JPS6244535Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6244535Y2 JPS6244535Y2 JP1981139526U JP13952681U JPS6244535Y2 JP S6244535 Y2 JPS6244535 Y2 JP S6244535Y2 JP 1981139526 U JP1981139526 U JP 1981139526U JP 13952681 U JP13952681 U JP 13952681U JP S6244535 Y2 JPS6244535 Y2 JP S6244535Y2
- Authority
- JP
- Japan
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- region
- conductivity type
- epitaxial layer
- collector
- shield electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体集積回路装置、特に高耐圧に適
した半導体集積回路装置に関する。
した半導体集積回路装置に関する。
従来の半導体集積回路装置は第１図に示す如
く、Ｐ型半導体基板１と、コレクタ領域となる
N-型エピタキシヤル層２と、エピタキシヤル層
２を島領域３に分離するP+型分離領域４と、島
領域３底面に設けられたN+型埋め込み層５と、
島領域３表面に２重拡散されたＰ型ベース領域６
およびN+型エミツタ領域７と、島領域３表面か
ら埋め込み層５に達するN+型コレクタコンタク
ト領域８と、エピタキシヤル層２表面を被覆する
絶縁膜９と、ベース領域６およびエミツタ領域７
にオーミツク接触し絶縁膜９上を延在されるベー
ス電極１０エミツタ電極１１から構成されてい
る。
く、Ｐ型半導体基板１と、コレクタ領域となる
N-型エピタキシヤル層２と、エピタキシヤル層
２を島領域３に分離するP+型分離領域４と、島
領域３底面に設けられたN+型埋め込み層５と、
島領域３表面に２重拡散されたＰ型ベース領域６
およびN+型エミツタ領域７と、島領域３表面か
ら埋め込み層５に達するN+型コレクタコンタク
ト領域８と、エピタキシヤル層２表面を被覆する
絶縁膜９と、ベース領域６およびエミツタ領域７
にオーミツク接触し絶縁膜９上を延在されるベー
ス電極１０エミツタ電極１１から構成されてい
る。
斯る半導体集積回路装置では高耐圧を印加する
と点線で示す如く空乏層が拡がり絶縁膜９上を延
在するベースおよびエミツタ電極１０，１１の電
界の作用によりコレクタコンタクト領域８端で電
界が集中して高耐圧を確保できない欠点があつ
た。
と点線で示す如く空乏層が拡がり絶縁膜９上を延
在するベースおよびエミツタ電極１０，１１の電
界の作用によりコレクタコンタクト領域８端で電
界が集中して高耐圧を確保できない欠点があつ
た。
本考案は斯点に鑑みてなされ従来の欠点を完全
に除去する半導体集積回路装置を実現するもので
ある。以下に第２図を参照して本考案の一実施例
を詳述する。
に除去する半導体集積回路装置を実現するもので
ある。以下に第２図を参照して本考案の一実施例
を詳述する。
本考案による半導体集積回路装置は第２図に示
す如く、Ｐ型のシリコン半導体基板１と、基板１
上に設けられたＮ型エピタキシヤル層２と、エピ
タキシヤル層２をコレクタ領域となる島領域３に
分離するP+型分離領域４と、島領域３の底面に
設けられたN+型埋め込み層５と、埋め込み層５
上の島領域３表面に２重拡散したＰ型ベース領域
６とN+型エミツタ領域７と、島領域３表面から
埋め込み層５に達するN+型コレクタコンタクト
領域８と、エピタキシヤル層２表面を被覆する二
酸化シリコにより成る約1.5μ厚の第１の絶縁膜
９と、コレクタコンタクト領域８にオーミツク接
触し第１の絶縁膜９を延在されるシールド電極１
２と、シールド電極１２を被覆し第１の絶縁膜９
上に設けられたCVD法により形成されたシリコ
ン窒化膜より成る約1.5μ厚の第２の絶縁膜１３
と、ベース領域６およびエミツタ領域７にオーミ
ツク接触し且つ第２の絶縁膜１３上を延在される
ベース電極１０およびエミツタ電極１１とから構
成されている。
す如く、Ｐ型のシリコン半導体基板１と、基板１
上に設けられたＮ型エピタキシヤル層２と、エピ
タキシヤル層２をコレクタ領域となる島領域３に
分離するP+型分離領域４と、島領域３の底面に
設けられたN+型埋め込み層５と、埋め込み層５
上の島領域３表面に２重拡散したＰ型ベース領域
６とN+型エミツタ領域７と、島領域３表面から
埋め込み層５に達するN+型コレクタコンタクト
領域８と、エピタキシヤル層２表面を被覆する二
酸化シリコにより成る約1.5μ厚の第１の絶縁膜
９と、コレクタコンタクト領域８にオーミツク接
触し第１の絶縁膜９を延在されるシールド電極１
２と、シールド電極１２を被覆し第１の絶縁膜９
上に設けられたCVD法により形成されたシリコ
ン窒化膜より成る約1.5μ厚の第２の絶縁膜１３
と、ベース領域６およびエミツタ領域７にオーミ
ツク接触し且つ第２の絶縁膜１３上を延在される
ベース電極１０およびエミツタ電極１１とから構
成されている。
本考案の特徴はシールド電極１２にある。シー
ルド電極１２はコレクタコンタクト領域８にオー
ミツク接触しコレクタコンタクト領域８に隣接す
るエピタキシヤル層２上の第１絶縁膜９まで拡張
されている。そしてこのシールド電極１２上の第
２の絶縁膜１３上をベース電極１０およびエミツ
タ電極１１を延在させている。斯る構造に依れば
シールド電極１２の働きにより点線で示す如く空
乏層がシールド電極１２端で止められるのでコレ
クタコンタクト領域８端での電界の集中を緩和で
きる。この結果従来のものでは130V程度の耐圧
であつたのが本考案では300Vまで耐圧を向上で
きるのである。
ルド電極１２はコレクタコンタクト領域８にオー
ミツク接触しコレクタコンタクト領域８に隣接す
るエピタキシヤル層２上の第１絶縁膜９まで拡張
されている。そしてこのシールド電極１２上の第
２の絶縁膜１３上をベース電極１０およびエミツ
タ電極１１を延在させている。斯る構造に依れば
シールド電極１２の働きにより点線で示す如く空
乏層がシールド電極１２端で止められるのでコレ
クタコンタクト領域８端での電界の集中を緩和で
きる。この結果従来のものでは130V程度の耐圧
であつたのが本考案では300Vまで耐圧を向上で
きるのである。
なお本考案の効果を更に向上させるために電界
の集中しやすい分離領域４端やベース領域６端に
も第２図に示す様に分離領域４にオーミツク接触
しエピタキシヤル層２上の第１絶縁膜９上に拡が
るシールド電極１２とコレクタ領域３上の第１の
絶縁膜９まで延在させたベース電極１０とを設け
ると良い。
の集中しやすい分離領域４端やベース領域６端に
も第２図に示す様に分離領域４にオーミツク接触
しエピタキシヤル層２上の第１絶縁膜９上に拡が
るシールド電極１２とコレクタ領域３上の第１の
絶縁膜９まで延在させたベース電極１０とを設け
ると良い。
以上に詳述した如く本考案ではシールド電極１
２をコレクタコンタクト領域８に配置しペースお
よびエミツタ電極１０，１１と多層配線構造にす
ることにより、ベースおよびエミツタ電極１０，
１１がエピタキシヤル層２表面に与えられる電界
の影響を大巾に低減し半導体集積回路装置の高耐
圧化を実現できる。
２をコレクタコンタクト領域８に配置しペースお
よびエミツタ電極１０，１１と多層配線構造にす
ることにより、ベースおよびエミツタ電極１０，
１１がエピタキシヤル層２表面に与えられる電界
の影響を大巾に低減し半導体集積回路装置の高耐
圧化を実現できる。
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本
考案を説明する断面図である。 主な図番の説明、１は半導体基板、２はエピタ
キシヤル層、３は島領域、４は分離領域、５は埋
め込み層、８はコレクタコンタクト領域、１２は
シールド電極である。
考案を説明する断面図である。 主な図番の説明、１は半導体基板、２はエピタ
キシヤル層、３は島領域、４は分離領域、５は埋
め込み層、８はコレクタコンタクト領域、１２は
シールド電極である。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と該基板上に設けられコ
レクタ領域となる逆導電型のエピタキシヤル層と
該エピタキシヤル層を島領域に分離する一導電型
の分離領域と該島領域底面に設けられた逆導電型
の埋め込み層と前記島領域表面に形成された一導
電型のベース領域と該ベース領域表面に形成され
た逆導電型のエミツタ領域と前記島領域表面から
前記埋め込み層に達する逆導電型のコレクタコン
タクト領域と、前記エピタキシヤル層を被覆する
第１の絶縁膜上に延在され且つ前記コレクタコン
タクト領域にオーミツク接触し前記コレクタコン
タクト領域の電位と同電位が印加されるシールド
電極と、該シールド電極を被覆する第２の絶縁膜
と、前記ベース領域及びエミツタ領域にオーミツ
ク接触し前記第２の絶縁膜の前記シールド電極上
を延在するベース電極及びエミツタ電極とを具備
し、前記ベース電極及びエミツタ電極を前記エピ
タキシヤル層表面から前記第１及び第２の絶縁膜
の総和の厚みだけ離間させると共に、前記シール
ド電極を前記コレクタコレクト領域に隣接するエ
ピタキシヤル層上まで延在させることにより、前
記エピタキシヤル層表面付近に前記ベース領域と
前記島領域とのPN接合から拡がる空乏層を前記
シールド電極端で阻止したことを特徴とする半導
体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13952681U JPS58124953U (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13952681U JPS58124953U (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124953U JPS58124953U (ja) | 1983-08-25 |
| JPS6244535Y2 true JPS6244535Y2 (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=30101589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13952681U Granted JPS58124953U (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124953U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746717B2 (ja) * | 1985-05-17 | 1995-05-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4840671A (ja) * | 1971-10-01 | 1973-06-14 | ||
| JPS5412793A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | Concentration measuring method of solutions |
| JPS55140246A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-01 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5617039A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP13952681U patent/JPS58124953U/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4840671A (ja) * | 1971-10-01 | 1973-06-14 | ||
| JPS5412793A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | Concentration measuring method of solutions |
| JPS55140246A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-01 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5617039A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58124953U (ja) | 1983-08-25 |
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