JPS62221121A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、改良された前記保護膜を有する半導体装置に
関する。

〔発明の概要〕

本発明は、半導体装置のＲ終保護膜において、酸化膜あ
るいは窒化膜の上に金属膜を形成することにより、最終
保護膜を２層として、耐湿性及び物理的外力に対する耐
物理特性を向上するようにしたものである。

〔従来の技術〕

従来、第２図に示すように半導体装置の最終保護膜とし
て、回路部上層に、酸化膜あるいは窒化膜などによる保
護膜３が知られている。なお、１は基板、２は回路部で
ある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし従来の酸化膜あるいは窒化膜を最終保護膜とした
半導体装置では環境による外的刺激において、耐湿性及
び耐物理的特性の低下に起因する信頼性及び歩留り低下
などの欠点があった。

そこで本発明は、従来のこのような欠点を解決するため
、最終保護膜の耐湿性及び耐物理特性を向上させ、更に
は、半導体装置の信顛性及び歩留りを向上させることを
目的としている。

（問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するためには本発明は、最終保護膜の
上層を金属膜、下層を酸化膜あるいは窒化膜とする２層
の構造とした。

〔作用〕

上記のように半導体装置の最終保護膜を２Ｎにすると、
金属膜のもつ疎水性及び硬度を利用して耐湿性及び耐物
理特性の向上を計ることができる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を第１図に示す。

第１図に示すように、配線の終了した半導体装置の最終
保護膜として、酸化膜あるいは窒化膜などの保護ＩＩ！
３をＣＶＤなどの装置によって形成した後、スパッタ装
置などによって前記保護股上に適度な膜厚をもった金属
膜４を形成し、２層の構造をした最終保護膜を形成する
。

なおｌは基板、２は回路部である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における半導体装置の縦断面図であり、
第２図は、従来の半導体装置の縦断面図である。 １・・・基板 ２・・・回路部 ３・・・酸化膜あるいは窒化膜による保護膜４・・・金
属膜による保護膜 以上

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁膜と金属膜とから成る二層の最終保護膜を有
   する半導体装置。
2. （２）前記絶縁膜を下層、前記金属膜を上層としたこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
3. （３）前記金属膜を硬度の高いＣｒやＷなどとしたこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。