JPS63133636A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63133636A JPS63133636A JP28242186A JP28242186A JPS63133636A JP S63133636 A JPS63133636 A JP S63133636A JP 28242186 A JP28242186 A JP 28242186A JP 28242186 A JP28242186 A JP 28242186A JP S63133636 A JPS63133636 A JP S63133636A
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- JP
- Japan
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- polycrystalline silicon
- semiconductor device
- film
- electrode
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- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、多結晶シリコンをシリコン表面のパシベーシ
ョン膜として使用する半導体装置に関するものである。
ョン膜として使用する半導体装置に関するものである。
従来の技術
半導体装置の電極形成を行う場合、電極材料と基板のシ
リコンとを非整流接合（オーミック接合）するために熱
処理を行ない、電極材料とシリコンとの合金層を形成す
る方法が一般的である。
リコンとを非整流接合（オーミック接合）するために熱
処理を行ない、電極材料とシリコンとの合金層を形成す
る方法が一般的である。
多結晶シリコンをシリコン表面のパシベーション膜とし
て使用する半導体装置でこの熱処理を行うと、多結晶シ
リコンと電極材料の接触部分に同様な合金層が形成され
る。従来の技術では、この合金層形成を防止する意図的
な処置はなされていなかった。
て使用する半導体装置でこの熱処理を行うと、多結晶シ
リコンと電極材料の接触部分に同様な合金層が形成され
る。従来の技術では、この合金層形成を防止する意図的
な処置はなされていなかった。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の方法では、多結晶シリコンと電極材料
間に合金層が形成され、種々の問題を引きおこす。具体
的な一例として、例えば、特公昭５３−２５５２で知ら
れる構造を持つトランジスタを第３図に示す。かかる構
造のトランジスタでは、半導体領域２，３と電極７，８
を非整流接合するために、電極形成後、熱処理を行い合
金層を形成させると、第４図に示すように、半導体領域
２．３と電極７，８間には、それぞれ合金層９゜１０が
形成される。また同時に、多結晶シリコン５と電極７間
にも、側面より合金層１１が形成される。この合金層１
１はエツチング等のプロセス要因も含め、電極接合部よ
り側面方向に２０μｍ程度形成されることがある。この
合金層の形成により、回路の短絡、不均一な合金層形成
による電荷の集中が発生し、半導体装置の信頼性に問題
を生じさせた。
間に合金層が形成され、種々の問題を引きおこす。具体
的な一例として、例えば、特公昭５３−２５５２で知ら
れる構造を持つトランジスタを第３図に示す。かかる構
造のトランジスタでは、半導体領域２，３と電極７，８
を非整流接合するために、電極形成後、熱処理を行い合
金層を形成させると、第４図に示すように、半導体領域
２．３と電極７，８間には、それぞれ合金層９゜１０が
形成される。また同時に、多結晶シリコン５と電極７間
にも、側面より合金層１１が形成される。この合金層１
１はエツチング等のプロセス要因も含め、電極接合部よ
り側面方向に２０μｍ程度形成されることがある。この
合金層の形成により、回路の短絡、不均一な合金層形成
による電荷の集中が発生し、半導体装置の信頼性に問題
を生じさせた。
問題点を解決するための手段
本発明は、多結晶シリコンと電極材料との合金層形成を
防止するための手段として、多結晶シリコンと電極材料
との間に、絶縁層を介在させて、両者間の直接接触部分
をなくしているものである。
防止するための手段として、多結晶シリコンと電極材料
との間に、絶縁層を介在させて、両者間の直接接触部分
をなくしているものである。
作用
上記の手段により、多結晶シリコンと電極材料の合金層
の形成を防止できる。
の形成を防止できる。
実施例
本発明の実施例を第１図、第２図の各断面図に基づいて
説明する。第１図は、酸化シリコン（Ｓｉｎ２）膜１７
を介して、半導体基板１２、同表部のＰ要領域１３．１
４上の多結晶シリコン１５とベース電極１８とを分離し
た例である。また、第２図は多結晶シリコン２２を５ｉ
０２膜２３で覆い、電極２４より分離した例である。
説明する。第１図は、酸化シリコン（Ｓｉｎ２）膜１７
を介して、半導体基板１２、同表部のＰ要領域１３．１
４上の多結晶シリコン１５とベース電極１８とを分離し
た例である。また、第２図は多結晶シリコン２２を５ｉ
０２膜２３で覆い、電極２４より分離した例である。
発明の効果
本発明によれば、多結晶シリコンと電極材料との合金層
の形成を防止することができ、信頼性を向上させるだけ
ではな（、多結晶シリコンを使用する半導体装置の設計
の指針として、実用的効果は大である。
の形成を防止することができ、信頼性を向上させるだけ
ではな（、多結晶シリコンを使用する半導体装置の設計
の指針として、実用的効果は大である。
第１図、第２図は本発明の一実施例による半導体装置の
断面図、第３図は多結晶シリコンを使用した半導体装置
の一実施例の断面図、第４図は第３図の半導体装置断面
図の合金、１形成例である。 １．１２．１９・・・・・・半導体基板、２，４，１３
゜１４．２０．２１・・・・・・Ｐ形半導体領域、３・
・・・・・Ｎ型半導体領域、５．１５．２２・・・・・
・多結晶シリコン層、６．１６．１７．２３・・・・・
・５ｉ０２膜、７゜１８．２４・・・・・・ベース電極
、８・・・・・・エミッタ電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第２図 第 ３ 図 第４図
断面図、第３図は多結晶シリコンを使用した半導体装置
の一実施例の断面図、第４図は第３図の半導体装置断面
図の合金、１形成例である。 １．１２．１９・・・・・・半導体基板、２，４，１３
゜１４．２０．２１・・・・・・Ｐ形半導体領域、３・
・・・・・Ｎ型半導体領域、５．１５．２２・・・・・
・多結晶シリコン層、６．１６．１７．２３・・・・・
・５ｉ０２膜、７゜１８．２４・・・・・・ベース電極
、８・・・・・・エミッタ電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第２図 第 ３ 図 第４図
Claims (1)
- 多結晶シリコンをシリコン表面のパシベーション膜と
して使用する半導体装置において、前記多結晶シリコン
と配線電極材との間に絶縁層を介在させたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28242186A JPS63133636A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28242186A JPS63133636A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133636A true JPS63133636A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17652189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28242186A Pending JPS63133636A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133636A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4974971A (en) * | 1989-09-26 | 1990-12-04 | Nippon Thompson Co., Ltd. | Small-sized linear motion guide assembly |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP28242186A patent/JPS63133636A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4974971A (en) * | 1989-09-26 | 1990-12-04 | Nippon Thompson Co., Ltd. | Small-sized linear motion guide assembly |
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