JPS5972184A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS5972184A JPS5972184A JP57182578A JP18257882A JPS5972184A JP S5972184 A JPS5972184 A JP S5972184A JP 57182578 A JP57182578 A JP 57182578A JP 18257882 A JP18257882 A JP 18257882A JP S5972184 A JPS5972184 A JP S5972184A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電変換装置に関するものであり、特に耐環境
性の向上、構造の単純化、取扱いの容易さ、量産性の向
上を達成する装置構造に関するものである。
性の向上、構造の単純化、取扱いの容易さ、量産性の向
上を達成する装置構造に関するものである。
従来、単結晶シリコン基板に拡散等によりＰＮ接合を形
成し、いわゆるフ」トダイオード等からなる光電変換素
子の出力を取出しこの単結晶シリコン基板から外部へＡ
ＩやＡｕ線によるワイヤーボンディングでおこなってい
たが、量産性の面において十分でなく、複雑な構造のも
のでは取り扱いがめんどうであり、又このＡＮやＡｕ線
も２５〜５０μと非常に細く取り扱い時断線等の細心の
注意が必要であった。又前記の構造では量産性の面で問
題があり、コストの上昇になってしまっているのが現状
である。
成し、いわゆるフ」トダイオード等からなる光電変換素
子の出力を取出しこの単結晶シリコン基板から外部へＡ
ＩやＡｕ線によるワイヤーボンディングでおこなってい
たが、量産性の面において十分でなく、複雑な構造のも
のでは取り扱いがめんどうであり、又このＡＮやＡｕ線
も２５〜５０μと非常に細く取り扱い時断線等の細心の
注意が必要であった。又前記の構造では量産性の面で問
題があり、コストの上昇になってしまっているのが現状
である。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
のであり、その特徴は外部への電極の取出しの単純化、
耐環境性の向上、及び小型化により量産性、コストの低
減の可能な光電変換装置を提供する事を目的とするもの
である。
のであり、その特徴は外部への電極の取出しの単純化、
耐環境性の向上、及び小型化により量産性、コストの低
減の可能な光電変換装置を提供する事を目的とするもの
である。
そのため本発明では、少なくとも光導入部分が透明状部
材で構成された基板と、この基板の一生面上に形成され
た外部取出し電極及び前記光導入部分と前記外部取出し
電極を囲むように形成された第１の接着部と、前記基板
中の前記光導入部と対応配置される光電変換部が形成さ
れた光電変換素子と、この光電変換素子の一主面上に形
成され、前記光電変換部から引出されて前記外部取出し
電極と接着される引出し電極と、前記光電変換素子の一
十面上において前記光電変換部と前記引出し電極を囲む
ように形成されて前記第１の接着部と接着される第２の
接着部とを設けたことを特徴とする。
材で構成された基板と、この基板の一生面上に形成され
た外部取出し電極及び前記光導入部分と前記外部取出し
電極を囲むように形成された第１の接着部と、前記基板
中の前記光導入部と対応配置される光電変換部が形成さ
れた光電変換素子と、この光電変換素子の一主面上に形
成され、前記光電変換部から引出されて前記外部取出し
電極と接着される引出し電極と、前記光電変換素子の一
十面上において前記光電変換部と前記引出し電極を囲む
ように形成されて前記第１の接着部と接着される第２の
接着部とを設けたことを特徴とする。
次に本発明をよりよく理解するために図に示す一実施例
を用いて具体的に説明する。まず第１図、第２図につい
て説明する。絶縁基板としてたとえばアルミナ基板１等
に所定の大きさの穴２をあける。引続きスクリーン印刷
等の手法により導体層３を例えば銀パラジウム系の導体
ペーストを用いて形成する。次に所定の部所、すなわち
後の工程でハンダ層を形成する部所以外の前面にガラス
等の絶縁体部４を形成し導体層３を部分的に被覆する。
を用いて具体的に説明する。まず第１図、第２図につい
て説明する。絶縁基板としてたとえばアルミナ基板１等
に所定の大きさの穴２をあける。引続きスクリーン印刷
等の手法により導体層３を例えば銀パラジウム系の導体
ペーストを用いて形成する。次に所定の部所、すなわち
後の工程でハンダ層を形成する部所以外の前面にガラス
等の絶縁体部４を形成し導体層３を部分的に被覆する。
引続き導体ペーストの印刷等で第１の接着部５が形成さ
れる。また導体層３と接続した外部取出しの電極部６も
形成される。この時導体１１３と第１の接着部５は絶縁
体部４により各々電気的に絶縁されている。さらに第１
の接着部５と外部取出し用の電極部６及び外部引出し端
子７上にハンダ層８を形成したものである。この際、各
部所５．６のハンダ層８の高さの盛り上がりが水平面内
でほぼ同一レベルになるように各部所５．６０寸法形状
をｍ整しておく。
れる。また導体層３と接続した外部取出しの電極部６も
形成される。この時導体１１３と第１の接着部５は絶縁
体部４により各々電気的に絶縁されている。さらに第１
の接着部５と外部取出し用の電極部６及び外部引出し端
子７上にハンダ層８を形成したものである。この際、各
部所５．６のハンダ層８の高さの盛り上がりが水平面内
でほぼ同一レベルになるように各部所５．６０寸法形状
をｍ整しておく。
次に第３図、第４図について説明すると、たとえば１〜
２Ω・ｃｍＮ型単結晶シリコン基板１０１にＰ型である
ボロンを拡散して光電変換部としてフォトダイオード１
０２を形成し、配線層としてＡ１等を蒸着形成したのち
、その上部に５ｉ０２、Ｓ ｉ ３ Ｎ ４等の絶縁体
層１０３を形成した。この絶縁体層１０３上には前記フ
ォトダイオード１０２を取り囲むように第２の接着部１
０４を形成した。この第２の接着部１０４の内側部分に
は前記光電変換部としてのフォトダイオード１０２から
の外部引出し電極１０５を形成した。この第２の接着部
１０４及び外部引出し７電極１０５は、Ａ７！−Ｔｉ−
Ｃｕ等の蒸着層を部分的にエツチング及びメッキをおこ
なって形成した。そして、この第２の接着部１０４及び
外部引出し電極１０５にハンダ層１０６を形成したもの
である。
２Ω・ｃｍＮ型単結晶シリコン基板１０１にＰ型である
ボロンを拡散して光電変換部としてフォトダイオード１
０２を形成し、配線層としてＡ１等を蒸着形成したのち
、その上部に５ｉ０２、Ｓ ｉ ３ Ｎ ４等の絶縁体
層１０３を形成した。この絶縁体層１０３上には前記フ
ォトダイオード１０２を取り囲むように第２の接着部１
０４を形成した。この第２の接着部１０４の内側部分に
は前記光電変換部としてのフォトダイオード１０２から
の外部引出し電極１０５を形成した。この第２の接着部
１０４及び外部引出し７電極１０５は、Ａ７！−Ｔｉ−
Ｃｕ等の蒸着層を部分的にエツチング及びメッキをおこ
なって形成した。そして、この第２の接着部１０４及び
外部引出し電極１０５にハンダ層１０６を形成したもの
である。
引続き、前記のようにハンダ層８を形成したアルミナ基
板１を熱板上におきハンダ層８を溶かしておき、このア
ルミナ基板１上にハンダ層１０６を形成した単結晶シリ
コン基板１０１を両ハンダ層が一致するようにして乗せ
る事により、第１の接着部５とｆｆ１２の接着部１０４
をハンダ層８．１０６を接着材として気密性をもって接
着することによって隔壁を形成するとともに、フォトダ
イオード１０２への電気的接続をおこなうために導体層
３に接続した電極部６と外部引出し電極１０５も同様に
ハンダＦ１８．１０６でもって同時に接続した。
板１を熱板上におきハンダ層８を溶かしておき、このア
ルミナ基板１上にハンダ層１０６を形成した単結晶シリ
コン基板１０１を両ハンダ層が一致するようにして乗せ
る事により、第１の接着部５とｆｆ１２の接着部１０４
をハンダ層８．１０６を接着材として気密性をもって接
着することによって隔壁を形成するとともに、フォトダ
イオード１０２への電気的接続をおこなうために導体層
３に接続した電極部６と外部引出し電極１０５も同様に
ハンダＦ１８．１０６でもって同時に接続した。
清浄な雰囲気で使用するときは基＠１の穴２にフィルタ
ー等は取付けなくも可能であるが、一般的にはアルミナ
基板１にあけた穴２に可視光、紫外光等には例えば石英
ガラス２０１を、赤外光に対してはＳｔ板２０１を、透
明部又はフィルターの透明状部材として接着した。本実
施例では洗浄等の取り扱いの容易さからこの透明部又は
フィルターを光電変換素子を取付けた後おこなったが、
予めアルミナ基板１等に付けておいてもよい。また透明
状の基板１を用い、光導入部以外に不透明膜を設けるよ
うにしてもよい。引続き、リードピン２０２を外部引出
し端子７に接続した。このリードピン２０２はアルミナ
基板１等の両面から電気的接続が可能となるようにほぼ
同じ長さになるようにしである。本実施例ではリードピ
ンを使ったがエッヂクリップ、又はワイヤーのみでもよ
い。
ー等は取付けなくも可能であるが、一般的にはアルミナ
基板１にあけた穴２に可視光、紫外光等には例えば石英
ガラス２０１を、赤外光に対してはＳｔ板２０１を、透
明部又はフィルターの透明状部材として接着した。本実
施例では洗浄等の取り扱いの容易さからこの透明部又は
フィルターを光電変換素子を取付けた後おこなったが、
予めアルミナ基板１等に付けておいてもよい。また透明
状の基板１を用い、光導入部以外に不透明膜を設けるよ
うにしてもよい。引続き、リードピン２０２を外部引出
し端子７に接続した。このリードピン２０２はアルミナ
基板１等の両面から電気的接続が可能となるようにほぼ
同じ長さになるようにしである。本実施例ではリードピ
ンを使ったがエッヂクリップ、又はワイヤーのみでもよ
い。
さらに最後に光電変換素子としてのシリコン基板１０１
とアルミナ基板ｌ上に樹脂２０３をコーティングした。
とアルミナ基板ｌ上に樹脂２０３をコーティングした。
このようにして第５図に示す如く本発明の一実施例であ
る充電変換装置が完成される。
る充電変換装置が完成される。
この構造にする事により従来のように外部への電極取出
はＡ１やＡｕ線のワイヤーボンディングを行なわなくて
もよく、厚膜用印刷又は薄膜蒸着の手法でアルミナ基板
等に配線をする事ができるので量産性が高まる。又この
ようにハンダ層８．１０６を利用すれば電気的接続と、
外部の雰囲気に対する気密性を保持する事が同時にしが
も容易におこなう事ができ、量産性及び多方面への応用
という点においてコストの低減、作業の容易さにおいて
非常に有利である。又、ハンダ以外の接着物でおこなっ
ても何ら問題はない。又耐環境性という面においても第
１の接着部５と第２の接着部１０５で形成される空間内
で電気的接続がおこなわれるので電極６．１０５は外部
雰囲気にふれる事がないので環境条件の不利な所でも十
分使用する事ができる。
はＡ１やＡｕ線のワイヤーボンディングを行なわなくて
もよく、厚膜用印刷又は薄膜蒸着の手法でアルミナ基板
等に配線をする事ができるので量産性が高まる。又この
ようにハンダ層８．１０６を利用すれば電気的接続と、
外部の雰囲気に対する気密性を保持する事が同時にしが
も容易におこなう事ができ、量産性及び多方面への応用
という点においてコストの低減、作業の容易さにおいて
非常に有利である。又、ハンダ以外の接着物でおこなっ
ても何ら問題はない。又耐環境性という面においても第
１の接着部５と第２の接着部１０５で形成される空間内
で電気的接続がおこなわれるので電極６．１０５は外部
雰囲気にふれる事がないので環境条件の不利な所でも十
分使用する事ができる。
さらに導体層３はアルミナ基板１等の両面及び内部に形
成してもよく、さらにそれらを組合上た構成にしてもよ
い。又このアルミナ基板１上に増幅器等の電気回路をい
わゆるハイブリッドＩＣ化すればさらに小型化を進める
事ができる。又、光電変換素子に増幅回路等をワンデツ
プ化してつくり込む事もできる。又本発明では単結晶シ
リコンであるが、これ以外にもアモルファスシリコン、
ＣｄＳ等を絶縁体上又は単結晶シリコン上に蒸着、スパ
ッタ等で形成してもよいし、他の光電変換素子を用いる
事ができる事はいうまでもない。
成してもよく、さらにそれらを組合上た構成にしてもよ
い。又このアルミナ基板１上に増幅器等の電気回路をい
わゆるハイブリッドＩＣ化すればさらに小型化を進める
事ができる。又、光電変換素子に増幅回路等をワンデツ
プ化してつくり込む事もできる。又本発明では単結晶シ
リコンであるが、これ以外にもアモルファスシリコン、
ＣｄＳ等を絶縁体上又は単結晶シリコン上に蒸着、スパ
ッタ等で形成してもよいし、他の光電変換素子を用いる
事ができる事はいうまでもない。
以上述べたように本発明装置においては、−主面上に光
導入部及び外部取出し電極及びこの電極及び光導入部を
取囲°む第１の接着部を有する基板と、この基板に対応
して配置され、内部形成される光電変換部からの引出し
電極、及び少なくとも光電変換部とこの引出し電極を取
囲む第２の接着部を有する光電変換素子とを備え、前記
外部取出し電極と前記引出し電極が、及び前記第１の接
着部と前記第２の接着部がそれぞれ接着固定されている
から、電気的接続作業と前記両電極の接続部による封止
作業とを同時に行なう事が可能で作業性の点で有利であ
り、かつ前記第１、第２の接着部にて、両電極の接続部
を封止するために耐環境性が格段に向上するとともに、
前記両基板の結合が一層強固になり振動等の機械応力に
対しても接続部を確実に保持できるという優れた効果が
ある。
導入部及び外部取出し電極及びこの電極及び光導入部を
取囲°む第１の接着部を有する基板と、この基板に対応
して配置され、内部形成される光電変換部からの引出し
電極、及び少なくとも光電変換部とこの引出し電極を取
囲む第２の接着部を有する光電変換素子とを備え、前記
外部取出し電極と前記引出し電極が、及び前記第１の接
着部と前記第２の接着部がそれぞれ接着固定されている
から、電気的接続作業と前記両電極の接続部による封止
作業とを同時に行なう事が可能で作業性の点で有利であ
り、かつ前記第１、第２の接着部にて、両電極の接続部
を封止するために耐環境性が格段に向上するとともに、
前記両基板の結合が一層強固になり振動等の機械応力に
対しても接続部を確実に保持できるという優れた効果が
ある。
第１図、第２図は本発明になる光電変換装置において、
そのアルミナ基板の一実施例を示す平面図、側面断面図
、第３図、第４図はシリコン基板に形成した光電変換素
子を説明するための一実施例を示す平面図、側面断面図
、第５図は本発明装置の一実施例になる光電変換装置の
全体構成を示す側面断面図である。 １・・・基板となるアルミナ基板、２・・・穴、３・・
・導体層、５・・・第１の接着部、６・・・外部取出し
電極部。 １０１・・・光電変換素子となる単結晶シリコン基板。 １０２・・・フォトダイオード、１０４・・・第２の接
着部、１０５・・・外部引出し電極、２０１・・・透明
状部材となる石英ガラス又はシリコン板、２０２・・・
リードピン。 代理人弁理士 岡 部 隆 第１図 第 ２ 図 第３図 第４ 図 第５図
そのアルミナ基板の一実施例を示す平面図、側面断面図
、第３図、第４図はシリコン基板に形成した光電変換素
子を説明するための一実施例を示す平面図、側面断面図
、第５図は本発明装置の一実施例になる光電変換装置の
全体構成を示す側面断面図である。 １・・・基板となるアルミナ基板、２・・・穴、３・・
・導体層、５・・・第１の接着部、６・・・外部取出し
電極部。 １０１・・・光電変換素子となる単結晶シリコン基板。 １０２・・・フォトダイオード、１０４・・・第２の接
着部、１０５・・・外部引出し電極、２０１・・・透明
状部材となる石英ガラス又はシリコン板、２０２・・・
リードピン。 代理人弁理士 岡 部 隆 第１図 第 ２ 図 第３図 第４ 図 第５図
Claims (1)
- 少なくとも光導入部分が透明状部材で構成された基板と
、この基板の一生面上に形成された外部取出し電極及び
前記光導入部分と前記外部取出し電極を囲むように形成
された第１の接着部と、前記基板中の前記光導入部と対
応配置される光電変換部が形成された光電変換素子と、
この光電変換素子の一生面上に形成され、前記光電変換
部から引出されて前記外部取出し電極と接着される引出
し電極と、ｎＩｊ記光電変化素子の一生面上において前
記光電変換部と前記引出し電極を囲むように形成され’
Ｃｎｉｌ記第１の接着部と接着される第２の接着とを備
えてなる光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182578A JPS5972184A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182578A JPS5972184A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972184A true JPS5972184A (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=16120729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57182578A Pending JPS5972184A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972184A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182780A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Fujitsu Ltd | 光部品の構造 |
| JPH0351855U (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-20 | ||
| JPH0385664U (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-29 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5413782A (en) * | 1977-07-01 | 1979-02-01 | Nippon Denso Co Ltd | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP57182578A patent/JPS5972184A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5413782A (en) * | 1977-07-01 | 1979-02-01 | Nippon Denso Co Ltd | Semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182780A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Fujitsu Ltd | 光部品の構造 |
| JPH0476220B2 (ja) * | 1984-02-29 | 1992-12-03 | Fujitsu Ltd | |
| JPH0351855U (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-20 | ||
| JPH0385664U (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-29 |
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