JP4800529B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4800529B2 JP4800529B2 JP2001298326A JP2001298326A JP4800529B2 JP 4800529 B2 JP4800529 B2 JP 4800529B2 JP 2001298326 A JP2001298326 A JP 2001298326A JP 2001298326 A JP2001298326 A JP 2001298326A JP 4800529 B2 JP4800529 B2 JP 4800529B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- film
- opening
- metal
- adhesive sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明はパターン形成方法に係り、詳しくは、基板上での所望の領域(例えば、バンプ形成領域)に金属膜をパターニングする技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの金属電極形成方法として、ホトリソグラフィーを用いたパターン形成方法がよく知られており、これにより、所望の領域に電極を形成することができる。また、この他の手法としてフリップチップでのCuバンプ用のアンダーバンプメタル(以下、UBM膜という)の形成の際に、保護膜と下地電極との密着性の差を利用して粘着シートよりUBM膜を選択的にシートで除去する手法も提案されている(特開2001−35854号公報)。
【0003】
ところが、前述のホトリソグラフィーを用いたパターン形成方法においては、ホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高いという問題がある。また、UBM膜を選択的に粘着シートで除去する方法に関しては、更に安定して剥離を行いたいという要求がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は新規な構成にて絶縁膜の開口部内に金属膜をパターニングすることができるようにすることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載のパターン形成方法によれば、導電性材料の上に成膜した絶縁膜に対し端部がテーパとなった開口部をパターニングする工程と、上記開口部内を含めた上記絶縁膜の上に多層構造の金属膜を成膜する工程と、上記金属膜の上面に粘着シートを貼り付ける工程と、上記粘着シートを剥がすことにより、上記テーパ部を含めた開口部内に金属膜を残すとともにその周辺の絶縁膜上の金属膜を除去してパターニングする工程と、を含み、上記多層構造の金属膜のうちの最下層にある第1の金属膜として、チタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を成膜するとともに、上記第1の金属膜の上の第2の金属膜として、ニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を成膜して、該第2の金属膜の膜厚により上記第1の金属膜と下地との界面にかかる応力を調整し、上記粘着シートを貼り付ける工程では、上記テーパ部を含めた開口部内に成膜された金属膜の内底縁との間に空洞が形成されるように、上記粘着シートを貼り付けることとしている。これにより、絶縁膜と金属膜との間の密着力を低下させることができ、剥離を容易に行わせることが可能となる。そのため、テーパ部を含めた開口部内に金属膜が残されるとともにその周辺の絶縁膜上の金属膜が除去され易くなり、金属膜が絶縁膜の開口部内にパターニングされる。よって、従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなることが回避される。
また、請求項1に記載のパターン形成方法において、請求項2に記載のように、上記開口部をパターニングする工程として、上記絶縁膜の表層部に改質層を形成する工程と、開口部形成のためのエッチングを行うことにより改質層の開口端部を逆テーパにする工程とをさらに含み、上記開口部内を含めた上記絶縁膜の上に金属膜を成膜する工程では、上記改質層の開口端部の逆テーパ形状に起因して、上記開口部内に成膜された金属膜と上記開口端部の逆テーパ部との間に隙間が形成されるようにすると、テーパ部を含めた開口部内により金属膜を残し易くなる。
【0006】
また、請求項3に記載のように、請求項1または2に記載のパターン形成方法における金属膜の上面に粘着シートを貼り付ける工程において、テーパ部を含めた開口部内での金属膜と粘着シートの接着力が、開口部周辺での絶縁膜上の金属膜と粘着シートの接着力よりも弱くなるようにするとよい。
【0007】
また、請求項4に記載のように、粘着シートを剥がす工程において、多層構造の金属膜のうちの最下層にある第1の金属膜に内部亀裂を生じさせる第1段階と、第1の金属膜とその上の第2の金属膜の界面で微量亀裂を進展させる第2段階と、第2の金属膜および、その上面の第3の金属膜に内部亀裂を生じさせる第3段階とを含むものとするとよい。
【0008】
このとき、請求項5に記載のように、前記第3の金属膜として、金、銅、銀、白金、鉄、錫、またはCu−Sn合金の膜を成膜するようにするとよい。
また、請求項6に記載のパターン形成方法によれば、導電性材料の上に成膜した絶縁膜の表層部に改質層を形成する工程と、上記絶縁膜に対し開口部を形成するためのエッチングを行うことにより改質層の開口端部を逆テーパにする工程と、上記開口部内を含めた上記絶縁膜の上に金属膜を成膜する工程と、上記金属膜の上面に粘着シートを貼り付ける工程と、上記粘着シートを剥がすことにより、上記開口部内に金属膜を残すとともにその周辺の絶縁膜上の金属膜を除去してパターニングする工程と、を含むこととしている。これにより、逆テーパ部を含めた開口部内に金属膜を残し易くなる。
【0012】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、この発明を具体化した第1の実施の形態を図面に従って説明する。
【0013】
図1〜図5には、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す。本実施形態においては、一般にダイオードと呼ばれる半導体デバイスでの電極形成(表面電極パターンの製造)に適用しており、図5のごとく電極としてはんだバンプ9を有している。
【0014】
まず、図1に示すように、半導体基板であるP型シリコン基板1を用意する。そして、ウエハ状態のシリコン基板1の上に、CVD法などにより絶縁膜2を成膜する。この絶縁膜2は、SiO2膜やBPSG(Boron−Phosphorus Silicate Glass)膜やPSG(Phosphorus Silicate Glass)膜などから成る。さらに、この絶縁膜2に対しシリコン基板内部(バルク部分)と導通を得るためにフォトリソグラフィー手法により開口部3を形成する(パターニングする)。この開口部3の端部は順テーパとなっており、上方ほど幅広となっている。詳しくは、薬液によるウェットエッチングプロセスや等方性ドライエッチングを用いることにより、開口部3の端部を順テーパにする。
【0015】
引き続き、ウエハ状態のシリコン基板1に対し一般的な半導体デバイス製造技術を用いてN型拡散層4を形成する。
引き続き、図2に示すように、ウエハ状態のシリコン基板1の上、つまり、開口部3内を含めた絶縁膜2の上に、金属膜5,6,7を順に成膜する。
【0016】
図2において、第1の層である金属膜5は、下地用シリコン層4と良好な接合を形成するための膜であり、具体的には、チタン薄膜を用いている。なお、チタン薄膜の代わりに、前述の目的を達成する他の金属膜、例えばバナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステンまたは、これらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金などを用いてもよい。図2において、第2の層である金属膜6は、下地の金属膜5と基板1との界面にかかる応力を調整するための膜であり、具体的にはニッケル薄膜を用いている。なお、ニッケル薄膜の代わりに、前述の目的を達成する他の金属膜、例えば、銅、パラジウム、または、これらの金属を主成分とする合金などを用いてもよい。この金属膜6により、以降の工程において絶縁膜2と金属膜5との間の密着力を剥離可能な範囲まで低下させて金属膜5を絶縁膜2から容易に剥離させることができるようになる。ここで、金属膜5と金属膜(応力調整膜)6の積層膜は全応力(Total Stress)、つまり、膜厚と内部応力を乗算したもの(全応力=膜厚×内部応力)が30N/m以上である。
【0017】
図2において、第3の層である金属膜7は、はんだ濡れ性の良好な膜であり、具体的には金(Au)を用いている。なお、金(Au)の代わりに前述の目的を達成する他の金属膜、例えば銅、銀、白金,鉄,錫、Cu−Sn合金などを用いてもよい。また、金属膜7は金属膜6にニッケルなど、はんだ濡れ性の良い金属を用いた場合は省略することも可能である。しかし、ニッケル表面が酸化するとはんだ濡れ性が劣化するため、金属膜7を用いることが望ましい。
【0018】
上述の3つの金属膜5,6,7は、図6に示したような、大気に暴露することなく、真空中で連続成膜可能なスパッタリング装置により成膜する。つまり、真空チャンバー15にはその一端部にウエハ投入口16が、また、他端部にウエハ取り出し口17が設けられ、さらに同チャンバー15には第1金属膜用ターゲット18と第2金属膜用ターゲット19と第3金属膜用ターゲット20が配置されている。そして、真空チャンバー15内においてウエハを搬送しつつ膜5、6、7を順に成膜することができるようになっている。また、真空チャンバー15の近傍にはコントロールパネル21が配置されている。この図6の装置を使用することにより金属膜間に酸化膜を形成することなく成膜できる。
【0019】
なお、図6の形状の装置でなくても、真空を破ること無く搬送することが可能であれば、異なるスパッタリング装置または蒸着装置においても実現可能である。
【0020】
そして、上述の金属膜5,6,7の成膜後、図6のスパッタリング装置からウエハ状シリコン基板1を取り出し、真空チャック等でウエハ状シリコン基板1を固定し、図3に示すように、金属膜7の上面に粘着シート(粘着フィルム)8を貼り付ける。粘着シート8はシート基材(フィルム材)8aと粘着剤(粘着層)8bからなる。
【0021】
次に、粘着シート8を、図7に示すように、ウエハ状基板1上から静かに剥ぎ取ると、図4に示すように、テーパ部を含めた開口部3内に金属膜5,6,7を残すとともにその周辺の絶縁膜2の上の金属膜5,6,7(不要部分の金属膜5,6,7)が半導体デバイスから除去される。つまり、図8に示すように、絶縁膜2における平坦部上の金属膜5,6,7はウエハ状シリコン基板1上から除去(剥離)されるが、テーパ部を含めた開口部3内でシリコンと接する金属膜5,6,7はウエハ状基板1に残存する。これにより、金属膜5,6,7がパターニングされる。このように絶縁膜2の平坦部上の金属膜5,6,7を剥離するとともにテーパ部を含めた開口部3内に金属膜5,6,7を残存させるためには、図3のシート貼り付け時に、開口部3の端部の絶縁膜テーパ部に粘着シート8が完全には密着しないで空洞Sが形成されるようにすることが好ましい。また、金属膜7の上面に粘着シート8を貼り付ける工程において、テーパ部を含めた開口部3内での金属膜7と粘着シート8の接着力が、開口部周辺での絶縁膜2上の金属膜7と粘着シート8の接着力よりも弱くすることにより、テーパ部を含めた開口部3内での金属膜5,6,7を残し、その他の絶縁膜2の上の金属膜5,6,7を剥離することが可能となる。
【0022】
具体的な、粘着シート8の貼り付け時における密着性をコントロールする手法として、
(i)図3での粘着シート8の粘着剤8bにおける厚みt1の調整、
(ii)粘着シート8の粘着剤8bにおける引張り初期弾性率の調整、
(iii)図3の粘着シート8のシート基材8aにおける厚さ(フィルム厚さ)t2の調整、
の3つのやり方がある。
(i)に関して、粘着剤8bの厚みt1は、5μm〜80μmとするのが好ましい。80μm以上では、開口部3のテーパ部に粘着剤8bがほぼ完全に密着するため、テーパ部上の金属膜5,6,7を部分的に剥離してしまう場合がある。5μm以下の場合は、絶縁膜2の平坦部上の金属膜5,6,7への粘着剤8bの密着が悪くなるため、この部分の剥離性が悪くなる。このため、粘着剤8bの厚みt1として、より好ましくは15μm〜60μmの範囲、さらに好ましくは25μm〜50μmとするのがよい。
(ii)に関して、粘着剤8bの引張り初期弾性率を0.05〜2MPaの範囲とする。初期弾性率が0.05MPa以下の場合は開口部3のテーパ部へほぼ完全に粘着剤8bが密着するため、テーパ部上の金属膜5,6,7が部分的に剥離してしまう場合がある。2MPa以上の場合は、絶縁膜2の平坦部上の金属膜5,6,7への粘着剤8bの密着が悪くなるため、この部分の剥離性が悪くなる。このため、粘着剤8bの引張り初期弾性率として、より好ましくは0.1〜1MPaの範囲とするのがよい。
(iii)に関して、シート基材8aのフィルム厚さt2を20μm〜150μmの範囲とする。シート基材8aの厚みt2が20μm以下の場合は開口部3のテーパ部へほぼ完全に粘着剤8bが密着するため、テーパ部上の金属膜5,6,7が部分的に剥離してしまう場合がある。また、引き剥がし時の応力によりシート自体が伸び、剥離が均一に行われなくなるという不具合も生じる。一方、シート基材8aの厚みt2が150μm以上の場合は、絶縁膜2の平坦部上の金属膜5,6,7への粘着剤8bの密着が悪くなるため、この部分の剥離性が悪くなる傾向にある。このため、シート基材8aの厚みt2として、より好ましくは35μm〜100μmとするのがよい。さらに好ましくは、50μm〜80μmとするのがよい。
【0023】
なお、図7では、粘着シート8は、ウエハ状のシリコン基板1と同一形状にカットされているが、これは、ウエハ状基板1の搬送や一時保管を容易にするためである。搬送や一時保管をする必要が無いときは、粘着シート8の形状は、ウエハ状基板1と同一形状である必要はなく、ウエハ状基板1より大きなサイズであって、かつ、円形でも、四角形でも問題はない。特に、一時保管をする必要がない場合は、ウエハ状基板1より大きなサイズである方が引き剥がし易く、むしろ好ましい。
【0024】
引き剥がしの原理は、以下の通りである。
本実施形態の第1の金属膜5であるチタンはシリコンだけでなく絶縁膜2とも良好な接合を形成する。このため、通常、絶縁膜2とチタン薄膜5の間を剥がすことは困難である。しかし、図2に示すように、チタン薄膜5の上部にニッケル薄膜6を成膜すると、剛性率および成膜時の熱膨張率の差からニッケル薄膜6の内部に大きな膜応力(引張応力)が発生する。このとき、チタン薄膜5の膜厚を1μm以下とし、上述のようにチタン薄膜5とニッケル薄膜6との間に酸化膜を形成することなく成膜すると、応力の影響はチタン薄膜5と絶縁膜2の界面まで及び、その結果、チタン薄膜5と絶縁膜2との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。
【0025】
このように、多層構造の金属膜5,6,7のうち、少なくとも1層が引張応力である。つまり、金属膜5の上に、当該金属膜5と下地の界面にかかる応力を調整するための引張応力調整膜6が形成され、この応力調整膜6により、絶縁膜2と金属膜5との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。
【0026】
ここで、金属膜5,6は柱状構造を有しており、シートの引き剥がし工程において剥離が絶縁膜2での開口部端部まで進展した際、剥離を促進していた膜応力は金属膜5の内部に向かって進展する。金属膜5が柱状構造の場合、その構造に沿って内部破壊が進展し、金属膜6の界面まで進展する。その後、金属膜5と6の界面で剥離を起こすが、金属膜6の粒界に到達すると、金属膜6の柱状構造粒界を進展していく。即ち、シート剥がし工程は、多層構造の金属膜5,6,7のうちの最下層にある第1の金属膜5に内部亀裂を生じさせる第1段階と、第1の金属膜5とその上の第2の金属膜6の界面で微量亀裂を進展させる第2段階と、第2の金属膜6および、その上面の第3の金属膜7に内部亀裂を生じさせる第3段階とを含んでいる。金属膜5,6を柱状構造とするためには、材料にチタンやニッケルもしくは、銅やパラジウムなどを用い、基板温度200℃以上の状態でスパッタリングを行えばよい。
【0027】
また、金属膜が複数の金属膜5,6,7からなる多層構造であるので、図4に示すように、絶縁膜2での開口部端部のテーパ部上にも階段状に金属膜5,6,7が残存する。これにより、金属膜5と絶縁膜2の間で剥離の発生するもととなるクラックなどの発生を抑えることができる。
【0028】
このようにして、従来のホトリソグラフィーを用いた方法においてはホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなるのに対し、本実施形態においては、剥離が容易で、かつ、低コストに、金属膜5,6,7を所望の領域(絶縁膜2の開口部3)にパターニングすることができる。
【0029】
製造工程の説明に戻り、次に、図5に示すように、金属膜5,6,7の上にはんだ(電極)9を形成する。また、基板1の裏面に裏面電極用金属膜10を全面に形成する。
【0030】
よって、半導体装置の構造として、図5のように、導電性材料4の上面に絶縁膜2が形成されるとともに、絶縁膜2に開口部3がパターニングされ、この開口部3において金属膜5,6,7を介して電極9を配置した半導体装置であって、開口部3の端部をテーパにし、このテーパ部を含めた開口部3内に金属膜5,6,7を配したものとなる。また、金属膜5,6,7が2層以上の積層構造であり、金属膜5,6が柱状構造となっている。
(第2の実施の形態)
次に、第2の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【0031】
図9〜図13には、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す。第1の実施の形態においては図1に示したように絶縁膜2の開口部3の端部でのテーパ形状は順テーパであったが、本実施形態においては図10に示すように絶縁膜2の表層部においては逆テーパとしている。即ち、開口部3の端部は、順および逆テーパとなっている。
【0032】
以下、詳しく説明する。
まず、図9に示すように、シリコン基板1の上に絶縁膜2を成膜した後に、絶縁膜2の表面に対し改質処理(例えば、熱処理や拡散処理など)を行う。これにより、絶縁膜2の表層部に、エッチングレートがわずかに異なる改質層2aができる。次に、改質層2aを有する絶縁膜2に対し開口部形成のためのエッチングを行うと、図10に示すように絶縁膜2の改質層2aの開口端部は逆テーパ形状のエッジ部31となる。そして、図11に示すように、金属膜5,6,7を成膜する。このとき、逆テーパ形状のエッジ部31において隙間(ボイド)S1が形成される。
【0033】
さらに、図12に示すように粘着シート8を貼り付ける。引き続き、粘着シート8を剥がすと、図13に示すように、テーパ部を含めた開口部3内に金属膜5,6,7が残される。このシート剥がしの際に、エッジ部31が起点となり、パターニングがより容易になる。
【0034】
なお、逆テーパエッジ形状は、いろいろな方法で形成可能であるため、改質層2aが無くても、エッジ部31が得られればよい。また、テーパ部全体が逆テーパ状になっていても、半導体装置として支障がなければ、使用可能である。
【0035】
これまでの説明において図5での導電性材料としてN型拡散層4を用いたが、図14に示すように、シリコン基板40の上面に金属膜(アルミ膜等)41を形成し、この金属膜41を導電性材料とした場合に適用してもよい。つまり、金属膜41の上面に絶縁膜42が形成されるとともに、絶縁膜42に開口部43がパターニングされ、この開口部43において金属膜44,45,46を介して電極47を配置する際に、開口部43の端部をテーパにし、このテーパ部を含めた開口部43内に金属膜44,45,46を配するようにしてもよい。
【0036】
また、金属膜は3つの金属膜5,6,7を積層したものとしたが、これに限ることなく、単層の膜としたり2層の積層体や4層以上の積層体としてもよい。図15には、図2に代わる単層の膜(金属膜)50とした場合を示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態におけるダイオードの製造工程を示す断面図。
【図2】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図3】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図4】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図5】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図6】スパッタリング装置を示す斜視図。
【図7】粘着シートの剥がし工程を説明するための斜視図。
【図8】粘着シートの剥がし工程を説明するための断面図。
【図9】第2の実施の形態におけるダイオードの製造工程を示す断面図。
【図10】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図11】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図12】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図13】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図14】別例の半導体装置を示す断面図。
【図15】別例の半導体装置を示す断面図。
【符号の説明】
1…P型シリコン基板、2…絶縁膜、2a…改質層、3…開口部、4…N型拡散層、5…金属膜(チタン薄膜)、6…金属膜(ニッケル薄膜)、7…金属膜(金薄膜)、8…粘着シート、31…逆テーパエッジ部、40…シリコン基板、41…金属膜、42…絶縁膜、43…開口部、44…金属膜、45…金属膜、46…金属膜、50…金属膜。
Claims (6)
- 導電性材料(4)の上に成膜した絶縁膜(2)に対し端部がテーパとなった開口部(3)をパターニングする工程と、
前記開口部(3)内を含めた前記絶縁膜(2)の上に多層構造の金属膜(5,6,7)を成膜する工程と、
前記金属膜(5,6,7)の上面に粘着シート(8)を貼り付ける工程と、
前記粘着シート(8)を剥がすことにより、前記テーパ部を含めた開口部(3)内に金属膜(5,6,7)を残すとともにその周辺の絶縁膜(2)上の金属膜(5,6,7)を除去してパターニングする工程と、
を含み、前記多層構造の金属膜(5,6,7)のうちの最下層にある第1の金属膜(5)として、チタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を成膜するとともに、前記第1の金属膜(5)の上の第2の金属膜(6)として、ニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を成膜して、該第2の金属膜(6)の膜厚により前記第1の金属膜(5)と下地との界面にかかる応力を調整し、前記粘着シート(8)を貼り付ける工程では、前記テーパ部を含めた開口部(3)内に成膜された金属膜(5,6,7)の内底縁との間に空洞(S)が形成されるように、前記粘着シート(8)を貼り付けることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記開口部(3)をパターニングする工程として、前記絶縁膜(2)の表層部に改質層(2a)を形成する工程と、開口部形成のためのエッチングを行うことにより改質層(2a)の開口端部を逆テーパにする工程とをさらに含み、
前記開口部(3)内を含めた前記絶縁膜(2)の上に金属膜(5,6,7)を成膜する工程では、前記改質層(2a)の開口端部の逆テーパ形状に起因して、前記開口部内に成膜された金属膜(5,6,7)と前記開口端部の逆テーパ部との間に隙間(S1)が形成されるようにしたことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記金属膜(5,6,7)の上面に粘着シート(8)を貼り付ける工程において、前記テーパ部を含めた開口部(3)内での金属膜(5,6,7)と粘着シート(8)の接着力が、開口部周辺での絶縁膜(2)上の金属膜(5,6,7)と粘着シート(8)の接着力よりも弱いことを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。
- 前記粘着シート(8)を剥がす工程において、前記多層構造の金属膜のうちの最下層にある第1の金属膜(5)に内部亀裂を生じさせる第1段階と、第1の金属膜(5)とその上の第2の金属膜(6)の界面で微量亀裂を進展させる第2段階と、第2の金属膜(6)および、その上面の第3の金属膜(7)に内部亀裂を生じさせる第3段階とを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記第3の金属膜(7)として、金、銅、銀、白金、鉄、錫、またはCu−Sn合金の膜を成膜することを特徴とする請求項4に記載のパターン形成方法。
- 導電性材料(4)の上に成膜した絶縁膜(2)の表層部に改質層(2a)を形成する工程と、
前記絶縁膜(2)に対し開口部(3)を形成するためのエッチングを行うことにより改質層(2a)の開口端部を逆テーパにする工程と、
前記開口部(3)内を含めた前記絶縁膜(2)の上に金属膜(5,6,7)を成膜する工程と、
前記金属膜(5,6,7)の上面に粘着シート(8)を貼り付ける工程と、
前記粘着シート(8)を剥がすことにより、前記開口部(3)内に金属膜(5,6,7)を残すとともにその周辺の絶縁膜(2)上の金属膜(5,6,7)を除去してパターニングする工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001298326A JP4800529B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001298326A JP4800529B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003100654A JP2003100654A (ja) | 2003-04-04 |
JP4800529B2 true JP4800529B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=19119242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001298326A Expired - Fee Related JP4800529B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4800529B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5434087B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2014-03-05 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置とその半導体装置のハンダ付け方法 |
WO2011058859A1 (ja) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 電極パターンの形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01196148A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-07 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
JP3524221B2 (ja) * | 1995-07-05 | 2004-05-10 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH1154455A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH11145173A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3161406B2 (ja) * | 1998-02-13 | 2001-04-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4788017B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2011-10-05 | 株式会社デンソー | 膜の形成方法および電極あるいは配線の形成方法 |
JP3387478B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2003-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001298326A patent/JP4800529B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003100654A (ja) | 2003-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101046064B1 (ko) | 박막소자 제조방법 | |
JP3810204B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
US4112196A (en) | Beam lead arrangement for microelectronic devices | |
TWI720936B (zh) | 化合物半導體元件及其背面銅製程方法 | |
JP4800529B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP2964999B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US6548386B1 (en) | Method for forming and patterning film | |
JPH07221181A (ja) | 半導体素子の金属配線の形成方法 | |
JP4774575B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP2000021914A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0964050A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JPH0555228A (ja) | 半導体装置 | |
JP4788017B2 (ja) | 膜の形成方法および電極あるいは配線の形成方法 | |
JPH03101234A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03101233A (ja) | 電極構造及びその製造方法 | |
JPS6218060A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0797587B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0373535A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100883864B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
JPH07183305A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
JPH08293521A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0715909B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2867443B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03112135A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3298781B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101015 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110308 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110608 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110615 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110802 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110804 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |