JPS5916166U - 磁気抵抗素子 - Google Patents

磁気抵抗素子

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Publication number
JPS5916166U
JPS5916166U JP1982111433U JP11143382U JPS5916166U JP S5916166 U JPS5916166 U JP S5916166U JP 1982111433 U JP1982111433 U JP 1982111433U JP 11143382 U JP11143382 U JP 11143382U JP S5916166 U JPS5916166 U JP S5916166U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetoresistive element
oxide film
plateau
silicon oxide
abstract
Prior art date
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Pending
Application number
JP1982111433U
Other languages
English (en)
Inventor
鎌田 康秀
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を説明する断面図、第2図A1B、C,
Dは本考案を説明する断面図である。 11はシリコン半導体基板、12はシリコン酸化膜、1
3は磁気抵抗材料、14はホトレジスト膜、15は台地
、16は電極、17はシリコン酸化膜である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. シリコン半導体基板と該基板上に付着したシリコン酸化
    膜と該シリコン酸化膜に設けた台地と該台地上に設けた
    磁気抵抗材料とを具備して成る磁気抵抗素子。
JP1982111433U 1982-07-21 1982-07-21 磁気抵抗素子 Pending JPS5916166U (ja)

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JP1982111433U JPS5916166U (ja) 1982-07-21 1982-07-21 磁気抵抗素子

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JPS5916166U true JPS5916166U (ja) 1984-01-31

Family

ID=30258740

Family Applications (1)

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JP1982111433U Pending JPS5916166U (ja) 1982-07-21 1982-07-21 磁気抵抗素子

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JP (1) JPS5916166U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6127358U (ja) * 1984-07-24 1986-02-18 株式会社村田製作所 磁気センサ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6127358U (ja) * 1984-07-24 1986-02-18 株式会社村田製作所 磁気センサ

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