JPS6020159U - 集積回路半導体装置 - Google Patents

集積回路半導体装置

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JPS6020159U
JPS6020159U JP11165483U JP11165483U JPS6020159U JP S6020159 U JPS6020159 U JP S6020159U JP 11165483 U JP11165483 U JP 11165483U JP 11165483 U JP11165483 U JP 11165483U JP S6020159 U JPS6020159 U JP S6020159U
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JP
Japan
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semiconductor device
integrated circuit
circuit semiconductor
layer
recorded
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JP11165483U
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English (en)
Inventor
信 竹内
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日本電気株式会社
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の集積回路半導体装置の断面図でＡはＭＯ
Ｓ）ランジスタ、Ｂはバイポーラトランジスタを示す。 第２図は本考案の一実施例の断面図を示す。 図において、１・・・・・・ｐ土手導体層、２，３・・
・・・・ｎ土手導体層、４・・・・・・ＳｉＯ□層、５
．　６．７・・・・・・金属層、８・・・・・・ｎ半導
体層、９・・・・・・ｐ半導体層、１０・・・・・・ｎ
土手導体層、１１．　１２．　１３．　１４・・・・・
・ＳｉＯ□層、１５，１６，１７．１８・・・・・・金
属層、１９・・・・・・ｎ土手導体層、２０・・・・・
・ｎ半導体層、２１．２２・・・・・・ｎ土手導体層、
２３・・・・・・ｐ土手導体層、２４．２５・・・・・
・ＳｉＯ３層、２６．２７゜２８・・・・・・金属層で
ある。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 集積回路半導体装置を構成する素子のすべてが多数キャ
    リアー素子からなることを特徴とする集積回路半導体装
    置。
JP11165483U 1983-07-19 1983-07-19 集積回路半導体装置 Pending JPS6020159U (ja)

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JP11165483U JPS6020159U (ja) 1983-07-19 1983-07-19 集積回路半導体装置

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JPS6020159U true JPS6020159U (ja) 1985-02-12

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