JPS58180075A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS58180075A JPS58180075A JP57063714A JP6371482A JPS58180075A JP S58180075 A JPS58180075 A JP S58180075A JP 57063714 A JP57063714 A JP 57063714A JP 6371482 A JP6371482 A JP 6371482A JP S58180075 A JPS58180075 A JP S58180075A
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Classifications
-
- H01L31/12—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明（・１光電縫換素子を絶縁基板上に搭載し、これ
を金属層パターン配線により外部導出すると］（に、旧
記索頂の周辺に光の不逃過壁をあらかしめ成型付設した
光電変換装置に関するものである。
を金属層パターン配線により外部導出すると］（に、旧
記索頂の周辺に光の不逃過壁をあらかしめ成型付設した
光電変換装置に関するものである。
従来、第１図に従来の光電変換装置の断面図で示すよう
に、発光素子１と受光素子２を併置してハウジングケー
ス３に一体化した光電変換装置が実用化さ扛ている。し
かし、最近、取り付は場所が高密度化されるにつれて、
よシ小形化、より薄形化が要望されておシ、上述の従来
装置では設置できない狭いスペースに所望の光電変換装
置をおさめる必要がでてきた。
に、発光素子１と受光素子２を併置してハウジングケー
ス３に一体化した光電変換装置が実用化さ扛ている。し
かし、最近、取り付は場所が高密度化されるにつれて、
よシ小形化、より薄形化が要望されておシ、上述の従来
装置では設置できない狭いスペースに所望の光電変換装
置をおさめる必要がでてきた。
本発明はこのような問題を一掃し、一層の高密度実装を
可能にする光電変換装置を提供するものである。
可能にする光電変換装置を提供するものである。
以下１本発明の光電変換装置の実施例を示す。
第２図はその要部の平面図、第３図、第４図はそｔぞれ
そのムーＡ’、Ｂ−Ｂ’断面図を示すものである。本実
施例の光電変換装置は発光素子のチップ４と受光素子の
チップ６を搭載した絶縁基板６に。
そのムーＡ’、Ｂ−Ｂ’断面図を示すものである。本実
施例の光電変換装置は発光素子のチップ４と受光素子の
チップ６を搭載した絶縁基板６に。
これらの各素子に電気接線するだめの金属層パターン７
が配線しである。発光素子のチップ４と受光素子のチッ
プ６の搭載部周辺にはシリコンゴムで形成された光の不
透過壁８があらかじめ基板６に成型付設しである。発光
素子のチップ４と受光素子のチップ６０表面には保護の
ため耐水性の良好な樹脂９を封止しである。金属層パタ
ーン７は外部導出端子パッド１０に接続してあり、外部
からのリード線の半田付けもしくはコネクタ接続される
。尚−１１，１２は重重である。
が配線しである。発光素子のチップ４と受光素子のチッ
プ６の搭載部周辺にはシリコンゴムで形成された光の不
透過壁８があらかじめ基板６に成型付設しである。発光
素子のチップ４と受光素子のチップ６０表面には保護の
ため耐水性の良好な樹脂９を封止しである。金属層パタ
ーン７は外部導出端子パッド１０に接続してあり、外部
からのリード線の半田付けもしくはコネクタ接続される
。尚−１１，１２は重重である。
本実施例の光電変換装置を製造するにあたっては、まず
発光素子および受光素子のチップを搭載する絶縁基板６
に金属層パターン７を配線しておき、シリコンゴムでで
きた光の不透過壁８を成型・付設しておく。次に、基板
６の素子搭載部に発光素子のチップ４および受光素子の
チップ５をマウントし、Ａｇペーストで基板の金属層バ
タンと電気接続をおこないながら固定する。ワイヤボン
ディングによりチップ４，５の各電極部とパターン層の
電極１１．１２にそれぞれワイヤー１３にて接続する。
発光素子および受光素子のチップを搭載する絶縁基板６
に金属層パターン７を配線しておき、シリコンゴムでで
きた光の不透過壁８を成型・付設しておく。次に、基板
６の素子搭載部に発光素子のチップ４および受光素子の
チップ５をマウントし、Ａｇペーストで基板の金属層バ
タンと電気接続をおこないながら固定する。ワイヤボン
ディングによりチップ４，５の各電極部とパターン層の
電極１１．１２にそれぞれワイヤー１３にて接続する。
面、電極１１．１２は基板６の金属層パターン配線了と
電気接続されている。前記のボンティングＪ月ワイヤ１
３保護のため耐水性の良好な樹脂９をチップ４，６の表
面に封止する。本実施例の光の不透過壁８として、ポリ
カーボネイトやノリルなどの不透過性樹脂を用いること
が出来る。また、光の不透過壁８は光電変換素子４，６
固定後に基板に付設してもさしつかえない。
電気接続されている。前記のボンティングＪ月ワイヤ１
３保護のため耐水性の良好な樹脂９をチップ４，６の表
面に封止する。本実施例の光の不透過壁８として、ポリ
カーボネイトやノリルなどの不透過性樹脂を用いること
が出来る。また、光の不透過壁８は光電変換素子４，６
固定後に基板に付設してもさしつかえない。
次に、本発明の光電変換装置の他の実施例を示す。第６
図は要部の平面図、第６図、第７図はそれぞれそのＣ−
Ｃ’、Ｄ−Ｄ’断面図を示す図である。
図は要部の平面図、第６図、第７図はそれぞれそのＣ−
Ｃ’、Ｄ−Ｄ’断面図を示す図である。
第５図〜第６図において、第２図〜第４図と同一番号は
同一部分を示す。本実施例の装置は受光素子等のチップ
５．６’ｉｉ２個搭載した絶縁基板６に電気接続のため
金属層パターン７が配線してあり、素子６のチップをそ
れぞれ絶縁基板上の所定の位置に配設し、同素子に対し
て周辺に光の不透過壁を形成するようなスルーホールを
有する基板１４を前記基板に一体化して形成しである。
同一部分を示す。本実施例の装置は受光素子等のチップ
５．６’ｉｉ２個搭載した絶縁基板６に電気接続のため
金属層パターン７が配線してあり、素子６のチップをそ
れぞれ絶縁基板上の所定の位置に配設し、同素子に対し
て周辺に光の不透過壁を形成するようなスルーホールを
有する基板１４を前記基板に一体化して形成しである。
金属層パターン７は外部導出端子パッド１ｏに接続して
あ處 る。受光素子のチップ６と金属層パターン７の電極１１
．１２との間はワイヤー３により電気接続さ扛ている。
あ處 る。受光素子のチップ６と金属層パターン７の電極１１
．１２との間はワイヤー３により電気接続さ扛ている。
受光素子等のチップ６．６０表面には保護のため耐水性
の良好な樹脂９で封止しである。本実施例において、ワ
イヤ保護のための樹脂９をレンズ状に封止すると指向性
が鋭くなり検出分解卵は良くなる。単体レンズを付設す
るとさらに検出分解能が向上するのはいうまでもない。
の良好な樹脂９で封止しである。本実施例において、ワ
イヤ保護のための樹脂９をレンズ状に封止すると指向性
が鋭くなり検出分解卵は良くなる。単体レンズを付設す
るとさらに検出分解能が向上するのはいうまでもない。
また、封止樹脂９として可視光カット樹脂を用いると外
来光ノイズに対するＳ／Ｎ比が向上する。
来光ノイズに対するＳ／Ｎ比が向上する。
本発明は発光素子等のチップを１個以上基板に併置した
り、発光素子等のチップ１個と受光素子のチップ２個を
基板に併置したりすることも容易にできることは云うま
でもない。
り、発光素子等のチップ１個と受光素子のチップ２個を
基板に併置したりすることも容易にできることは云うま
でもない。
以上のように、本発明に係る光電変換装置は絶縁基板上
に形成された金属パターン上に発光素子等のチップを積
層する構造なので非常に小形化。
に形成された金属パターン上に発光素子等のチップを積
層する構造なので非常に小形化。
薄形化できることから、取り付は場所の制約された機器
内部にも実装することが可能であり、従来の光電変換装
置では不可能とされてｌ／−またせまい空間への実装が
できる。また、本発明では光不透過璧を用いることによ
り、横方向への光もれを容易に防上でき、誤動作のない
光電変換装置を提供することかできる。
内部にも実装することが可能であり、従来の光電変換装
置では不可能とされてｌ／−またせまい空間への実装が
できる。また、本発明では光不透過璧を用いることによ
り、横方向への光もれを容易に防上でき、誤動作のない
光電変換装置を提供することかできる。
第１図は従来の光電変換装置の構造図、第２図は本発明
の一実施例である光電変換装置の概略平面図、第３図、
第４図はそれぞれ第２図のＡ −Ａ’線、Ｂ −Ｂ’線
断面図、第５図は本発明の他の実施例にかかる光電変換
装置の概略平面図、第６図。 第７図はそれぞれ第５図のｃ −ｃ’線、Ｄ−Ｄ’線断
面図である。 ４・・・・・・発光素子、６・・・・・・受光素子、６
・・・・・・絶縁基板、７・・・・・・金属層パターン
、８・・・・・・光の不透過壁、９・・・・・・封止樹
脂−１０・・・・・・端子パッド、１１・・・・・・電
極−１２・・・・・・電極、１３・・・・・・ワイヤ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第５図 第６図
の一実施例である光電変換装置の概略平面図、第３図、
第４図はそれぞれ第２図のＡ −Ａ’線、Ｂ −Ｂ’線
断面図、第５図は本発明の他の実施例にかかる光電変換
装置の概略平面図、第６図。 第７図はそれぞれ第５図のｃ −ｃ’線、Ｄ−Ｄ’線断
面図である。 ４・・・・・・発光素子、６・・・・・・受光素子、６
・・・・・・絶縁基板、７・・・・・・金属層パターン
、８・・・・・・光の不透過壁、９・・・・・・封止樹
脂−１０・・・・・・端子パッド、１１・・・・・・電
極−１２・・・・・・電極、１３・・・・・・ワイヤ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第５図 第６図
Claims (3)
- （１）絶縁基板の所定部に素子搭載部と電気的接続用配
線をそなえ、発光素子もしくは受光素子のチップを載置
した前記素子搭載部周辺に光の不透過壁を付設したこと
を特徴とする光電変換装置。 - （２）素子搭載部に載置された発光素子もしくは受光素
子のチップ上に封止樹脂が形成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の光゛屯変換装置。 - （３）光の不透過壁がシリコンゴム、ポリカーボネイト
等の樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲λＳ１
項又は第２項に記載の光′市変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063714A JPS58180075A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063714A JPS58180075A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180075A true JPS58180075A (ja) | 1983-10-21 |
| JPH0458713B2 JPH0458713B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=13237324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57063714A Granted JPS58180075A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180075A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0452327U (ja) * | 1990-09-11 | 1992-05-01 | ||
| KR100299720B1 (ko) * | 1991-04-15 | 2001-10-22 | 스티븐 비. 페이지 | 표유광감소를위해캡슐화된발광다이오드,및표유광감소방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616963U (ja) * | 1979-07-18 | 1981-02-14 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529349A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Dielectric focusing horn |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP57063714A patent/JPS58180075A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616963U (ja) * | 1979-07-18 | 1981-02-14 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0452327U (ja) * | 1990-09-11 | 1992-05-01 | ||
| KR100299720B1 (ko) * | 1991-04-15 | 2001-10-22 | 스티븐 비. 페이지 | 표유광감소를위해캡슐화된발광다이오드,및표유광감소방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458713B2 (ja) | 1992-09-18 |
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