JPS58180075A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180075A JPS58180075A (ja) | 1983-10-21 |
| JPH0458713B2 true JPH0458713B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=13237324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57063714A Granted JPS58180075A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180075A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0452327U (ja) * | 1990-09-11 | 1992-05-01 | ||
| US5122943A (en) * | 1991-04-15 | 1992-06-16 | Miles Inc. | Encapsulated light emitting diode and method for encapsulation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616963B2 (ja) * | 1975-07-11 | 1981-04-20 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616963U (ja) * | 1979-07-18 | 1981-02-14 |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP57063714A patent/JPS58180075A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616963B2 (ja) * | 1975-07-11 | 1981-04-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58180075A (ja) | 1983-10-21 |
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