JPS61226971A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61226971A JPS61226971A JP6705085A JP6705085A JPS61226971A JP S61226971 A JPS61226971 A JP S61226971A JP 6705085 A JP6705085 A JP 6705085A JP 6705085 A JP6705085 A JP 6705085A JP S61226971 A JPS61226971 A JP S61226971A
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- cathode electrode
- oxide film
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はバイポーラリニアＩＣの定電圧回路として使用
されるツェナダイオードのような半導体装置に関する。
されるツェナダイオードのような半導体装置に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来のツェナダイオードは第２図のように構成されてい
た。第２図（Ａ）はツェナダイオードの平面図、第２図
（Ｂ）はその断面図である。第２図（Ｂ）において、１
１はＮ型気相成長層、１２はＮ＋型不純物拡散領域、１
３はＰ型不純物拡散領域、１４はＮ＋型不純物拡散領域
、１５は酸化膜である。
た。第２図（Ａ）はツェナダイオードの平面図、第２図
（Ｂ）はその断面図である。第２図（Ｂ）において、１
１はＮ型気相成長層、１２はＮ＋型不純物拡散領域、１
３はＰ型不純物拡散領域、１４はＮ＋型不純物拡散領域
、１５は酸化膜である。
上記酸化膜１５にはアノード電極取出し用穴１６が開孔
されると共にカソード電極取出し用穴１７が開孔される
。そして、アノード電極用金属配線１８は上記アノード
電極取出し用穴１６を介して上記Ｐ型不純物拡散領域１
３と電気的に接続される。さらに、カソード電極用金属
配線１９は上記カソード電極取出し用穴１７を介して上
記Ｎ型不純物拡散領域１４と電気的に接続される。
されると共にカソード電極取出し用穴１７が開孔される
。そして、アノード電極用金属配線１８は上記アノード
電極取出し用穴１６を介して上記Ｐ型不純物拡散領域１
３と電気的に接続される。さらに、カソード電極用金属
配線１９は上記カソード電極取出し用穴１７を介して上
記Ｎ型不純物拡散領域１４と電気的に接続される。
しかし、従来のツェナダイオードのツェナブレークダウ
ン時にはホットホールが酸化膜１５内に注入されて気相
成長層１１界面の酸化膜１５が＋チャージ化する。この
ため、Ｐ接合表面の電界が緩和されて、ツェナ電圧が変
動してしまうという欠点があった。このようにホットホ
ールが酸化Ｈ＠１５に注入される現象は酸化［Ｉ！１５
の上層が−にチャージしやすい膜（例えば、ポリイミｐ
Ｈｌ＋Ｐ−８ｉ Ｎ１ｍの構造）の場合にその注入がさ
らに促進されてツェナ電圧が大きく変動するという欠点
があった。
ン時にはホットホールが酸化膜１５内に注入されて気相
成長層１１界面の酸化膜１５が＋チャージ化する。この
ため、Ｐ接合表面の電界が緩和されて、ツェナ電圧が変
動してしまうという欠点があった。このようにホットホ
ールが酸化Ｈ＠１５に注入される現象は酸化［Ｉ！１５
の上層が−にチャージしやすい膜（例えば、ポリイミｐ
Ｈｌ＋Ｐ−８ｉ Ｎ１ｍの構造）の場合にその注入がさ
らに促進されてツェナ電圧が大きく変動するという欠点
があった。
［発明の目的］
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は
、ブレークダウン時のツェナ電圧の変動をなくすように
した半導体装置を提供することにある。
、ブレークダウン時のツェナ電圧の変動をなくすように
した半導体装置を提供することにある。
［発明の概要］
Ｐ型不純物拡散領域及びそれよりも高濃度のＮ型不純物
により形成されるＰ−Ｎ接合を有するツェナダイオード
において、上記Ｐ−Ｎ接合をカソード電極用金属配線で
覆うようにしている。
により形成されるＰ−Ｎ接合を有するツェナダイオード
において、上記Ｐ−Ｎ接合をカソード電極用金属配線で
覆うようにしている。
［発明の実施例］
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。第１図（Ａ）は本装置の平面図、第１図（Ｂ）はその
断面図である。第１図において第２図と同一名称には同
一番号を付けておく。つまり、本発明はカソード電極用
金属配線１９を形成する場合に、この金属配線１９によ
りＰ−Ｎ接合が覆ねれるように形成する。そして、第１
図に示すようなツェナダイオードを定電圧回路に使用す
る場合にはアノード電極用金属配線１８は一電位が、カ
ソード電極用金属配線１９には十の電位が与えられる。
。第１図（Ａ）は本装置の平面図、第１図（Ｂ）はその
断面図である。第１図において第２図と同一名称には同
一番号を付けておく。つまり、本発明はカソード電極用
金属配線１９を形成する場合に、この金属配線１９によ
りＰ−Ｎ接合が覆ねれるように形成する。そして、第１
図に示すようなツェナダイオードを定電圧回路に使用す
る場合にはアノード電極用金属配線１８は一電位が、カ
ソード電極用金属配線１９には十の電位が与えられる。
このように、カソード電極用金属配線１９に＋電位が与
えられることにより、ブレークダウン時のホラ１−ホー
ルが酸化膜１５に注入されるのを抑制することができる
。このことにより、ツェナ電圧の変動を小さくすること
ができる。また、上記酸化ＷＡ１９上に−チャージ化し
やすい膜が形成されている場合でも上記酸化膜１５への
ホットホールの注入を抑制させることができる。
えられることにより、ブレークダウン時のホラ１−ホー
ルが酸化膜１５に注入されるのを抑制することができる
。このことにより、ツェナ電圧の変動を小さくすること
ができる。また、上記酸化ＷＡ１９上に−チャージ化し
やすい膜が形成されている場合でも上記酸化膜１５への
ホットホールの注入を抑制させることができる。
なお、上記実施例においてはカソード電極用金属配線１
９によりＰ−Ｎ接合を覆うように構成したが、Ｐ−Ｎ接
合を覆うのはカソード電極用金属配線とは別のアノード
よりも高い電位の配線により覆うようにしても口い。
９によりＰ−Ｎ接合を覆うように構成したが、Ｐ−Ｎ接
合を覆うのはカソード電極用金属配線とは別のアノード
よりも高い電位の配線により覆うようにしても口い。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、ブレークダウン時
にツェナ電圧の変動をなくすようにした半導体装置を提
供することができる。
にツェナ電圧の変動をなくすようにした半導体装置を提
供することができる。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例に係わるツェナダイオ
ードの平面図、第１図（Ｂ）はその断面図、第２図（Ａ
）は従来のツェナダイオードの平面図、第２図（Ｂ）は
その断面図である。 １１・・・Ｎ型気相成長層、１２．１４・・・Ｎ＋型不
純物拡散領域、１３・・・Ｐ型不純物拡散領域、１５・
・・酸化膜、１８・・・アノード電極用金属配線、１９
・・・カソード電極用金属配線。
ードの平面図、第１図（Ｂ）はその断面図、第２図（Ａ
）は従来のツェナダイオードの平面図、第２図（Ｂ）は
その断面図である。 １１・・・Ｎ型気相成長層、１２．１４・・・Ｎ＋型不
純物拡散領域、１３・・・Ｐ型不純物拡散領域、１５・
・・酸化膜、１８・・・アノード電極用金属配線、１９
・・・カソード電極用金属配線。
Claims (2)
- （１）Ｐ型不純物拡散領域及びそれよりも高濃度のＮ型
不純物により形成されるＰ−Ｎ接合を有する半導体装置
において、上記Ｐ−Ｎ接合を覆うように上記Ｐ型不純物
拡散領域よりも高電位の電極用配線を形成するようにし
たことを特徴とする半導体装置。 - （２）上記電極用配線はツェナダイオードのカソード電
極用金属配線であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6705085A JPS61226971A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体装置 |
| DE19863610328 DE3610328A1 (de) | 1985-03-30 | 1986-03-26 | Zenerdiode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6705085A JPS61226971A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61226971A true JPS61226971A (ja) | 1986-10-08 |
Family
ID=13333624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6705085A Pending JPS61226971A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61226971A (ja) |
| DE (1) | DE3610328A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0612109A3 (de) * | 1993-02-16 | 1995-03-15 | Bosch Gmbh Robert | Monolithisch integriertes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung. |
| JP3799714B2 (ja) * | 1997-02-17 | 2006-07-19 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| DE19723747C1 (de) * | 1997-06-06 | 1998-11-26 | El Mos Elektronik Gmbh | Zappingdiode |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967670A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP6705085A patent/JPS61226971A/ja active Pending
-
1986
- 1986-03-26 DE DE19863610328 patent/DE3610328A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3610328C2 (ja) | 1989-09-07 |
| DE3610328A1 (de) | 1986-10-02 |
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