JPS58158454U - 半導体メモリセル - Google Patents
半導体メモリセルInfo
- Publication number
- JPS58158454U JPS58158454U JP1982054658U JP5465882U JPS58158454U JP S58158454 U JPS58158454 U JP S58158454U JP 1982054658 U JP1982054658 U JP 1982054658U JP 5465882 U JP5465882 U JP 5465882U JP S58158454 U JPS58158454 U JP S58158454U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- conductivity type
- diffusion
- diffusion region
- epitaxial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は１素子型メモリセルの原理を説明するための図
、第２図ａ、 ｂは従来の１．素子型メモリセルの一
例を示す図、第３図ａ、 ｂは本考案を説明するため
に用いられる２重拡散型ＭＯＳトランジスタの一例を示
す図、第４図は本考案の一実施例を示す図である。 記号の説明、２０：ｐ型半導体基板、２１：エピタキシ
ャル層、２１′ 二島状のエピタキシャル領域、２２：
絶縁分離領域、２３：ｎ型領域、２４：ｎ型領域、３０
：ゲート絶縁膜、３２：多結晶シリコン層、”３３ニア
ルミニウム配線層、４０：高不純物濃度埋込層。
、第２図ａ、 ｂは従来の１．素子型メモリセルの一
例を示す図、第３図ａ、 ｂは本考案を説明するため
に用いられる２重拡散型ＭＯＳトランジスタの一例を示
す図、第４図は本考案の一実施例を示す図である。 記号の説明、２０：ｐ型半導体基板、２１：エピタキシ
ャル層、２１′ 二島状のエピタキシャル領域、２２：
絶縁分離領域、２３：ｎ型領域、２４：ｎ型領域、３０
：ゲート絶縁膜、３２：多結晶シリコン層、”３３ニア
ルミニウム配線層、４０：高不純物濃度埋込層。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ
た前記半導体基板と逆導電型のエピタキシャル層と、前
記エピタキシャル層を拡散分離するように設けられた前
記半導体基板と同一導電型の拡散分離領域と、前記拡散
分離領域で分離された前記エピタキシャル層内に形成さ
れた前記基板と同一導電型の第１の拡散領域と、第１の
拡散領域内に形成された前記基板と逆導電型の第２の拡
散領域と、前記拡散分離領域で分散されたエピタキシャ
ル層と前記半導体基板との境界部分に設けられた高濃度
埋込層と、前記第１の拡散領域上に被着された絶縁膜と
、前記絶縁膜上から取り出された第１の導電ラインと、
前記第２の拡散領域から取り出され、前記第１の導電ラ
インとは絶縁されている第２の導電ラインとを備え、前
記第１及び第２の導電ラインを選択線とし、且つ、前記
半導体基板を接地することを特徴とする半導体メモリセ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982054658U JPS58158454U (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体メモリセル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982054658U JPS58158454U (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体メモリセル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158454U true JPS58158454U (ja) | 1983-10-22 |
Family
ID=30065273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982054658U Pending JPS58158454U (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体メモリセル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158454U (ja) |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP1982054658U patent/JPS58158454U/ja active Pending
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