JPS6196561U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6196561U JPS6196561U JP18166184U JP18166184U JPS6196561U JP S6196561 U JPS6196561 U JP S6196561U JP 18166184 U JP18166184 U JP 18166184U JP 18166184 U JP18166184 U JP 18166184U JP S6196561 U JPS6196561 U JP S6196561U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial layer
- insulating film
- pair
- semiconductor
- diffusion regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案による多連半導体容量素子の断
面図、第２図は本考案による多連半導体素子の平
面図、第３図は従来の多連半導体容量素子を示す
断面図、第４図は従来の多連半導体容量素子を示
す平面図、第５図は本考案の等価回路図、第６図
は従来の多連半導体容量素子の等価回路図である
。 主な図番の説明、１は多連半導体容量素子、２
はＮ型のシリコン基板、３はＮ型のエピタキシヤ
ル層、４は絶縁膜、５は拡散孔、６はＰ型の拡散
領域、７は電極、８は絶縁膜、９はコンデンサＣ
Ａ、１０はコンデンサＣＢ、１１はコンデンサＣ
Ａ１、１２はコンデンサＣＡ２、１３はコンデン
サＣＢ１、１４はコンデンサＣＢ２である。
面図、第２図は本考案による多連半導体素子の平
面図、第３図は従来の多連半導体容量素子を示す
断面図、第４図は従来の多連半導体容量素子を示
す平面図、第５図は本考案の等価回路図、第６図
は従来の多連半導体容量素子の等価回路図である
。 主な図番の説明、１は多連半導体容量素子、２
はＮ型のシリコン基板、３はＮ型のエピタキシヤ
ル層、４は絶縁膜、５は拡散孔、６はＰ型の拡散
領域、７は電極、８は絶縁膜、９はコンデンサＣ
Ａ、１０はコンデンサＣＢ、１１はコンデンサＣ
Ａ１、１２はコンデンサＣＡ２、１３はコンデン
サＣＢ１、１４はコンデンサＣＢ２である。
Claims (1)
- 少なくとも一導電型の半導体基板と該基板上に
設けた一導電型のエピタキシヤル層と該エピタキ
シヤル層の主面に設けた少なくとも一対の逆導電
型の拡散領域と前記エピタキシヤル層上に設けた
絶縁膜と該絶縁膜に前記一対の逆導電型の拡散領
域に対応してコンタクト孔を形成し該コンタクト
孔を介してオーミツク接触する電極とを具備する
多連半導体容量素子において、前記電極を夫々少
なくとも２個以上に分割し交差状等に接続するこ
とで夫々均一容量にすることを特徴とした多連半
導体容量素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18166184U JPS6196561U (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18166184U JPS6196561U (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196561U true JPS6196561U (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=30739203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18166184U Pending JPS6196561U (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196561U (ja) |
-
1984
- 1984-11-29 JP JP18166184U patent/JPS6196561U/ja active Pending
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