JP2901356B2 - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
- Publication number
- JP2901356B2 JP2901356B2 JP1628191A JP1628191A JP2901356B2 JP 2901356 B2 JP2901356 B2 JP 2901356B2 JP 1628191 A JP1628191 A JP 1628191A JP 1628191 A JP1628191 A JP 1628191A JP 2901356 B2 JP2901356 B2 JP 2901356B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- circuit board
- hybrid integrated
- integrated circuit
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路に関し、特
に封止樹脂に関する。
に封止樹脂に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の混成集積回路は図６に示すよう
に、リードフレーム１Ａに回路基板４Ａを設け、接着剤
を使用して能動素子６Ｂや、受動素子８Ａ等を搭載し、
その後、金属細線７を用いて回路を形成し、更に樹脂９
Ｂにより樹脂封止する構造となっている。このように従
来の混成集積回路では各素子は１種類の樹脂９Ｂにより
封止されていた。
に、リードフレーム１Ａに回路基板４Ａを設け、接着剤
を使用して能動素子６Ｂや、受動素子８Ａ等を搭載し、
その後、金属細線７を用いて回路を形成し、更に樹脂９
Ｂにより樹脂封止する構造となっている。このように従
来の混成集積回路では各素子は１種類の樹脂９Ｂにより
封止されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の混成集積回
路は、樹脂封止に同一の樹脂を用いている構造であるた
め、光関係の能動素子（受光素子や発光素子等）につい
ては、光を透過する樹脂を用いないとそれら素子本来の
特性を引き出すのは不可能であった。
路は、樹脂封止に同一の樹脂を用いている構造であるた
め、光関係の能動素子（受光素子や発光素子等）につい
ては、光を透過する樹脂を用いないとそれら素子本来の
特性を引き出すのは不可能であった。
【０００４】逆に光関係の素子を除く他の素子では、光
を透過する樹脂を用いると光の影響により、例えばメモ
リーの消去，電流増幅率の変動，リーク電流の増大等の
問題が発生し、素子本来の特性が得られない。従って、
従来の混成集積回路では、光関係の素子と光関係以外の
素子との混載は困難であった。
を透過する樹脂を用いると光の影響により、例えばメモ
リーの消去，電流増幅率の変動，リーク電流の増大等の
問題が発生し、素子本来の特性が得られない。従って、
従来の混成集積回路では、光関係の素子と光関係以外の
素子との混載は困難であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明の混成集積回
路は、回路基板上に素子を搭載して成る混成集積回路に
おいて、前記回路基板の一方の面の全面が第１の樹脂に
覆われ、前記回路基板の前記一方の面に対向する他方の
面の全面が第２の樹脂に覆われており、前記第１の樹脂
は光学的に透明で前記基板の前記一方の面には光関係の
能動素子が搭載され、前記第２の樹脂は光学的に不透明
であり前記基板の前記他方の面には光関係以外の能動素
子が搭載されている。
路は、回路基板上に素子を搭載して成る混成集積回路に
おいて、前記回路基板の一方の面の全面が第１の樹脂に
覆われ、前記回路基板の前記一方の面に対向する他方の
面の全面が第２の樹脂に覆われており、前記第１の樹脂
は光学的に透明で前記基板の前記一方の面には光関係の
能動素子が搭載され、前記第２の樹脂は光学的に不透明
であり前記基板の前記他方の面には光関係以外の能動素
子が搭載されている。
【０００６】第２の発明では、回路基板上に素子を搭載
して成る混成集積回路において、前記回路基板はその表
面と裏面とがともに第１の樹脂に覆われた第１の部分と
第２の樹脂に覆われた第２の部分を有しており、前記第
１の樹脂は光学的に透明で前記基板の前記第１の部分の
表面と裏面には光関係の能動素子が搭載され、前記第２
の樹脂は光学的に不透明であり前記基板の前記第２の部
分の表面と裏面には光関係以外の能動素子が搭載されて
いる。
して成る混成集積回路において、前記回路基板はその表
面と裏面とがともに第１の樹脂に覆われた第１の部分と
第２の樹脂に覆われた第２の部分を有しており、前記第
１の樹脂は光学的に透明で前記基板の前記第１の部分の
表面と裏面には光関係の能動素子が搭載され、前記第２
の樹脂は光学的に不透明であり前記基板の前記第２の部
分の表面と裏面には光関係以外の能動素子が搭載されて
いる。
【０００７】
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の断面図である。
る。図１は本発明の第１の実施例の断面図である。
【０００９】図１において、金属性のリードフレーム１
（厚さ０．１５〜０．４ｍｍ）には回路基板４が固着さ
れており、両面の配線２の電気的な接続はスルーホール
３に設けられた厚さ１０〜２０μｍのスルーホール用銅
メッキにより行なう。回路基板４の表面には第１能動素
子（発光あるいは受光素子等）５と、受動素子（抵抗あ
るいはコンデンサー等）８等を搭載し、金属細線７によ
り回路を形成し、透明な白，赤，緑，青等の第１の樹脂
９により外装樹脂封止する。回路基板４の裏面には第２
能動素子（Ｔｒ、Ｄｉ、ＩＣ等）５と受動素子（抵抗あ
るいはコンデンサー等）８等を搭載し、金属細線７によ
り回路を形成し、不透明な黒，青，赤，緑等の第２の樹
脂１０により外装樹脂封止する。
（厚さ０．１５〜０．４ｍｍ）には回路基板４が固着さ
れており、両面の配線２の電気的な接続はスルーホール
３に設けられた厚さ１０〜２０μｍのスルーホール用銅
メッキにより行なう。回路基板４の表面には第１能動素
子（発光あるいは受光素子等）５と、受動素子（抵抗あ
るいはコンデンサー等）８等を搭載し、金属細線７によ
り回路を形成し、透明な白，赤，緑，青等の第１の樹脂
９により外装樹脂封止する。回路基板４の裏面には第２
能動素子（Ｔｒ、Ｄｉ、ＩＣ等）５と受動素子（抵抗あ
るいはコンデンサー等）８等を搭載し、金属細線７によ
り回路を形成し、不透明な黒，青，赤，緑等の第２の樹
脂１０により外装樹脂封止する。
【００１０】このように構成された第１の実施例によれ
ば、第１能動素子５の特性が第１の樹脂９を使用したこ
とにより１００％引き出せると同時に、本来光の影響が
大である第２能動素子６を回路基板４の裏面側に搭載す
るとともに第２の樹脂１０を使用したことにより、第２
能動素子６の特性も１００％引き出すことができる。
ば、第１能動素子５の特性が第１の樹脂９を使用したこ
とにより１００％引き出せると同時に、本来光の影響が
大である第２能動素子６を回路基板４の裏面側に搭載す
るとともに第２の樹脂１０を使用したことにより、第２
能動素子６の特性も１００％引き出すことができる。
【００１１】図２は本発明の第２の実施例の断面図であ
る。図２において、厚さ０．２〜３ｍｍのプリント配線
基板（ＰＷＢ）の表面には、発光，受光素子等の第１能
動素子５Ａと抵抗，コンデンサー等の受動素子８Ａを搭
載し、金属細線７により回路を形成し、透明な白，赤，
緑，青等の第１の樹脂９Ａにより外装樹脂封止する。同
様にＰＷＢの裏面側にＴｒ，Ｄｉ，ＩＣ等の第２能動素
子６Ａと受動素子８Ａを搭載し、金属細線７により回路
を形成し、不透明な黒，赤，緑，青等の第２の樹脂１０
Ａを用いて外装樹脂封止する。このように構成された第
２の実施例においても第１の実施例と同様な効果が期待
できる。
る。図２において、厚さ０．２〜３ｍｍのプリント配線
基板（ＰＷＢ）の表面には、発光，受光素子等の第１能
動素子５Ａと抵抗，コンデンサー等の受動素子８Ａを搭
載し、金属細線７により回路を形成し、透明な白，赤，
緑，青等の第１の樹脂９Ａにより外装樹脂封止する。同
様にＰＷＢの裏面側にＴｒ，Ｄｉ，ＩＣ等の第２能動素
子６Ａと受動素子８Ａを搭載し、金属細線７により回路
を形成し、不透明な黒，赤，緑，青等の第２の樹脂１０
Ａを用いて外装樹脂封止する。このように構成された第
２の実施例においても第１の実施例と同様な効果が期待
できる。
【００１２】図３は本発明の第３の実施例の断面図であ
る。図３において金属製のリードフレーム１Ａと回路基
板４Ａの回路パターン部をウエルド法や半田付法等によ
り電気的，機械的に直接接続し、回路基板４Ａの表面側
に第１能動素子５Ａと受動素子８Ａを搭載し、金属細線
７により回路形成を行い、第１の樹脂９Ａにより回路基
板の一部を残し、外装樹脂封止する。同様に回路基板４
Ａの裏面上に第２能動素子６Ａと受動素子８Ａを搭載
し、金属細線７により回路形成を行った後、第２の樹脂
１０Ａを用いて回路基板４Ａの端面を含めて外装樹脂封
止する。このように構成された第３の実施例では、第１
の実施例と同様な効果を有すると共に、耐湿性が向上す
るという利点がある。
る。図３において金属製のリードフレーム１Ａと回路基
板４Ａの回路パターン部をウエルド法や半田付法等によ
り電気的，機械的に直接接続し、回路基板４Ａの表面側
に第１能動素子５Ａと受動素子８Ａを搭載し、金属細線
７により回路形成を行い、第１の樹脂９Ａにより回路基
板の一部を残し、外装樹脂封止する。同様に回路基板４
Ａの裏面上に第２能動素子６Ａと受動素子８Ａを搭載
し、金属細線７により回路形成を行った後、第２の樹脂
１０Ａを用いて回路基板４Ａの端面を含めて外装樹脂封
止する。このように構成された第３の実施例では、第１
の実施例と同様な効果を有すると共に、耐湿性が向上す
るという利点がある。
【００１３】図４は本発明の第４の実施例の断面図であ
る。図４において、厚さ０．２〜３ｍｍのＰＷＢ１１Ａ
上には第１の樹脂９Ａと第２の樹脂１０Ａとが設けられ
るが、各々の樹脂がＰＷＢ１１Ａの対向面に流動できる
ように２〜５φの貫通孔１２が設けてある。そして第１
の樹脂９Ａが設けられるＰＷＢ１１Ａの表，裏面上には
第１能動素子５Ａと受動素子８Ａを搭載し、金属細線７
により回路形成を行い、第１樹脂９Ａを用いて外装樹脂
封止する。この際、ＰＷＢ１１Ａに貫通孔１２が設けて
あるので、ＰＷＢ１１Ａの対向する表裏の両面は第１の
樹脂９Ａによって封止される。同様に第２の樹脂１０Ａ
が設けられるＰＷＢの表，裏面上には、第２能動素子６
Ａと受動素子８Ａを搭載し、金属細線７により回路形成
を行い、第２の樹脂１０Ａを用いて外装樹脂封止する。
この場合もＰＷＢ１１Ａの対向する表裏の両面は第２の
樹脂１０Ａによって封止される。このように構成された
第４の実施例によれば、第１の実施例の効果とともに、
ＰＷＢの表裏面の区別に限定されず、対向面による区別
も可能となるため更に効果が大となる。
る。図４において、厚さ０．２〜３ｍｍのＰＷＢ１１Ａ
上には第１の樹脂９Ａと第２の樹脂１０Ａとが設けられ
るが、各々の樹脂がＰＷＢ１１Ａの対向面に流動できる
ように２〜５φの貫通孔１２が設けてある。そして第１
の樹脂９Ａが設けられるＰＷＢ１１Ａの表，裏面上には
第１能動素子５Ａと受動素子８Ａを搭載し、金属細線７
により回路形成を行い、第１樹脂９Ａを用いて外装樹脂
封止する。この際、ＰＷＢ１１Ａに貫通孔１２が設けて
あるので、ＰＷＢ１１Ａの対向する表裏の両面は第１の
樹脂９Ａによって封止される。同様に第２の樹脂１０Ａ
が設けられるＰＷＢの表，裏面上には、第２能動素子６
Ａと受動素子８Ａを搭載し、金属細線７により回路形成
を行い、第２の樹脂１０Ａを用いて外装樹脂封止する。
この場合もＰＷＢ１１Ａの対向する表裏の両面は第２の
樹脂１０Ａによって封止される。このように構成された
第４の実施例によれば、第１の実施例の効果とともに、
ＰＷＢの表裏面の区別に限定されず、対向面による区別
も可能となるため更に効果が大となる。
【００１４】図５は本発明の第５の実施例の断面図であ
り、金属製のリードフレーム１Ａに回路基板４Ａを固着
させ、電気的な接続にはスルーホール３のスルーホール
用銅メッキを用いたものである。更に、第１の樹脂９Ａ
と第２の樹脂１０Ａの各々の範囲内に各々の樹脂が対向
面に流動できるように貫通孔１２が設けてあり、素子の
構成は第４の実施例の場合と同様である。このように構
成された第５の実施も第４の実施例と同様な効果が得ら
れる。
り、金属製のリードフレーム１Ａに回路基板４Ａを固着
させ、電気的な接続にはスルーホール３のスルーホール
用銅メッキを用いたものである。更に、第１の樹脂９Ａ
と第２の樹脂１０Ａの各々の範囲内に各々の樹脂が対向
面に流動できるように貫通孔１２が設けてあり、素子の
構成は第４の実施例の場合と同様である。このように構
成された第５の実施も第４の実施例と同様な効果が得ら
れる。
【００１５】尚、上述した実施例は、キャステイング方
式やマルチプランジャーを用いたトランスファーモール
ド方式等の樹脂封止方法により容易に実施可能である。
式やマルチプランジャーを用いたトランスファーモール
ド方式等の樹脂封止方法により容易に実施可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
光，受光素子とその他の能動素子を、各素子の特性を損
うことなく同一の回路基板へ搭載できるため、品質及び
機能の向上が計れるという効果がある。
光，受光素子とその他の能動素子を、各素子の特性を損
うことなく同一の回路基板へ搭載できるため、品質及び
機能の向上が計れるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例の断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例の断面図である。
【図５】本発明の第５の実施例の断面図である。
【図６】従来の混成集積回路の断面図である。
１，１Ａ リードフレーム ２ 配線 ３ スルーホール ４，４Ａ 回路基板 ５，５Ａ 第１能動素子 ６，６Ａ 第２能動素子 ７ 金属細線 ８，８Ａ 受動素子 ９，９Ａ 第１の樹脂 １０，１０Ａ 第２の樹脂 １１，１１Ａ ＰＷＢ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/30 H01L 31/02 H05K 3/28
Claims (2)
- 【請求項１】回路基板上に素子を搭載して成る混成集積
回路において、前記回路基板の一方の面の全面が第１の
樹脂に覆われ、前記回路基板の前記一方の面に対向する
他方の面の全面が第２の樹脂に覆われており、前記第１
の樹脂は光学的に透明で前記基板の前記一方の面には光
関係の能動素子が搭載され、前記第２の樹脂は光学的に
不透明であり前記基板の前記他方の面には光関係以外の
能動素子が搭載されていることを特徴とする混成集積回
路。 - 【請求項２】回路基板上に素子を搭載して成る混成集積
回路において、前記回路基板はその表面と裏面とがとも
に第１の樹脂に覆われた第１の部分と第２の樹脂に覆わ
れた第２の部分を有しており、前記第１の樹脂は光学的
に透明で前記基板の前記第１の部分の表面と裏面には光
関係の能動素子が搭載され、前記第２の樹脂は光学的に
不透明であり前記基板の前記第２の部分の表面と裏面に
は光関係以外の能動素子が搭載されていることを特徴と
する混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1628191A JP2901356B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1628191A JP2901356B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255264A JPH04255264A (ja) | 1992-09-10 |
| JP2901356B2 true JP2901356B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=11912170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1628191A Expired - Lifetime JP2901356B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901356B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2843464B2 (ja) * | 1992-09-01 | 1999-01-06 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPH06163812A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Seiko Epson Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP3446695B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2003-09-16 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
| TW548843B (en) * | 2001-02-28 | 2003-08-21 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and method for making the same |
| JP2003304004A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 光伝送チップ及び取付構造 |
| DE102004013733B4 (de) * | 2004-03-18 | 2006-04-06 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil in Stapelbauweise mit einem optisch aktiven Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP5146382B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2013-02-20 | 株式会社デンソー | 電子装置の製造方法 |
| JP2018096812A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体パッケージ及びその検査方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62131555A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH0273663A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Nec Corp | 混成集積回路装置 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP1628191A patent/JP2901356B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04255264A (ja) | 1992-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970063595A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JP3311914B2 (ja) | チップ型発光ダイオード | |
| JP2901356B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2973646B2 (ja) | ベアチップｌｓｉの実装構造 | |
| JP2524482B2 (ja) | Ｑｆｐ構造半導体装置 | |
| US5150198A (en) | Radiator for semiconductor chip | |
| JPH05198696A (ja) | 半導体チップの実装構造 | |
| JP2691352B2 (ja) | 電子部品塔載装置 | |
| JPH03238852A (ja) | モールド型半導体集積回路 | |
| JP2970075B2 (ja) | チップキャリヤ | |
| JPH05243418A (ja) | プラスチックｐｇａ型半導体装置 | |
| JPH0513963A (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2705468B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH012399A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0730055A (ja) | マルチチップモジュール実装型プリント配線板 | |
| JPH04269841A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3201893B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3509070B2 (ja) | パッケージを用いた電子装置 | |
| JP3034657B2 (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
| JPH0222886A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS58117626A (ja) | 電子回路内蔵型リレ− | |
| JP2000164966A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH06140535A (ja) | テープキャリアパッケージ型半導体装置 | |
| JPH04267361A (ja) | リードレスチップキャリア | |
| JPS61222358A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970225 |