JPH0211354U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0211354U JPH0211354U JP9033888U JP9033888U JPH0211354U JP H0211354 U JPH0211354 U JP H0211354U JP 9033888 U JP9033888 U JP 9033888U JP 9033888 U JP9033888 U JP 9033888U JP H0211354 U JPH0211354 U JP H0211354U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- floating gate
- insulating
- film
- semiconductor film
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 3
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例のフローテイングゲ
ート型記憶素子、第２図は従来のＭＯＳＦＥＴに
よるフローテイングゲート型記憶素子である。 ２１……絶縁性基板、２２……制御ゲート、２
４……絶縁膜、２５……フローテイングゲート、
２６……半導体膜、２９……ソース電極、３０…
…ドレイン電極、３０ａ……突部、３３……トン
ネル領域。
ート型記憶素子、第２図は従来のＭＯＳＦＥＴに
よるフローテイングゲート型記憶素子である。 ２１……絶縁性基板、２２……制御ゲート、２
４……絶縁膜、２５……フローテイングゲート、
２６……半導体膜、２９……ソース電極、３０…
…ドレイン電極、３０ａ……突部、３３……トン
ネル領域。
Claims (1)
- 絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成された制
御ゲートと、該制御ゲートと絶縁して積層形成さ
れたフローテイングゲートと、該フローテイング
ゲートを囲つて絶縁し、一部に薄膜部を設けた絶
縁膜と、少なくとも前記フローテイングゲートに
対向させて形成された半導体膜と、該半導体膜と
電気的に接続され、前記絶縁膜の薄膜部を介して
前記フローテイングゲートと対向する突部を形成
した第１の電極と、前記半導体膜と電気的に接続
され、第１の電極と所定の間隔をもつて形成され
た第２の電極とを備えたことを特徴とする薄膜半
導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9033888U JPH0211354U (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9033888U JPH0211354U (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0211354U true JPH0211354U (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=31314863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9033888U Pending JPH0211354U (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0211354U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11154714A (ja) * | 1997-09-20 | 1999-06-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 不揮発性メモリおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP9033888U patent/JPH0211354U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11154714A (ja) * | 1997-09-20 | 1999-06-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 不揮発性メモリおよびその製造方法 |
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