JPS5994886A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS5994886A
JPS5994886A JP57205721A JP20572182A JPS5994886A JP S5994886 A JPS5994886 A JP S5994886A JP 57205721 A JP57205721 A JP 57205721A JP 20572182 A JP20572182 A JP 20572182A JP S5994886 A JPS5994886 A JP S5994886A
Authority
JP
Japan
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light emitting
light receiving
emitting element
receiving element
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP57205721A
Other languages
English (en)
Inventor
Masami Kato
加藤 正美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5994886A publication Critical patent/JPS5994886A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に光結合素子
の製造方法に関する。
従来、光結合素子は、発光・受光の各素子を個別に単体
として製造し、それを必要な形状を有するケースに接着
剤等をもちいて組み込み光結合素子として機能させるも
のであった。
然し乍ら、この方法では、特別なケースをもちいるため
形状が大きいこと、単体素子とケースとの位置精度が必
要なこと、単体素子、ケースを個別につくる為に、多く
の複雑な工数を必要とする等の欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、基板上に直接に発
光素子及び受光素子を搭載することにより、小型、平面
型で、かつ製造工数の低減をはかることのできる半導体
装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁基板に半導体素
子搭載領域を二つと、該領域の各々に接続する配線及び
該領域の各々に近接する配線と、該配線に接続する外部
引出し用端子とを形成する工程と、前記半導体素子搭載
領域の一つに発光素子を他方に受光素子を搭載し、各々
の素子の電極と前記配線とを結線する工程と、前記発光
素子及び受光素子を透明絶縁体で被覆保護する工程と、
前記発光素子及び受光素子の各々の上に反射板を設ける
工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図乃至第4図は本発明の一実施例を説明するだめの
平面図及び断面図である。
まず、第1図に示すように、ガラスエポキシ等の絶縁体
で凹字形に作られた絶縁基板1を準備する。絶縁基板1
にはあとで反射板を取付けるための穴2が設けられてい
る。この絶縁基板10表面に二つの半導体素子搭載領域
3,4、この領域に接続する配線5、この領域に接続せ
ず、かつポンディングパッド7を有する配線6をメッキ
等の方法で形成する。配線5,6は基板端部まで伸び、
基板端部で端子8を半田付は等の方法で取付ける。
次に、第2図に示すように、発光素子9、受光素子10
を半導体素子搭載領域に半田あるいは銀ペースト等の導
電性接着剤で固着する。発光素子9、受光素子10の各
電極とポンディングパッド7とを金属細線11でボンデ
ィング結線する。
次に、第3図に示すように、透明な樹脂12で発光素子
9、受光素子10、金属細線11を覆ってキュアー処理
して保護する。
次に、第4図に示すように、反射板13を基板の穴2に
取付ける。反射板13を取付けることによシ、発光素子
及び受光素子の効率を向上させることができる。
このようにして、−板の基板上に発光素子と受光素子と
が搭載され、小型、平面型の光結合素子を少ない製造工
数で作ることができる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、一枚の基
板に発光素子と受光素子とを搭載した小型、平面型の半
導体装置を少ない工数で製造することができるのでその
効果は太きい。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は本発明の一実施例を説明するための
主な工程における平面図及び断面図である。 1・・・・・・絶縁基板、2・・・・・・穴、3,4・
・・・・・半導体素子搭載領域、5,6・・・・・・配
線、7・・・・・・ポンディングパッド、8・・・・・
・端子、9・・・・・・発光素子、10・・・・・・受
光素子、11・・・・・・金属細線、12・・・・・・
透明樹脂、13・・・・・・反射板。 390 寥11¥] 茅211U 療3回 )4−配

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基板に半導体素子搭載領域を二つと、該領域の各々
    に接続する配線及び該領域の各々に近接する配線と、該
    配線に接続する外部引出し用端子とを形成する工程と、
    前記半導体素子搭載領域の一つに発光素子を他方に受光
    素子を搭載し、各々の素子の電極と前記配線とを結線す
    る工程と、前記発光素子及び受光素子を透明絶縁体で被
    覆保護する工程と、前記発光素子及び受光素子の各々の
    上に反射板を設ける工程とを含むニヒト特清ヒ13″4
    番体を置の鴨輩も迄。
JP57205721A 1982-11-24 1982-11-24 半導体装置の製造方法 Pending JPS5994886A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4933729A (en) * 1985-11-21 1990-06-12 Nec Corporation Photointerrupter
US20150176779A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electronic component mounting system, electronic component mounting method, and electronic component mounting machine

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