JPH02125335U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02125335U JPH02125335U JP3450189U JP3450189U JPH02125335U JP H02125335 U JPH02125335 U JP H02125335U JP 3450189 U JP3450189 U JP 3450189U JP 3450189 U JP3450189 U JP 3450189U JP H02125335 U JPH02125335 U JP H02125335U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- region
- stacked
- diffused
- bipolar transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第１図は、本考案に係るバイポーラトランジス
タを備えた半導体装置の第１実施例を示す構造断
面図である。第２図は、本考案に係るバイポーラ
トランジスタを備えた半導体装置の第２実施例を
示す構造断面図である。第３図は、従来のバイポ
ーラトランジスタを備えた半導体装置の一例を示
す構造断面図である。 １……ｐ型半導体基板、２……ｎ型埋込拡散層
、３……ｐ型アイソレイシヨン領域、３ａ，３ｂ
……積上げｐ型アイソレイシヨン領域、４……コ
レクタ分離島領域、４ａ，４ｂ……積上げコレク
タ拡散領域、５……ｐ型ベース拡散領域、５ａ，
５ｂ……積上げベース領域、６……ｎ＋型エミツ
タ拡散領域、６ａ，６ｂ……積上げエミツタ拡散
領域、７……ｐ＋型コレクタコンタクト領域、９
……シリコン酸化膜、１０……ｎ型エピタキシヤ
ル成長層、２０……第２層目のｐ型エピタキシヤ
ル成長層、３０……第３層目のｐ型エピタキシヤ
ル成長層、Ｅ……エミツタ電極、Ｂ……ベース電
極、Ｃ……コレクタ電極。
タを備えた半導体装置の第１実施例を示す構造断
面図である。第２図は、本考案に係るバイポーラ
トランジスタを備えた半導体装置の第２実施例を
示す構造断面図である。第３図は、従来のバイポ
ーラトランジスタを備えた半導体装置の一例を示
す構造断面図である。 １……ｐ型半導体基板、２……ｎ型埋込拡散層
、３……ｐ型アイソレイシヨン領域、３ａ，３ｂ
……積上げｐ型アイソレイシヨン領域、４……コ
レクタ分離島領域、４ａ，４ｂ……積上げコレク
タ拡散領域、５……ｐ型ベース拡散領域、５ａ，
５ｂ……積上げベース領域、６……ｎ＋型エミツ
タ拡散領域、６ａ，６ｂ……積上げエミツタ拡散
領域、７……ｐ＋型コレクタコンタクト領域、９
……シリコン酸化膜、１０……ｎ型エピタキシヤ
ル成長層、２０……第２層目のｐ型エピタキシヤ
ル成長層、３０……第３層目のｐ型エピタキシヤ
ル成長層、Ｅ……エミツタ電極、Ｂ……ベース電
極、Ｃ……コレクタ電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 第１導電型半導体基板上の第２導電型エピタキ
シヤル成長層内に画成されたコレクタ領域と、こ
の中で島状に拡散形成された第１導電型のベース
領域と、この中で島状に拡散形成された第２導電
型のエミツタ領域とを有するバイポーラトランジ
スタを備えた半導体装置において、 第２導電型エピタキシヤル成長層上に積層され
た少なくとも１層の第１導電型エピタキシヤル成
長層と、各第１導電型エピタキシヤル成長層内で
、順次下層のエミツタ領域、コレクタ領域に達す
るまで拡散形成された第２導電型の積上げエミツ
タ領域、積上げコレクタ領域及び順次下層のベー
ス領域に接する非拡散領域としての積上げベース
領域と、を有することを特徴とするバイポーラト
ランジスタを備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3450189U JPH02125335U (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3450189U JPH02125335U (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125335U true JPH02125335U (ja) | 1990-10-16 |
Family
ID=31539023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3450189U Pending JPH02125335U (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125335U (ja) |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP3450189U patent/JPH02125335U/ja active Pending
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