JPS635649U - - Google Patents

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JPS635649U
JPS635649U JP9800186U JP9800186U JPS635649U JP S635649 U JPS635649 U JP S635649U JP 9800186 U JP9800186 U JP 9800186U JP 9800186 U JP9800186 U JP 9800186U JP S635649 U JPS635649 U JP S635649U
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gate electrode
diffusion layer
semiconductor substrate
layer regions
semiconductor device
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JP9800186U
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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案装置の1実施例の部分断面図、
第2図は同装置の工程説明図、第3図は従来装置
の部分断面図である。 10…半導体基板、11…ゲート絶縁膜、12
…ゲート電極、13,14…拡散層領域、15…
凹部。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体基板と、該半導体基板上にゲート絶
    縁膜を介して設けられているゲート電極と、該ゲ
    ート電極を挾んで該ゲート電極の両側に設備され
    ている一対の拡散層領域とを備え、前記半導体基
    板内の、前記ゲート電極直下の前記両拡散層領域
    に挾まれている領域にチヤネルを形成するように
    構成してなる半導体装置において、前記ゲート電
    極はその一部が前記半導体基板の内部に埋没され
    ていることを特徴とする半導体装置。 (2) 前記一対の拡散層領域はその下位レベルが
    前記ゲート電極の底面よりも下方に位置しており
    、該両拡散層領域の、前記下位レベルと前記底面
    のレベルとで囲まれる拡散層領域部分が実質的な
    拡散層を形成するように構成してなる実用新案登
    録請求の範囲第(1)項記載の半導体装置。
JP9800186U 1986-06-26 1986-06-26 Pending JPS635649U (ja)

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JP9800186U JPS635649U (ja) 1986-06-26 1986-06-26

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JPS635649U true JPS635649U (ja) 1988-01-14

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