JPS6220836U - - Google Patents

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JPS6220836U
JPS6220836U JP11152085U JP11152085U JPS6220836U JP S6220836 U JPS6220836 U JP S6220836U JP 11152085 U JP11152085 U JP 11152085U JP 11152085 U JP11152085 U JP 11152085U JP S6220836 U JPS6220836 U JP S6220836U
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JP
Japan
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power supply
forming
ohmic contact
thermal head
silicon layer
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JP11152085U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図A及びBはこの考案の二次元サーマルヘ
ツドの実施例を概略的に示す要部平面図及び断面
図、第2図は従来の二次元サーマルヘツドの等価
回路図、第3図は従来の二次元サーマルヘツドの
構造の一例を示す断面図である。 11……基板、13……第一給電体、15……
第二給電体、17……シリコン層(島状シリコン
領域)、19……ドツト。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 基板上に、二次元マトリツクス状に配列させた
    多数の第一及び第二給電体と、これら第一及び第
    二給電体間に設けられたシリコン層とを具える二
    次元サーマルヘツドにおいて、 前記シリコン層を、これら第一及び第二給電体
    間の各交差点毎に互いに独立して形成され、該第
    一給電体とはオーミツクコンタクトを形成し、該
    第二給電体とはシヨツトキダイオードを形成し、
    かつ、発熱抵抗体として作用する島状シリコン領
    域とした ことを特徴とする二次元サーマルヘツド。
JP11152085U 1985-07-20 1985-07-20 Pending JPS6220836U (ja)

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JP11152085U JPS6220836U (ja) 1985-07-20 1985-07-20

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JP11152085U JPS6220836U (ja) 1985-07-20 1985-07-20

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JPS6220836U true JPS6220836U (ja) 1987-02-07

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JP11152085U Pending JPS6220836U (ja) 1985-07-20 1985-07-20

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