JPS58101474A - 光結合装置 - Google Patents
光結合装置Info
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- JPS58101474A JPS58101474A JP56200460A JP20046081A JPS58101474A JP S58101474 A JPS58101474 A JP S58101474A JP 56200460 A JP56200460 A JP 56200460A JP 20046081 A JP20046081 A JP 20046081A JP S58101474 A JPS58101474 A JP S58101474A
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- Japan
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- light
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- elements
- emitting element
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光素子、受光素子のチップを基板に搭載しパ
ターンにて配線すると共に、前記素子のチーツブ周辺に
光の不透過壁を付設した多層基板による光結合装置を提
供するものである。
ターンにて配線すると共に、前記素子のチーツブ周辺に
光の不透過壁を付設した多層基板による光結合装置を提
供するものである。
従来、第１図の断面図で示されるように、発光素子１と
受光素子２を併置してハウジングケース３に一体化した
反射形光結合装置が実用化されている。最近取り付は場
所が一４密度化されるにつれてより薄形、小形化が要望
されるようになってきており、また、デバイスの実装密
度を上げていくためには上述のような従来装置では対処
できないスペースに所望の反射形光結合装置をおさめる
必要がでてきた。
受光素子２を併置してハウジングケース３に一体化した
反射形光結合装置が実用化されている。最近取り付は場
所が一４密度化されるにつれてより薄形、小形化が要望
されるようになってきており、また、デバイスの実装密
度を上げていくためには上述のような従来装置では対処
できないスペースに所望の反射形光結合装置をおさめる
必要がでてきた。
本発明はこのような問題を一掃し、高密度実装を可能に
する多層基板による光結合装置を提供するものである。
する多層基板による光結合装置を提供するものである。
以下、本発明による多層基板方式の光結合装置の実施例
を示す。第２図はその要部の平面図、第３図、第４図は
そのＡ−Ａ／、Ｂ−Ｂ′線断面図を示す図である。
を示す。第２図はその要部の平面図、第３図、第４図は
そのＡ−Ａ／、Ｂ−Ｂ′線断面図を示す図である。
本発明にかかる多層基板は、発光素子のチップ４と受光
素子のチップ６を搭載した基板６とこれらの各素子に電
気接続するだめ金属層パターン７を配線した内層基板８
とを一体の多層板に形成しである。発光素子のテップ４
と受光素子のチップ６の周辺には７リコンゴム樹脂で形
成された光の不透過壁９を付設しである。内層基板８の
電気接続用パターン７は端子パッド１ｏに接続しである
。
素子のチップ６を搭載した基板６とこれらの各素子に電
気接続するだめ金属層パターン７を配線した内層基板８
とを一体の多層板に形成しである。発光素子のテップ４
と受光素子のチップ６の周辺には７リコンゴム樹脂で形
成された光の不透過壁９を付設しである。内層基板８の
電気接続用パターン７は端子パッド１ｏに接続しである
。
発光素子のテップ４と受光素子のチップ６表面には保護
のため耐水性の良好な樹脂１１で封止しである。第３図
は第２図の平面図におけるＡ −Ａ／断面を示し゛てあ
°す、第４図はＢ −Ｂ／断面を示しである。端子パッ
ド１０には外部からリード線の半田付けもしくはコネク
タ接続が可能である。
のため耐水性の良好な樹脂１１で封止しである。第３図
は第２図の平面図におけるＡ −Ａ／断面を示し゛てあ
°す、第４図はＢ −Ｂ／断面を示しである。端子パッ
ド１０には外部からリード線の半田付けもしくはコネク
タ接続が可能である。
光の不透過壁としてポリカーｉネイトやノリルなどの樹
脂を用いても同様の効果を有することはいうまでもない
。光の不透過壁９と基板６とは本実施例では樹脂接着を
おこなっているが、熱溶着。
脂を用いても同様の効果を有することはいうまでもない
。光の不透過壁９と基板６とは本実施例では樹脂接着を
おこなっているが、熱溶着。
超音波溶着なども可能である。
本発明の多層基板による光結合装置を製造するにあたっ
ては、まず発光素子および受光素子のテップを搭載する
基板６とパターン７を配線した内層基板８を一体の多層
基板に形成しておく。かかる多層基板に発光素子のチッ
プ４および受光素子のテップ５をマウントし、内層基板
８のパターン７とＡｑペーストで電気接続をおこないな
がら固定する。ワイヤボンディングによりテップ４，５
から電極１２．１３に接続する。電極１２．１３は内層
基板８のパターン７と電気接続されている。
ては、まず発光素子および受光素子のテップを搭載する
基板６とパターン７を配線した内層基板８を一体の多層
基板に形成しておく。かかる多層基板に発光素子のチッ
プ４および受光素子のテップ５をマウントし、内層基板
８のパターン７とＡｑペーストで電気接続をおこないな
がら固定する。ワイヤボンディングによりテップ４，５
から電極１２．１３に接続する。電極１２．１３は内層
基板８のパターン７と電気接続されている。
ワイヤの保護のため光の不透過壁９を接着したのち、樹
脂１１でチップ４，５の表面を封止する。
脂１１でチップ４，５の表面を封止する。
次に、本発明による多層基板方式の光結合装置の他の実
施例を示す。第５図は要部の平面図、第６図および第７
図は断面図を示す図である。本実施例の装置は発光素子
のテップ４と受光素子のチップ６を搭載した基板６と電
気接続のため金属層パターン７を配線した内層基板８と
、前記各素子のチップをそれぞれ所定のスルーホール部
に配設し同素子に対して周辺に光の不透過壁を形成する
ようなスルーホールを有する基板２ｏを一体にした多層
基板に形成しである。内層基板８のパターン了は端子パ
ッド１０に接続してあり、外部からリード線の半田付け
もしくはコネクタ接続が可能としである。発光素子のチ
ップ４と受光素子のチップ６からはワイヤボンディング
により電極１２゜１３に接続してあり、内層基板８のノ
くターン７に電気接続されている。発光素子のチップ４
および光素子のチップ４から受光素子のチップ６への横
方向への光はスルーホール基板２ｏによりしゃ断されて
いる。
施例を示す。第５図は要部の平面図、第６図および第７
図は断面図を示す図である。本実施例の装置は発光素子
のテップ４と受光素子のチップ６を搭載した基板６と電
気接続のため金属層パターン７を配線した内層基板８と
、前記各素子のチップをそれぞれ所定のスルーホール部
に配設し同素子に対して周辺に光の不透過壁を形成する
ようなスルーホールを有する基板２ｏを一体にした多層
基板に形成しである。内層基板８のパターン了は端子パ
ッド１０に接続してあり、外部からリード線の半田付け
もしくはコネクタ接続が可能としである。発光素子のチ
ップ４と受光素子のチップ６からはワイヤボンディング
により電極１２゜１３に接続してあり、内層基板８のノ
くターン７に電気接続されている。発光素子のチップ４
および光素子のチップ４から受光素子のチップ６への横
方向への光はスルーホール基板２ｏによりしゃ断されて
いる。
第６．６．７図の多層基板による光結合装置を製造する
にあたって戊素子搭載用基板６と内層基板８とスルーホ
ール基板２０を一体にした多層基板に発光素子のチップ
４と受光素子のチップ６をマウントする。そして、発光
素子のチップ４および受光素子のチップ６は内層基板８
のノζターン７とＡｑペーストで電気接続を行ないなが
ら固定する。
にあたって戊素子搭載用基板６と内層基板８とスルーホ
ール基板２０を一体にした多層基板に発光素子のチップ
４と受光素子のチップ６をマウントする。そして、発光
素子のチップ４および受光素子のチップ６は内層基板８
のノζターン７とＡｑペーストで電気接続を行ないなが
ら固定する。
ワイヤボンディングにより前記発光素子のチップ４およ
び前記受光素子のテップ６から電極１２゜１３に接続す
る。ワイヤの保護のため樹脂１１で各チップ４，６の表
面を封止する。樹脂をレンズ状に封止すると指向性が鋭
くなり、検出分解能は良くなる。また、単体レンズを付
設するとさらに検出分解能が向上するのはいうまでもな
い。
び前記受光素子のテップ６から電極１２゜１３に接続す
る。ワイヤの保護のため樹脂１１で各チップ４，６の表
面を封止する。樹脂をレンズ状に封止すると指向性が鋭
くなり、検出分解能は良くなる。また、単体レンズを付
設するとさらに検出分解能が向上するのはいうまでもな
い。
以上のように、本発明の多層基板による反射形の光結合
装置は非常に小形、薄形に制作できることから取り付は
場所の制約されたシステム内部にも実装することが可能
であり、たとえばカメラなどにも実装可能であり、従来
の光結合装置では不可能であったせまい空間への実装が
できる。また、光不透過壁を用いることにより、発光素
子と受光素子間の横方向への光もれを容易に防止でき、
誤動作のない高いＳ ／Ｎｌｉをもつ光結合装置を提供
することができた。
装置は非常に小形、薄形に制作できることから取り付は
場所の制約されたシステム内部にも実装することが可能
であり、たとえばカメラなどにも実装可能であり、従来
の光結合装置では不可能であったせまい空間への実装が
できる。また、光不透過壁を用いることにより、発光素
子と受光素子間の横方向への光もれを容易に防止でき、
誤動作のない高いＳ ／Ｎｌｉをもつ光結合装置を提供
することができた。
第１図は従来の反射形光結合装置の構造図、第２図は本
発明の一実施例である多層基板による光結合装置の概略
平面図、第３図、第４図は第２図のＡ −Ａ’線、Ｂ−
Ｂ／線断面図、第６図は本発明の他の実施例にかかる光
結合装置の概略平面図、第６図、第７図は第５図のＣ−
Ｃ／、Ｄ−Ｄ’線断面図である。 ４・・・・・・発光素子のチップ、６・・・・・・受光
素子のチップ、６・・・・・・基板、７・・・・・・パ
ｐ−７，８・・・・・・内層基板、９・・・・・・光の
不透過壁、１０・・・・・・端子パッド、１１・・・・
・・封止樹脂、１２・・・・”１１ｉ極、 １３・・・
・・・［極、２０・拳・帝■スルーホール基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名し １１３１１ θ。 １１１６図
発明の一実施例である多層基板による光結合装置の概略
平面図、第３図、第４図は第２図のＡ −Ａ’線、Ｂ−
Ｂ／線断面図、第６図は本発明の他の実施例にかかる光
結合装置の概略平面図、第６図、第７図は第５図のＣ−
Ｃ／、Ｄ−Ｄ’線断面図である。 ４・・・・・・発光素子のチップ、６・・・・・・受光
素子のチップ、６・・・・・・基板、７・・・・・・パ
ｐ−７，８・・・・・・内層基板、９・・・・・・光の
不透過壁、１０・・・・・・端子パッド、１１・・・・
・・封止樹脂、１２・・・・”１１ｉ極、 １３・・・
・・・［極、２０・拳・帝■スルーホール基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名し １１３１１ θ。 １１１６図
Claims (3)
- （１）素子搭載用基板と、内層部で前記素子のチップ搭
載部まで金属層パターンで電気的接続用配線をおこなっ
た基板とを一体にすると共に、発光素子と受光素子のチ
ップを併置し、前記発光素子と前記受光素子のチップ周
辺に光の不透過壁を付設したことを特徴とする光結合装
置。 - （２）光の不透過壁として、シリコンゴム、ポリカーボ
ネイト等の樹脂を用いたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光結合装置。 - （３）発光素子と受光素子を併置した第１の基板と、前
記各素子搭載部まで金属層パターンで電気的接続用配線
を形成した第２の基板と、前記発光素子および前記受光
素子をスルーホール部に配設して、同素子周辺に光の不
透過壁を形成する第３の基板とを一体化したこ゛とを特
徴とする光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56200460A JPS58101474A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56200460A JPS58101474A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 光結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101474A true JPS58101474A (ja) | 1983-06-16 |
Family
ID=16424667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56200460A Pending JPS58101474A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101474A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695858A (en) * | 1982-07-19 | 1987-09-22 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Duplex optical communication module unit |
| US6377292B1 (en) * | 1999-04-23 | 2002-04-23 | Oki Data Corporation | LED print head with reduced reflection of light leaking from edges of LED array chips |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254291U (ja) * | 1975-10-14 | 1977-04-19 |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56200460A patent/JPS58101474A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254291U (ja) * | 1975-10-14 | 1977-04-19 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695858A (en) * | 1982-07-19 | 1987-09-22 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Duplex optical communication module unit |
| US6377292B1 (en) * | 1999-04-23 | 2002-04-23 | Oki Data Corporation | LED print head with reduced reflection of light leaking from edges of LED array chips |
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