JPS6218060A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6218060A
JPS6218060A JP60157409A JP15740985A JPS6218060A JP S6218060 A JPS6218060 A JP S6218060A JP 60157409 A JP60157409 A JP 60157409A JP 15740985 A JP15740985 A JP 15740985A JP S6218060 A JPS6218060 A JP S6218060A
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JP
Japan
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film
plasma nitride
nitride film
parts
bonding pad
Prior art date
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JP60157409A
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English (en)
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Hiroki Fukui
福井　広己
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置特にそのボンディングパッド構造
に関する本のである。
〔従来の技術〕
従来、ポリシリを便用する高信頼度高速バイポーラ半導
体装置などに２いては、チタン（以後Ｔｉと略す）と白
金（以後ｐｔと略す）と金（以後Ａｕと略す）の多層電
極で形成されるボンディングパッドを有している。
その高信頼度・高速バイポーラ半導体装置において、二
層配線を形成する場合、一層目の配線は、ポリシリコン
と金属とのシリサイド膜で形成され、また、抵抗として
シリサイド化されない上記ポリシリコン（以後ポリシリ
抵抗と記す）が利用されている。
更に、その上に層間膜としてプラズマ窒化膜を形成し、
更に、その上に二層目の配線がＴｉとＰｔとＡｕの多層
構造で形成されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の構造では、ポリシリ抵抗をプラズマ窒化
膜で全面覆う構造となっているので、低温のアニールに
より、ポリシリ抵抗の電気伝導度が大幅に増加する事が
一般に知られて２つ、例えば、沖を気研究開発第１１７
号ＹＯ１４９Ｎａ２ｒプラズマ窒化膜の多結晶シリコン
抵抗への影響」Ｐ８４右側１１４にｒＰ−８ｉＮ層の中
に含まれている窒素あるいは、水素がアニールによって
素子内部へ拡散し、Ｐｏ１ｙ−８ｉのダングリングボン
ドと結合する」と書かれている。
上述した問題に対する対策として、プラズマ窒化膜で形
成された眉間膜の代りに、気相成長法で形成した酸化膜
を層間膜として使用すれば、窒素あるいは水素による影
響を除去する事ができ、ポリシリ抵抗の電気伝導度の大
幅な増加を抑える事ができる。その場合、その眉間膜と
しての酸化膜とＴｉ　との密着性が悪いために、ボンデ
ィング時に加わる機械的応力に耐える事ができず、ボン
ディング不良を生ずる欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明σ１的は、低温のアニールを施しても、ポリシリ
コンの電気伝導度に影響を与えない眉間膜を有した構造
において、ボンディング時に加わる機械的応力に耐える
事ができる高信頼度なボンディング・パッド構造を提供
する事にある。
本発明による構造は、多層金属電極で構成されるボンデ
ィング・パッドを有する構造において、そのボンディン
グ・パッドの直下に接してプラズマ窒化膜が設けられて
Ｓす、かつ、ボンディング・パッド以外の部分のプラズ
マ窒化膜は除去された構造を有する事を特敵としている
。
〔実施例〕
第１図は、本発明の一実施例の最終断面図である。
本実施例の製造プロセスは、まず第２図のよりに、半導
体基板１上の一生面に設けたフィールド酸化膜２上に、
一層目の配線としてのポリシリ配線３を形成する。この
ポリシリ配線３は、例えば、化学的気相成長技術で、全
面に成長させたポリシリコンを既存のホスト１／シスト
技術（以下ＰＲ技術と略す）及びドライエツチング技術
でパターニングする事により、または、上述のポリシリ
コンを選択的酸化でパターニングする事により、形成す
る事ができる。その上に、層間膜として、気相成長法で
形成した酸化膜４及びＴｉ　と密着がよく、ボンディン
グ性が良好となる膜としてプラズマ窒化膜５を形成する
。
さらに第３図に示す様に、既存のＰＲ技術Ｓよびドライ
エツチング技術で、ボンディング・パッドを構成する部
分以外のプラズマ窒化膜５をエツチング除去する。
さらは、第４図の様に、二層目の配線としてのＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ　　多層電極を、既存のりフトオフ技術を用い
てＴｉ／Ｐｉを形成し、さらにその上に、Ａｕ蒸着また
はＡｕメッキ等により、形成すると共に、プラズマ窒化
膜が残っている部分上には、ボンディングパッド部１０
を形成する。
最後に、第１図番こよれば、パッジベージ薔ン膜として
、ポリイミド９を形成する。この場合、ポリイミドは、
ボンディングパッド部１０を既存のＰＲ技ｖｒＩ′ｊ６
よびエツチング技術で選択的に除去し。
形成される。次に、組立工程に２いてボンディングパッ
ド部１ｏにボンディングワイヤー１１を形成して成る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明により、プラズマ窒化膜の
影響によって生ＩＺるポリシリ抵林の＃ダ伝導度の変化
を抑制する事ができると共に、ボンディング時に加わる
機械的応力にも耐えうる高信頼度なボンディングパッド
構造を提供できるので、その効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のボンディングパッド構造である。第２
図、第３図、第４図は、本発明によるボンディングパッ
ド構造の製造工程を示す各＠面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・−・・フィールド
酸化膜、３・・・・・・ポリシリ配線、４・・・・・・
酸化膜、５・・・・・・プラズマ窒化膜、６・・・・・
・Ｔｉ膜、７・・・・・・Ｐｉ膜、８・・・・・・Ａｕ
配線、９・・・・・・ポリイミド、１０・・・・・・ボ
ンディングパッド部、１１・・・・・・ボンディングワ
イヤー。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　多層金属電極で構成されるボンディングパッドを有す
    る構造において、該ボンディングパッドの直下に接して
    、プラズマ窒化膜が設けられており、かつ、該ボンディ
    ングパッド以外の部分のプラズマ窒化膜は除去された構
    造を有する事を特徴とする半導体装置。
JP60157409A 1985-07-16 1985-07-16 半導体装置 Pending JPS6218060A (ja)

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JP60157409A JPS6218060A (ja) 1985-07-16 1985-07-16 半導体装置

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JP60157409A JPS6218060A (ja) 1985-07-16 1985-07-16 半導体装置

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JPS6218060A true JPS6218060A (ja) 1987-01-27

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ID=15648999

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JP60157409A Pending JPS6218060A (ja) 1985-07-16 1985-07-16 半導体装置

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JP (1) JPS6218060A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0330347A (ja) * 1989-06-27 1991-02-08 Toshiba Corp 半導体装置
JPH03237723A (ja) * 1990-02-14 1991-10-23 Nec Yamagata Ltd 半導体装置の製造方法
US5424581A (en) * 1992-07-08 1995-06-13 National Semiconductor Crater prevention technique for semiconductor processing
JP2012089901A (ja) * 2012-02-09 2012-05-10 Rohm Co Ltd 半導体装置
CN105679729A (zh) * 2014-12-04 2016-06-15 富士电机株式会社 半导体器件及半导体器件的制造方法

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