JPH0273663A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH0273663A JPH0273663A JP63226142A JP22614288A JPH0273663A JP H0273663 A JPH0273663 A JP H0273663A JP 63226142 A JP63226142 A JP 63226142A JP 22614288 A JP22614288 A JP 22614288A JP H0273663 A JPH0273663 A JP H0273663A
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- resin
- integrated circuit
- hybrid integrated
- wiring board
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路装置に関し、特にトランスファー
モールド樹脂で成形された混成集積回路装置に関する。
モールド樹脂で成形された混成集積回路装置に関する。
従来、この種の樹脂封止層混成集積回路装置は例えば、
特開昭６１−１７０２１７号公報従来技術に説明されて
いる。即ち、配線基板上に配置された能動素子及び受動
素子は所望の回路機能を得る為に、能動素子及び受動素
子と配線基板間、更には配線基板とリードフレーム間を
金属細線等で結線し、能動素子、受動素子、配線基板、
金属細線を物理的機械的に保護する為に黒色の樹脂で全
面に封止されている。
特開昭６１−１７０２１７号公報従来技術に説明されて
いる。即ち、配線基板上に配置された能動素子及び受動
素子は所望の回路機能を得る為に、能動素子及び受動素
子と配線基板間、更には配線基板とリードフレーム間を
金属細線等で結線し、能動素子、受動素子、配線基板、
金属細線を物理的機械的に保護する為に黒色の樹脂で全
面に封止されている。
上述した従来の樹脂封止層混成集積回路装置は搭載され
る能動素子の特性を制約している。例えば紫外線消去プ
ログラマブルＲＯＭ （以下ＵＶＥＰＲＯＭと呼ぶ）が
このタイプの混成集積回路装置に搭載された場合、黒色
の樹脂に封止されている為、光が遮断され、既に書き込
まれたメモリは消去が不可となる。従ってこの場合、Ｕ
ＶＥ Ｐ ＲＯＭをワンタイムＦＲＯＭ ＩＣとして
使用できるが、ＵＶＥＰＲＯＭとしての幅広い応用が不
可となる為、適用分野が限られ販売量としても限定され
るのが現状であった。受光素子内蔵混成集積回路の応用
分野についても、前例と同様に黒色のモールド樹脂の為
、光がしゃ断され、この分野に参入が難しかった。しか
し、この問題点を打開すべく、透明の樹脂を全面に封止
する方法もあるが、この場合混成集積回路に搭載されて
いる他の能動素子の先約安定化を考えると充分な方策と
いえない。
る能動素子の特性を制約している。例えば紫外線消去プ
ログラマブルＲＯＭ （以下ＵＶＥＰＲＯＭと呼ぶ）が
このタイプの混成集積回路装置に搭載された場合、黒色
の樹脂に封止されている為、光が遮断され、既に書き込
まれたメモリは消去が不可となる。従ってこの場合、Ｕ
ＶＥ Ｐ ＲＯＭをワンタイムＦＲＯＭ ＩＣとして
使用できるが、ＵＶＥＰＲＯＭとしての幅広い応用が不
可となる為、適用分野が限られ販売量としても限定され
るのが現状であった。受光素子内蔵混成集積回路の応用
分野についても、前例と同様に黒色のモールド樹脂の為
、光がしゃ断され、この分野に参入が難しかった。しか
し、この問題点を打開すべく、透明の樹脂を全面に封止
する方法もあるが、この場合混成集積回路に搭載されて
いる他の能動素子の先約安定化を考えると充分な方策と
いえない。
本発明の樹脂封止型混成集積回路装置は、配線基板上に
少なくとも複数個からなる能動素子及び受動素子が取付
けられ、前記配線基板を該配線基板の取付は予定部を取
り囲むように配列され多数の内部リードを有するリード
フレームに搭載して樹脂封止してなる樹脂封止型混成集
積回路装置において、前記能動素子及び受動素子の内特
定の能動素子のみを選択的に透明な樹脂で封止したこと
を特徴とする。
少なくとも複数個からなる能動素子及び受動素子が取付
けられ、前記配線基板を該配線基板の取付は予定部を取
り囲むように配列され多数の内部リードを有するリード
フレームに搭載して樹脂封止してなる樹脂封止型混成集
積回路装置において、前記能動素子及び受動素子の内特
定の能動素子のみを選択的に透明な樹脂で封止したこと
を特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す平面図、第２図
は第１図のＸ−Ｙ線断面図である。図において１は金属
製リードフレームであり、この上に配線基板２が接着剤
をもちいて取り付けられている。この配線基板２上に能
動素子３，３Ａ及び３Ｂが搭載される。能動素子３はＵ
ＶＥＰＲＯＭチップ（例えばμＰＤ２７Ｃ２５６ＡＣ（
日本電気部）、３Ａはゲートアレイ、３Ｂはマイクロコ
ンピュータである。各素子はワイヤポンディング法によ
りＡｕ線５により配線基板２の配線導体と結線される。
は第１図のＸ−Ｙ線断面図である。図において１は金属
製リードフレームであり、この上に配線基板２が接着剤
をもちいて取り付けられている。この配線基板２上に能
動素子３，３Ａ及び３Ｂが搭載される。能動素子３はＵ
ＶＥＰＲＯＭチップ（例えばμＰＤ２７Ｃ２５６ＡＣ（
日本電気部）、３Ａはゲートアレイ、３Ｂはマイクロコ
ンピュータである。各素子はワイヤポンディング法によ
りＡｕ線５により配線基板２の配線導体と結線される。
配線基板２と金属製リードフレーム１とは同様にワイヤ
ポンディング法によりＡＬｔ線４により結線される。樹
脂封止はトランスファーモールド法を用い能動素子３Ａ
、３Ｂ部は不透明例えば黒色樹脂７で、能動素子３部は
透明樹脂６で選択的に封止する。選択的な封止方法とし
ては例えば、黒色樹脂７を全面に封止した後、能動素子
３の所要部の樹脂を選択的に除去し、１０φ順の開口部
を設ける。除去は加温された発煙硝酸を用いる。開口部
には透明なシリコーン樹脂をボ。
ポンディング法によりＡＬｔ線４により結線される。樹
脂封止はトランスファーモールド法を用い能動素子３Ａ
、３Ｂ部は不透明例えば黒色樹脂７で、能動素子３部は
透明樹脂６で選択的に封止する。選択的な封止方法とし
ては例えば、黒色樹脂７を全面に封止した後、能動素子
３の所要部の樹脂を選択的に除去し、１０φ順の開口部
を設ける。除去は加温された発煙硝酸を用いる。開口部
には透明なシリコーン樹脂をボ。
ティングし封止する。また、他の方法として能動素子３
の所要部が樹脂封止されないような樹脂封止彫金型を用
いて１０’ｍｍの開口部を設け、開口部には透明なシリ
コーン樹脂をポツティングし封止してもよい。
の所要部が樹脂封止されないような樹脂封止彫金型を用
いて１０’ｍｍの開口部を設け、開口部には透明なシリ
コーン樹脂をポツティングし封止してもよい。
以上説明したように本発明は、少なくとも１つ以上の能
動素子部の所要部を選択的に透明な樹脂で封止すること
により、能動素子の光学的授受を可能に出来る効果があ
る。更に光学的授受を必要としない素子は不透明な樹脂
で封止されている為、電気的な安定性は維持できる。具
体的な効果の一例としてはＵＶＥＰＲＯＭ、マイクロコ
ンピュータ−、メモリＩＣを含む混成集積回路をワンパ
ッケージ内に設けた場合、従来の構造では樹脂封止は不
透明例えば黒色の樹脂を全面に用いていた。
動素子部の所要部を選択的に透明な樹脂で封止すること
により、能動素子の光学的授受を可能に出来る効果があ
る。更に光学的授受を必要としない素子は不透明な樹脂
で封止されている為、電気的な安定性は維持できる。具
体的な効果の一例としてはＵＶＥＰＲＯＭ、マイクロコ
ンピュータ−、メモリＩＣを含む混成集積回路をワンパ
ッケージ内に設けた場合、従来の構造では樹脂封止は不
透明例えば黒色の樹脂を全面に用いていた。
この為ＲＯＭライターでＵＶＥＰＲＯＭにプログラムを
書き込んだ後修正又は変更したい場合、紫外線を照射し
てプログラムを消去しようとしてもＵＶＥＰＲＯＭは不
透明な樹脂にさえぎられて消去できなく結果的にこの混
成集積回路は廃棄されていた。本発明の構造を用いれば
ＵＶＥＰＲＯＭの上方所要部は透明な樹脂で封止されて
いる為、容易にプログラムの消去は可能になり、繰り返
し使用が可能となる。
書き込んだ後修正又は変更したい場合、紫外線を照射し
てプログラムを消去しようとしてもＵＶＥＰＲＯＭは不
透明な樹脂にさえぎられて消去できなく結果的にこの混
成集積回路は廃棄されていた。本発明の構造を用いれば
ＵＶＥＰＲＯＭの上方所要部は透明な樹脂で封止されて
いる為、容易にプログラムの消去は可能になり、繰り返
し使用が可能となる。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す平面図、第２図
は第１図のＸ−Ｙ線断面図である。 １・・・・・・金属製リードフレーム、２・・・・・・
配線基板、３・・・・・・μＰＤ２７Ｃ２５８ＡＣ用ペ
レット、３４・・・・・・ゲート・アレイ、３Ｂ・・・
・・・マイクロコンピュータ、４，５・・・・・・Ａｕ
線、６・・・・・・透明樹脂部、７・・・・・・黒色樹
脂。 代理人 弁理士 内 原 晋
は第１図のＸ−Ｙ線断面図である。 １・・・・・・金属製リードフレーム、２・・・・・・
配線基板、３・・・・・・μＰＤ２７Ｃ２５８ＡＣ用ペ
レット、３４・・・・・・ゲート・アレイ、３Ｂ・・・
・・・マイクロコンピュータ、４，５・・・・・・Ａｕ
線、６・・・・・・透明樹脂部、７・・・・・・黒色樹
脂。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 配線基板上に少なくとも複数個からなる能動素子及び受
動素子が取付けられ前記配線基板を該配線基板の取付け
予定部を取り囲むように配列された多数の内部リード部
を有するリードフレームに搭載して樹脂封止してなる樹
脂封止型混成集積回路装置において、前記能動素子及び
受動素子の内特定の能動素子のみを選択適に透明な樹脂
で封止したことを特徴とする樹脂封止型混成集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63226142A JPH0273663A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63226142A JPH0273663A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273663A true JPH0273663A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16840515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63226142A Pending JPH0273663A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0273663A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04255264A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Nec Corp | 混成集積回路 |
| JPH04107844U (ja) * | 1991-03-05 | 1992-09-17 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP63226142A patent/JPH0273663A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04255264A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Nec Corp | 混成集積回路 |
| JPH04107844U (ja) * | 1991-03-05 | 1992-09-17 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
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