JPS5954931U - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPS5954931U
JPS5954931U JP15073782U JP15073782U JPS5954931U JP S5954931 U JPS5954931 U JP S5954931U JP 15073782 U JP15073782 U JP 15073782U JP 15073782 U JP15073782 U JP 15073782U JP S5954931 U JPS5954931 U JP S5954931U
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JP
Japan
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integrated circuit
semiconductor integrated
island
buried layer
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP15073782U
Other languages
English (en)
Inventor
祐一 瀬戸
平木　幸治
Original Assignee
新日本無線株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 新日本無線株式会社 filed Critical 新日本無線株式会社
Priority to JP15073782U priority Critical patent/JPS5954931U/ja
Publication of JPS5954931U publication Critical patent/JPS5954931U/ja
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  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はカレントミラー回路の等価回路を示す図、第２
図は上記回路を組み込んだ従来の半導体集積回路の例を
示す断面図、第３図は本考案による半導体集積回路の一
実施例を示す断面図である。 １．２・・・トランジスタ、３，４・・・抵抗、５−Ｎ
型半導体基板、６Ａ、　　６Ｂ、　　６Ｃ，７−Ａ・・
・埋込層、７・・・Ｎ型エピタキシャル層、８・・・Ｐ
型アイソレーション層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 各アイランド毎に形成される埋込層を前記アイランド表
    面に形成される各素子下に分割して形成することを特徴
    とする半導体集積回路。
JP15073782U 1982-10-04 1982-10-04 半導体集積回路 Pending JPS5954931U (ja)

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JP15073782U JPS5954931U (ja) 1982-10-04 1982-10-04 半導体集積回路

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JP15073782U JPS5954931U (ja) 1982-10-04 1982-10-04 半導体集積回路

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JPS5954931U true JPS5954931U (ja) 1984-04-10

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