JPH04324963A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH04324963A JPH04324963A JP9462091A JP9462091A JPH04324963A JP H04324963 A JPH04324963 A JP H04324963A JP 9462091 A JP9462091 A JP 9462091A JP 9462091 A JP9462091 A JP 9462091A JP H04324963 A JPH04324963 A JP H04324963A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- wiring board
- circuit device
- hybrid integrated
- mold resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 35
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路装置に関し
、特にトランスファーモールド樹脂封止が施された混成
集積回路装置に関する。
、特にトランスファーモールド樹脂封止が施された混成
集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のトランスファーモールド樹脂封止
された混成集積回路装置は、図７に示したように、高密
度な配線を実現するための配線基板１及びその上に搭載
された電子部品２の全面がトランスファーモールド樹脂
３で覆われている。
された混成集積回路装置は、図７に示したように、高密
度な配線を実現するための配線基板１及びその上に搭載
された電子部品２の全面がトランスファーモールド樹脂
３で覆われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のトランスフ
ァーモールド型混成集積回路装置では、工程処理上問題
となるためトランスファーモールド後に基板に接続した
い部品や、可動部分を有し封止のされない状態で使用さ
れる電子部品や、光を使用するため黒色であるトランス
ファーモールド樹脂で覆われると使用することができな
い電子部品や、大型のためトランスファーモールド樹脂
からはみ出してしまう電子部品や、大きな発熱のためパ
ッケージの放熱性が良くないと搭載できない半導体素子
等を搭載することができなかった。また、たとえ搭載可
能であってもそれを実現するのは非常に困難であった。
ァーモールド型混成集積回路装置では、工程処理上問題
となるためトランスファーモールド後に基板に接続した
い部品や、可動部分を有し封止のされない状態で使用さ
れる電子部品や、光を使用するため黒色であるトランス
ファーモールド樹脂で覆われると使用することができな
い電子部品や、大型のためトランスファーモールド樹脂
からはみ出してしまう電子部品や、大きな発熱のためパ
ッケージの放熱性が良くないと搭載できない半導体素子
等を搭載することができなかった。また、たとえ搭載可
能であってもそれを実現するのは非常に困難であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の混成集積回路装
置は、配線基板と、この上に搭載される電子部品と、こ
れらを覆うトランスファーモールド樹脂とを有する混成
集積回路装置において、前記配線基板の表面の一部が前
記トランスファーモールド樹脂で封止されず露出してい
る。
置は、配線基板と、この上に搭載される電子部品と、こ
れらを覆うトランスファーモールド樹脂とを有する混成
集積回路装置において、前記配線基板の表面の一部が前
記トランスファーモールド樹脂で封止されず露出してい
る。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明をフラットパッケージ型のトランスファ
ーモールド樹脂封止された混成集積回路に適用した例の
縦断面図である。配線基板１に半導体素子や小型チップ
部品等の電子部品２及び外部リード４を接続し、トラン
スファーモールド樹脂３で封止する。トランスファーモ
ールドは配線基板１の決められたある部分がトランスフ
ァーモールド樹脂３で覆われないようにその部分に密着
してトランスファーモールド樹脂３が流れ込まないよう
に作られた金型を用いておこなわれ、トランスファーモ
ールド樹脂３には配線基板１の一部が露出する凹部が作
られる。
。図１は本発明をフラットパッケージ型のトランスファ
ーモールド樹脂封止された混成集積回路に適用した例の
縦断面図である。配線基板１に半導体素子や小型チップ
部品等の電子部品２及び外部リード４を接続し、トラン
スファーモールド樹脂３で封止する。トランスファーモ
ールドは配線基板１の決められたある部分がトランスフ
ァーモールド樹脂３で覆われないようにその部分に密着
してトランスファーモールド樹脂３が流れ込まないよう
に作られた金型を用いておこなわれ、トランスファーモ
ールド樹脂３には配線基板１の一部が露出する凹部が作
られる。
【０００６】図２は第２実施例の縦断面図である。トラ
ンスファーモールド樹脂３の凹部で配線基板１の露出し
ているところにＥＰＲＯＭ７がダイボンディングされ基
板６上の配線５にボンディングワイヤ８により接続され
、透明封止樹脂９によりこの凹部が封止されている。 ＥＰＲＯＭは透明封止樹脂９を透過した紫外光により記
憶内容の消去がおこなわれる。
ンスファーモールド樹脂３の凹部で配線基板１の露出し
ているところにＥＰＲＯＭ７がダイボンディングされ基
板６上の配線５にボンディングワイヤ８により接続され
、透明封止樹脂９によりこの凹部が封止されている。 ＥＰＲＯＭは透明封止樹脂９を透過した紫外光により記
憶内容の消去がおこなわれる。
【０００７】図３は第３実施例の縦断面図である。配線
基板１の露出部の裏面に半導体素子１０がダイボンディ
ングされ電気的に接続されている。配線基板１の露出部
にはトランスファーモールド樹脂の凹部に嵌合するよう
な形状を持ったヒートシンク１２が接着剤１１で密着し
ている。半導体素子で発生し、配線基板１を伝わった熱
は、ヒートシンク１２により速やかに放熱される。
基板１の露出部の裏面に半導体素子１０がダイボンディ
ングされ電気的に接続されている。配線基板１の露出部
にはトランスファーモールド樹脂の凹部に嵌合するよう
な形状を持ったヒートシンク１２が接着剤１１で密着し
ている。半導体素子で発生し、配線基板１を伝わった熱
は、ヒートシンク１２により速やかに放熱される。
【０００８】図４は第４実施例の縦断面図である。露出
した配線基板１の配線５に大型チップ部品１３がハンダ
１４で付けられる。品質・信頼性上問題があれば配線基
板１，大型チップ部品１３は封止樹脂を上から滴下する
ことにより封止樹脂により覆われる。大型チップ部品は
配線基板１上に搭載した状態でトランスファーモールド
樹脂３の上面よりも上方に突き出ている。
した配線基板１の配線５に大型チップ部品１３がハンダ
１４で付けられる。品質・信頼性上問題があれば配線基
板１，大型チップ部品１３は封止樹脂を上から滴下する
ことにより封止樹脂により覆われる。大型チップ部品は
配線基板１上に搭載した状態でトランスファーモールド
樹脂３の上面よりも上方に突き出ている。
【０００９】図５は第５実施例の縦断面図である。露出
した配線基板１の配線５上に半固定抵抗１５がハンダ１
４で接続される。半固定抵抗１５は取付後上からつまみ
を回すことにより抵抗が調節される。露出した基板面及
びハンダ１４による接続部は封止樹脂により覆われるの
が品質・信頼性上好ましい。
した配線基板１の配線５上に半固定抵抗１５がハンダ１
４で接続される。半固定抵抗１５は取付後上からつまみ
を回すことにより抵抗が調節される。露出した基板面及
びハンダ１４による接続部は封止樹脂により覆われるの
が品質・信頼性上好ましい。
【００１０】図６は第６実施例である。第１〜第５実施
例のものでは上面にトランスファーモールド樹脂３の配
線基板１の一部を露出させる凹部が形成されているのに
対し、この実施例では下面に凹部が形成されている。こ
の実施例の混成集積回路装置は、先の実施例と同様の工
程で、またトランスファーモールド金型は同じものを用
いて樹脂封止し、最後に、外部リード４を先の実施例と
は逆の方向、すなわち、トランスファーモールド樹脂の
凹部の方向に折り曲げることによりでき上る。
例のものでは上面にトランスファーモールド樹脂３の配
線基板１の一部を露出させる凹部が形成されているのに
対し、この実施例では下面に凹部が形成されている。こ
の実施例の混成集積回路装置は、先の実施例と同様の工
程で、またトランスファーモールド金型は同じものを用
いて樹脂封止し、最後に、外部リード４を先の実施例と
は逆の方向、すなわち、トランスファーモールド樹脂の
凹部の方向に折り曲げることによりでき上る。
【００１１】上記各実施例において、トランスファーモ
ールド樹脂３の凹部を除く領域Ｄ（図１参照）の外部リ
ード上側の厚さｄ１（図１参照）と外部リード下側の厚
さｄ２を同じにすると、凹部がパッケージの上面に必要
であるものでも下面に必要でもあるものでも同じトラン
スファーモールド金型を用いて、凹部以外が同じ外形寸
法に標準化された混成集積回路装置をつくることができ
、金型の数が少数で済み、コストが少なくて済むという
利点がある。
ールド樹脂３の凹部を除く領域Ｄ（図１参照）の外部リ
ード上側の厚さｄ１（図１参照）と外部リード下側の厚
さｄ２を同じにすると、凹部がパッケージの上面に必要
であるものでも下面に必要でもあるものでも同じトラン
スファーモールド金型を用いて、凹部以外が同じ外形寸
法に標準化された混成集積回路装置をつくることができ
、金型の数が少数で済み、コストが少なくて済むという
利点がある。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、トランス
ファーモールド樹脂による封止を配線基板の全面に施さ
ずに一部を露出させたので、従来のトランスファーモー
ルド型の混成集積回路装置では搭載することのできなか
った、光を使用する素子，大型の電子部品（例えばトラ
ンスファーモールド樹脂内に納められる高さが２ｍｍに
対し高さがそれ以上のもの）、可動部分のある電子部品
が搭載可能となり、ハンダ付けを必要としフラックスに
よる汚染やトランスファーモールド時には１７０℃程度
の高温となるのでハンダの溶融の問題があるため半導体
素子のベアチップと同時に搭載することが困難であった
電子部品が容易に搭載できるようになり、又配線基板上
にヒートシンクを直接取付けられるために放熱性が良く
なり、より大きな電力を消費する半導体素子（例えば全
面をトランスファーモールド封止されたものが１Ｗ程度
に対し、図３の構造のものは、約３Ｗのもの）を搭載す
ることが可能となる。これらの効果によりトランスファ
ーモールド型混成集積装置の用途が大幅に拡大する。
ファーモールド樹脂による封止を配線基板の全面に施さ
ずに一部を露出させたので、従来のトランスファーモー
ルド型の混成集積回路装置では搭載することのできなか
った、光を使用する素子，大型の電子部品（例えばトラ
ンスファーモールド樹脂内に納められる高さが２ｍｍに
対し高さがそれ以上のもの）、可動部分のある電子部品
が搭載可能となり、ハンダ付けを必要としフラックスに
よる汚染やトランスファーモールド時には１７０℃程度
の高温となるのでハンダの溶融の問題があるため半導体
素子のベアチップと同時に搭載することが困難であった
電子部品が容易に搭載できるようになり、又配線基板上
にヒートシンクを直接取付けられるために放熱性が良く
なり、より大きな電力を消費する半導体素子（例えば全
面をトランスファーモールド封止されたものが１Ｗ程度
に対し、図３の構造のものは、約３Ｗのもの）を搭載す
ることが可能となる。これらの効果によりトランスファ
ーモールド型混成集積装置の用途が大幅に拡大する。
【図１】本発明の基本的構成を示した実施例の縦断面図
。
。
【図２】第２実施例の縦断面図。
【図３】第３実施例の縦断面図。
【図４】第４実施例の縦断面図。
【図５】第５実施例の縦断面図。
【図６】第６実施例の断面図。
【図７】従来例の縦断面図。
１ 配線基板
２ 電子部品
３ トランスファーモールド樹脂４ 外部
リード ５ 配線 ６ 基板 ７ ＥＰＲＯＭ ８ ボンディングワイヤ ９ 透明封止樹脂 １０ 半導体素子 １１ 接着剤 １２ ヒートシンク １３ 大型チップ部品 １４ ハンダ １５ 半固定抵抗
リード ５ 配線 ６ 基板 ７ ＥＰＲＯＭ ８ ボンディングワイヤ ９ 透明封止樹脂 １０ 半導体素子 １１ 接着剤 １２ ヒートシンク １３ 大型チップ部品 １４ ハンダ １５ 半固定抵抗
Claims (3)
- 【請求項１】 外部リードが接続した配線基板と、こ
の表面に搭載される電子部品と、これらを覆うトランス
ファーモールド樹脂とを有する混成集積回路装置におい
て、前記配線基板の表面の一部が前記トランスファーモ
ールド樹脂で封止されていないことを特徴とする混成集
積回路装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の混成集積回路装置にお
いて、前記トランスファーモールド樹脂の前記外部リー
ドを境としてその上側の厚さと下側の厚さが前記配線基
板が露出した領域を除いて同じであることを特徴とする
混成集積回路装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の混成集
積回路装置において、前記トランスファーモールド樹脂
で封止されていない領域の配線基板面に電子部品あるい
は放熱体を搭載したことを特徴とする混成集積回路装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9462091A JPH04324963A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9462091A JPH04324963A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324963A true JPH04324963A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14115304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9462091A Pending JPH04324963A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04324963A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009164564A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
| US8207607B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-06-26 | Denso Corporation | Semiconductor device with resin mold |
| JP2013030598A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 発熱デバイス |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP9462091A patent/JPH04324963A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009164564A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
| US8207607B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-06-26 | Denso Corporation | Semiconductor device with resin mold |
| US8749055B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-06-10 | Denso Corporation | Semiconductor device with resin mold |
| US9087924B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-07-21 | Denso Corporation | Semiconductor device with resin mold |
| JP2013030598A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 発熱デバイス |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990721 |