JPH03185828A - 配線法 - Google Patents
配線法Info
- Publication number
- JPH03185828A JPH03185828A JP32503089A JP32503089A JPH03185828A JP H03185828 A JPH03185828 A JP H03185828A JP 32503089 A JP32503089 A JP 32503089A JP 32503089 A JP32503089 A JP 32503089A JP H03185828 A JPH03185828 A JP H03185828A
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- JP
- Japan
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- wiring
- electrode wiring
- integrated circuit
- iron
- etching
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- Pending
Links
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は集積回路装置の電極配線法に係り、電極配線材
料に関する。
料に関する。
[従来の技術コ
従来、集積回路装置における電極配朦材料は、At又は
A/、合金t Ou # Au等が単層あるいは’[’
l −P t −A uの如く多層にて用いられるの
が通例であり、最近はW又はWTi等の合金も用いられ
る様になった。
A/、合金t Ou # Au等が単層あるいは’[’
l −P t −A uの如く多層にて用いられるの
が通例であり、最近はW又はWTi等の合金も用いられ
る様になった。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、上記従来技術によると、At及びA/。
合金ハエレフトロマイグレーションによる断線カ起り易
く、Ou、Au等は、加工が困難であり、W及びW合金
は電気抵抗値が高いと云う課題があった。
く、Ou、Au等は、加工が困難であり、W及びW合金
は電気抵抗値が高いと云う課題があった。
本発明はかかる従来技術の課題を解決し、エレクトロマ
イグレーションが発生し難り、加工も容易であり、且つ
電気抵抗値もW及びW合金より゛は小なる集積回路装置
の電極配線に用いる新らしい材料を提供する事を目的と
する。
イグレーションが発生し難り、加工も容易であり、且つ
電気抵抗値もW及びW合金より゛は小なる集積回路装置
の電極配線に用いる新らしい材料を提供する事を目的と
する。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するために、不発明は、配線法に係り、
集積回路装置の電極配aを鉄(Fe)又は鉄−硅素(I
F e −S i )等の鉄(Fe)合金等から成る配
線と威す手段を取る。
集積回路装置の電極配aを鉄(Fe)又は鉄−硅素(I
F e −S i )等の鉄(Fe)合金等から成る配
線と威す手段を取る。
[実施例コ
以下、実施例により本発明を詳述する。
今、81半導体集積回路装置の電極配線に関し、従来の
Atスパッタ法に代え、Feスパッタ法によりFe膜を
形成し、ホト・エツチングにより電極配線を形成する事
ができる。該、Fe電極配線の作用は、集積回路内の電
子の導通な計る上でAtよりは高い電気抵抗を有するが
、Wよりは低い電気抵抗となり、且つアルミニウム配線
に起す易いエレクトロマイグレーションの発生はW同様
に起り難いと云う作用もあり、更に、前述の如(、Fe
膜のホト・エツチング処理は、通常のドライ・エツチン
グを用いる事ができる作用もあり、従来のAuやaUの
如く、ドライ・エツチングが困鍼であると云う事もない
。
Atスパッタ法に代え、Feスパッタ法によりFe膜を
形成し、ホト・エツチングにより電極配線を形成する事
ができる。該、Fe電極配線の作用は、集積回路内の電
子の導通な計る上でAtよりは高い電気抵抗を有するが
、Wよりは低い電気抵抗となり、且つアルミニウム配線
に起す易いエレクトロマイグレーションの発生はW同様
に起り難いと云う作用もあり、更に、前述の如(、Fe
膜のホト・エツチング処理は、通常のドライ・エツチン
グを用いる事ができる作用もあり、従来のAuやaUの
如く、ドライ・エツチングが困鍼であると云う事もない
。
次に、Fe−31等Fr合金の1を極配緘をスパッタ法
によりF e −S i膜を形成後、ホト・エツチング
により配線鳩となす事もでき、Si基板とのバリヤ層と
して用いたり、耐蝕性も向上したりする事もできる。
によりF e −S i膜を形成後、ホト・エツチング
により配線鳩となす事もでき、Si基板とのバリヤ層と
して用いたり、耐蝕性も向上したりする事もできる。
[発明の効果コ
本発明により、エレクトロマイグレーションの発生し難
い、且つ比較的低抵抗の集積回路装置の電極電線が加工
性も良く形成する事が出来る効果があると共に、電極材
料費が廉価にする事ができる効果もある。
い、且つ比較的低抵抗の集積回路装置の電極電線が加工
性も良く形成する事が出来る効果があると共に、電極材
料費が廉価にする事ができる効果もある。
以上
Claims (1)
- 集積回路装置の電極配線を鉄又は鉄−硅素等の鉄合金
等から成る配線と成す事を特徴とする配線法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32503089A JPH03185828A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 配線法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32503089A JPH03185828A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 配線法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03185828A true JPH03185828A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18172365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32503089A Pending JPH03185828A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 配線法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03185828A (ja) |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32503089A patent/JPH03185828A/ja active Pending
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