JPH03120722A - アルミニウム配線 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は集積回路装置におけるアルミニウム配線の耐マ
イグレーシヨン処理法に関する。

［従来の技術］ 従来、集積回路装置におけるアルミニウム（Ａｔ）配線
の耐マイグレーシヨン対策としては、Ａ４−０ｕ（１〜
２％）合金化したり、ＡＡ−Ｔｉ（１〜２％）合金化し
たり、あるいはＡ７配線の表面を酸化したり窒化したり
するのが通例であった。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によってもＡｔ配線の耐マイグレ
ーション性は充分ではな（、大電流密度では、やはりマ
イグレーションやヒロック生成が発生すると云う課題が
あった。

本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、集積回路装
置におけるＡｔ配線の耐マイグレーシヨン処理の新しい
方法を提供する事を目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、
Ａｔ配線に関し、集積回路装置におけるアルミニウム配
線に酸素イオン打込みまたは窒素イオン打込み処理を施
す手段をとる。

［実施例］ 以下、実施例により本発明を記述する。

いま、Ｓ１ウ工−ハ表面に１μｍ厚のフィールドＳｉＯ
□膜を形成し、該フィールド５ｉｎ２膜に１ｐｍ厚のＡ
ｔ膜（Ａｔ−Ｏｕ　、　Ａｔ−Ｔ　ｉ　。

Ａｔ−３ｉ　、　Ａｔ−５ｉ−Ｏｕ等の合金でも可）を
スパッタ法で形成し、１μｍのライン・アンド・スペー
スにてホト・エツチングし、Ａｔ配線を形成後、または
、形成前に１００〜２００ＫｅＶの加速エネルギーにて
、酸素イオン又は、窒素イオンをｌＸ１０”／（−１１
！程度打込み後、４００℃。

３０分のＮｉアニールを施しても耐マイグレーション性
は従来の約１桁向上することができる。

マイグレーションの発生する原因はＡＪａ膜の吸蔵水素
にあり、該吸蔵水素が結晶粒界に集合するのを酸素イオ
ンや窒素イオンが予じめ結晶粒界に析出する事により、
水素ガス泡の生成を防止する作用があり、ひいては、マ
イグレーションやヒロックの生成等を防止する作用があ
る。

の耐マイグレーション性を簡革な処理法により向上する
ことができる効果がある。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　集積回路装置におけるアルミニウム配線には酸素イオ
   ン打込みまたは窒素イオン打込み処理が施されて成る事
   を特徴とするアルミニウム配線。