JPH02146458U - - Google Patents

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JPH02146458U
JPH02146458U JP5662989U JP5662989U JPH02146458U JP H02146458 U JPH02146458 U JP H02146458U JP 5662989 U JP5662989 U JP 5662989U JP 5662989 U JP5662989 U JP 5662989U JP H02146458 U JPH02146458 U JP H02146458U
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conductivity type
layer
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semiconductor substrate
opposite
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【図面の簡単な説明】
第1図a,bは本考案の一実施例の平面図及び
X−X′線断面図、第2図は従来の半導体装置の
一例の断面図である。 1……P型シリコン基板、2……P型埋込層
、33……N型層、4……P型分離領域、5…
…P型アノードコンタクト領域、6……N型島領
域、7……N型カソードコンタクト領域、8…
…N型埋込層、9……絶縁膜、A……アノード
電極、K……カソード電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型半導体基板に設けられた一導電型埋込
    層と、該埋込層を含む前記半導体基板上に設けら
    れた逆導電型層と、前記一導電型層表面から前記
    埋込層に達して前記逆導電型層を島領域に分離す
    る一導電型分離層とを有し、前記一導電型の分離
    領域と埋込層と半導体基板とをアノードとし、前
    記逆導電型島領域をカソードとするダイオードを
    含む半導体装置において、前記一導電型埋込層の
    下部に前記一導電型埋込層と前記一導電型半導体
    基板とに囲まれて接する逆導電型埋込層に設けた
    ことを特徴とする半導体装置。
JP5662989U 1989-05-16 1989-05-16 Pending JPH02146458U (ja)

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JPH02146458U true JPH02146458U (ja) 1990-12-12

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