JPS62109463U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62109463U JPS62109463U JP20027585U JP20027585U JPS62109463U JP S62109463 U JPS62109463 U JP S62109463U JP 20027585 U JP20027585 U JP 20027585U JP 20027585 U JP20027585 U JP 20027585U JP S62109463 U JPS62109463 U JP S62109463U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- insulating film
- layer
- gate electrode
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図はこの考案に係るＭＩＳトランジスタの
実施例を示す縦断面図、第２図は同上実施例の製
造工程の一例を示す工程図、第３図は従来のＭＩ
Ｓトランジスタを示す縦断面図である。 １：絶縁基板、２：多結晶シリコン、３：絶縁
膜、４：ゲート電極、５：ゲート絶縁膜、６：チ
ヤンネル領域、７：ソース領域、８：ドレイン領
域、１４：埋込みゲート層、１５：半導体層。
実施例を示す縦断面図、第２図は同上実施例の製
造工程の一例を示す工程図、第３図は従来のＭＩ
Ｓトランジスタを示す縦断面図である。 １：絶縁基板、２：多結晶シリコン、３：絶縁
膜、４：ゲート電極、５：ゲート絶縁膜、６：チ
ヤンネル領域、７：ソース領域、８：ドレイン領
域、１４：埋込みゲート層、１５：半導体層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 絶縁基板上に薄膜で形成されるＭＩＳトランジ
スタにおいて、 前記絶縁基板上に形成された多結晶シリコン層
と、 該多結晶シリコン層上に形成されたタングステ
ン膜からなるゲート電極、および該ゲート電極を
取囲むように該ゲート電極と略同じ厚さに形成さ
れた絶縁膜からなる埋込みゲート層と、 該埋込みゲート層上に形成されたゲート絶縁膜
と、 該ゲート絶縁膜上における前記ゲート電極と対
向した位置に形成されたチヤンネル領域、および
該チヤンネル領域の両側方部にそれぞれ形成され
たソース領域ならびにドレイン領域からなる半導
体層とを有することを特徴とするＭＩＳトランジ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20027585U JPS62109463U (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20027585U JPS62109463U (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109463U true JPS62109463U (ja) | 1987-07-13 |
Family
ID=31162632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20027585U Pending JPS62109463U (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109463U (ja) |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP20027585U patent/JPS62109463U/ja active Pending