JPS61109151U - - Google Patents
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- JPS61109151U JPS61109151U JP19282284U JP19282284U JPS61109151U JP S61109151 U JPS61109151 U JP S61109151U JP 19282284 U JP19282284 U JP 19282284U JP 19282284 U JP19282284 U JP 19282284U JP S61109151 U JPS61109151 U JP S61109151U
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- JP
- Japan
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- thin film
- semiconductor device
- semiconductor layer
- film semiconductor
- islands
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- Pending
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Description
第１図は本考案の一実施例の石英基板断面図、
第２図は従来の半導体再結晶化法を示す基板断面
図、第３図は従来の石英基板断面図、第４図は従
来の薄膜半導体装置の平面図である。 １……石英基板、５……結晶化シリコン膜、１
２……酸化膜、１３……窒化シリコン膜、１４…
…側面酸化膜、７……ゲート絶縁膜、８……ゲー
ト電極、１０……ソース電極、１１……ドレイン
電極、１２……チヤンネルストツパ。
第２図は従来の半導体再結晶化法を示す基板断面
図、第３図は従来の石英基板断面図、第４図は従
来の薄膜半導体装置の平面図である。 １……石英基板、５……結晶化シリコン膜、１
２……酸化膜、１３……窒化シリコン膜、１４…
…側面酸化膜、７……ゲート絶縁膜、８……ゲー
ト電極、１０……ソース電極、１１……ドレイン
電極、１２……チヤンネルストツパ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 絶縁基板上に島状に分離された半導体層に形成
された薄膜半導体装置において、 前記半導体層側面に、前記薄膜半導体装置製作
過程で消失せず、前記半導体層の表面部より厚い
絶縁膜を設けたことを特徴とする薄膜半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19282284U JPS61109151U (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19282284U JPS61109151U (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61109151U true JPS61109151U (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=30750232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19282284U Pending JPS61109151U (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61109151U (ja) |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP19282284U patent/JPS61109151U/ja active Pending
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