JPS63190342A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63190342A JPS63190342A JP2306887A JP2306887A JPS63190342A JP S63190342 A JPS63190342 A JP S63190342A JP 2306887 A JP2306887 A JP 2306887A JP 2306887 A JP2306887 A JP 2306887A JP S63190342 A JPS63190342 A JP S63190342A
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- Japan
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- electromigration
- phosphorus
- semiconductor device
- current density
- thickness
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置、特に半導体基板面に形成されて
、素子と配線の間および配線間を電気的に分離するリン
含有シリコン酸化膜の製造方法に関する。
、素子と配線の間および配線間を電気的に分離するリン
含有シリコン酸化膜の製造方法に関する。
従来の技術
半導体集積回路は、近時、高集積化ならびに高密度の方
向にあり、回路パターン寸法の微細化が進行している。
向にあり、回路パターン寸法の微細化が進行している。
このようなパターン寸法の微細化に伴い、回路構成素子
などの電気的特性との関連において、構造・配置及び加
工プロセスなどは大きく変革され始めている。各構成素
子間を電気的２ ベーン 相互接続する金属配線膜についても寸法微細化に伴い各
種の問題が生じている。
などの電気的特性との関連において、構造・配置及び加
工プロセスなどは大きく変革され始めている。各構成素
子間を電気的２ ベーン 相互接続する金属配線膜についても寸法微細化に伴い各
種の問題が生じている。
発明が解決しようとする問題点
特に、金属配線膜にみられる問題のひとつとして、いわ
ゆるエレクトロマイグレーションによる配線抵抗の増加
あるいは断線は、寸法微細化と共にクローズアップされ
た大きな問題点である。本発明はこの問題点を解決する
もので、エレクトロマイグレーションによる故障寿命を
向上するとと′ を目的とする。
ゆるエレクトロマイグレーションによる配線抵抗の増加
あるいは断線は、寸法微細化と共にクローズアップされ
た大きな問題点である。本発明はこの問題点を解決する
もので、エレクトロマイグレーションによる故障寿命を
向上するとと′ を目的とする。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するため、本発明は、Ａｆｌとシリコン
との電気的絶縁物であるリン含有シリコン酸化膜のリン
濃度を厚さ方向に制御するものである。
との電気的絶縁物であるリン含有シリコン酸化膜のリン
濃度を厚さ方向に制御するものである。
作 用
エレクトロマイグレーション現象は、電流密度による加
速要因が大きい。
速要因が大きい。
本発明は、リン濃度を厚さ方向に制御することにより、
コンタクトのエツチングによる形状を平３ ｌ−７ 坦にし、段差部での電流密度上昇を抑え、エレクトロマ
イグレーションによる故障寿命を向上する。
コンタクトのエツチングによる形状を平３ ｌ−７ 坦にし、段差部での電流密度上昇を抑え、エレクトロマ
イグレーションによる故障寿命を向上する。
実施例
第１図および第２図は、本発明の各実施例で達成される
半導体装置の断面図であり、リン含有シリコン酸化膜の
エツチング後の形状を示す。各図中、１はシリコン基板
、２は拡散領域、３はリン含有二酸化シリコン膜、４は
シリコン含有アルミニウム合金膜である。第１図は、リ
ン含有二酸化シリコン膜３のリン濃度が、下部から徐々
に上部になるにつれて、高い場合であり、第２図は、逆
に、下部から徐々にリン濃度を低くした場合である。リ
ン濃度が高いほど、エツチング率が高く、第１図、第２
図の各側のような形状になる。
半導体装置の断面図であり、リン含有シリコン酸化膜の
エツチング後の形状を示す。各図中、１はシリコン基板
、２は拡散領域、３はリン含有二酸化シリコン膜、４は
シリコン含有アルミニウム合金膜である。第１図は、リ
ン含有二酸化シリコン膜３のリン濃度が、下部から徐々
に上部になるにつれて、高い場合であり、第２図は、逆
に、下部から徐々にリン濃度を低くした場合である。リ
ン濃度が高いほど、エツチング率が高く、第１図、第２
図の各側のような形状になる。
エレクトロマイグレーション現象による故障寿命は、下
式のようにあられされる。
式のようにあられされる。
故障寿命一定数×（電流密度）−２ｘ ｅ ｘ ｐ （
０，６〜０．８／ボルツマン定数×配線温度） この式
から明らかなように、例えばコンタクト部でＡＩ！、配
線の断面積が平坦部の２分の１になれば、電流密度が２
倍、故障寿命が４分の１と、電流密度の加速要因が大き
い。
０，６〜０．８／ボルツマン定数×配線温度） この式
から明らかなように、例えばコンタクト部でＡＩ！、配
線の断面積が平坦部の２分の１になれば、電流密度が２
倍、故障寿命が４分の１と、電流密度の加速要因が大き
い。
発明の詳細
な説明したところから明らかなように、本発明のエレク
トロマイグレーションによる故障寿命の改善は、大幅な
効果を有している。
トロマイグレーションによる故障寿命の改善は、大幅な
効果を有している。
第１図および第２図は本発明の各実施例を示す要部断面
図である。 １・・・・シリコン基板、２・・・・拡散領域、３・・
・・・・絶縁膜（リン含有二酸化シリコン膜）、４・・
・・・シリコン含有アルミニウム合金膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 乙 −シリコン連取 ｍ；４ｖ１職 ｍ−すン舎、為二配馴′巳シリコツ医 −〉リコシ冶ド角アルミニウム 冶碩Ｖ筺 ２図 Δ
図である。 １・・・・シリコン基板、２・・・・拡散領域、３・・
・・・・絶縁膜（リン含有二酸化シリコン膜）、４・・
・・・シリコン含有アルミニウム合金膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 乙 −シリコン連取 ｍ；４ｖ１職 ｍ−すン舎、為二配馴′巳シリコツ医 −〉リコシ冶ド角アルミニウム 冶碩Ｖ筺 ２図 Δ
Claims (1)
- 半導体基板上に形成したリン含有シリコン酸化膜中のリ
ン濃度を、厚さ方向に制御することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2306887A JPS63190342A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2306887A JPS63190342A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190342A true JPS63190342A (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=12100086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2306887A Pending JPS63190342A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63190342A (ja) |
-
1987
- 1987-02-02 JP JP2306887A patent/JPS63190342A/ja active Pending
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