JPH02146458U - - Google Patents
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- JPH02146458U JPH02146458U JP5662989U JP5662989U JPH02146458U JP H02146458 U JPH02146458 U JP H02146458U JP 5662989 U JP5662989 U JP 5662989U JP 5662989 U JP5662989 U JP 5662989U JP H02146458 U JPH02146458 U JP H02146458U
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- conductivity type
- layer
- buried layer
- semiconductor substrate
- opposite
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
第1図a,bは本考案の一実施例の平面図及び
X−X′線断面図、第2図は従来の半導体装置の
一例の断面図である。 1……P型シリコン基板、2……P+型埋込層
、33……N型層、4……P+型分離領域、5…
…P型アノードコンタクト領域、6……N型島領
域、7……N+型カソードコンタクト領域、8…
…N+型埋込層、9……絶縁膜、A……アノード
電極、K……カソード電極。
X−X′線断面図、第2図は従来の半導体装置の
一例の断面図である。 1……P型シリコン基板、2……P+型埋込層
、33……N型層、4……P+型分離領域、5…
…P型アノードコンタクト領域、6……N型島領
域、7……N+型カソードコンタクト領域、8…
…N+型埋込層、9……絶縁膜、A……アノード
電極、K……カソード電極。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板に設けられた一導電型埋込
層と、該埋込層を含む前記半導体基板上に設けら
れた逆導電型層と、前記一導電型層表面から前記
埋込層に達して前記逆導電型層を島領域に分離す
る一導電型分離層とを有し、前記一導電型の分離
領域と埋込層と半導体基板とをアノードとし、前
記逆導電型島領域をカソードとするダイオードを
含む半導体装置において、前記一導電型埋込層の
下部に前記一導電型埋込層と前記一導電型半導体
基板とに囲まれて接する逆導電型埋込層に設けた
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5662989U JPH02146458U (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5662989U JPH02146458U (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02146458U true JPH02146458U (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=31580624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5662989U Pending JPH02146458U (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02146458U (ja) |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP5662989U patent/JPH02146458U/ja active Pending