JPS60181056U - 半導体装置の電極 - Google Patents

半導体装置の電極

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JPS60181056U
JPS60181056U JP6886084U JP6886084U JPS60181056U JP S60181056 U JPS60181056 U JP S60181056U JP 6886084 U JP6886084 U JP 6886084U JP 6886084 U JP6886084 U JP 6886084U JP S60181056 U JPS60181056 U JP S60181056U
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JP
Japan
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electrodes
semiconductor devices
electrode
semiconductor device
recorded
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Application number
JP6886084U
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English (en)
Inventor
浅海　輝雄
Original Assignee
クラリオン株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａからｆまでは本考案による半導体装置の電極の
作製方法を示す断面図、第２図は本考案の効果を説明す
るためのＭＯＳキャパシタ部分の電極の上面図、第３図
ａからｆまでは従来の半導体装置の電極の作製方法を示
す断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・二酸化シリコン層、３
・・・金属薄膜、４・・・感光性樹脂層、５・・・溝。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 予め下地表面に形成された溝の中に設けられていること
    を特徴とする半導体装置の電極。
JP6886084U 1984-05-11 1984-05-11 半導体装置の電極 Pending JPS60181056U (ja)

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JP6886084U JPS60181056U (ja) 1984-05-11 1984-05-11 半導体装置の電極

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