JPH0419809Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0419809Y2 JPH0419809Y2 JP7633186U JP7633186U JPH0419809Y2 JP H0419809 Y2 JPH0419809 Y2 JP H0419809Y2 JP 7633186 U JP7633186 U JP 7633186U JP 7633186 U JP7633186 U JP 7633186U JP H0419809 Y2 JPH0419809 Y2 JP H0419809Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- channel stopper
- region
- resistor
- oxide film
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、チヤンネル・ストツパ部を有する
抵抗を備えた半導体集積回路に関するものであ
る。
抵抗を備えた半導体集積回路に関するものであ
る。
第２図ａは従来の半導体集積回路のチヤンネ
ル・ストツパ部を有する抵抗の一例を示す平面
図、第２図ｂは第２図ａのＡ，A′における断面
図である。
ル・ストツパ部を有する抵抗の一例を示す平面
図、第２図ｂは第２図ａのＡ，A′における断面
図である。
図において１はＰ基板に形成したＮ領域の抵抗
アイライド領域、２はＮ領域１内に形成したＰ領
域の抵抗領域、３は隣接する抵抗領域２間に形成
したN+領域のチヤンネル・ストツパ領域、４は
酸化膜、５は抵抗領域２のコンタクト部である。
アイライド領域、２はＮ領域１内に形成したＰ領
域の抵抗領域、３は隣接する抵抗領域２間に形成
したN+領域のチヤンネル・ストツパ領域、４は
酸化膜、５は抵抗領域２のコンタクト部である。
半導体集積回路に抵抗値の大きな抵抗を設ける
場合、抵抗領域２の有効長を長くするために、第
２図に示すような形状とすることがある。このと
きは、隣接する抵抗領域２間の絶縁を保持するた
めに、該領域にN+領域のチヤンネル・ストツパ
領域を設ける。
場合、抵抗領域２の有効長を長くするために、第
２図に示すような形状とすることがある。このと
きは、隣接する抵抗領域２間の絶縁を保持するた
めに、該領域にN+領域のチヤンネル・ストツパ
領域を設ける。
この考案は、半導体集積回路における抵抗のチ
ヤンネル・ストツパ領域に着目して、該チヤンネ
ル・ストツパ領域の有効利用を計ることを目的と
してなされたものである。
ヤンネル・ストツパ領域に着目して、該チヤンネ
ル・ストツパ領域の有効利用を計ることを目的と
してなされたものである。
この考案の半導体集積回路は、抵抗のチヤンネ
ル・ストツパ領域上に酸化膜を挾んで金属膜を配
設し、上記チヤンネル・ストツパ部と上記金属膜
を電極とするコンデンサを形成したものである。
ル・ストツパ領域上に酸化膜を挾んで金属膜を配
設し、上記チヤンネル・ストツパ部と上記金属膜
を電極とするコンデンサを形成したものである。
第１図ａはこの考案に係るコンデンサの構造の
一例を示す平面図、第１図ｂは第１図ａのＡ，
A′における断面図である。
一例を示す平面図、第１図ｂは第１図ａのＡ，
A′における断面図である。
図において第２図ａ，ｂと同一の符号は同一ま
たは相当する部分を示し、６はチヤンネル・スト
ツパ領域３上に酸化膜４を挾んで形成した金属
膜、７は酸化膜４を貫通してチヤンネル・ストツ
パ領域３に接続するコンタクト部である。
たは相当する部分を示し、６はチヤンネル・スト
ツパ領域３上に酸化膜４を挾んで形成した金属
膜、７は酸化膜４を貫通してチヤンネル・ストツ
パ領域３に接続するコンタクト部である。
チヤンネル・ストツパ領域３上の酸化膜４の一
部区画を除く面上に金属膜６を配設し、上記一部
区画面内の酸化膜４を貫通してチヤンネル・スト
ツパ領域３に接続するコンタクト部７を設ける。
部区画を除く面上に金属膜６を配設し、上記一部
区画面内の酸化膜４を貫通してチヤンネル・スト
ツパ領域３に接続するコンタクト部７を設ける。
上記のようにして、チヤンネル・ストツパ領域
３を一方の電極とし、金属膜６を他方の電極とし
てコンデンサを形成する。
３を一方の電極とし、金属膜６を他方の電極とし
てコンデンサを形成する。
この場合、チヤンネル・ストツパ領域３上に形
成されている酸化膜４をそのまま使用することで
は所期の容量のものが得られないときには、エツ
チングによつて従来の酸化膜４を所定の厚さにす
るか、従来の酸化膜４は除去し、新たに所定の厚
さの酸化膜をつくればよい。
成されている酸化膜４をそのまま使用することで
は所期の容量のものが得られないときには、エツ
チングによつて従来の酸化膜４を所定の厚さにす
るか、従来の酸化膜４は除去し、新たに所定の厚
さの酸化膜をつくればよい。
各チヤンネル・ストツパ領域３に形成したコン
デンサを並列接続とすれば、容量を変えることが
できる。
デンサを並列接続とすれば、容量を変えることが
できる。
この考案は、コンデンサが抵抗の近くに設けら
れるので、Ｃ−Ｒ遅延回路、位相保障回路、フイ
ルタ回路などに適している。
れるので、Ｃ−Ｒ遅延回路、位相保障回路、フイ
ルタ回路などに適している。
以上のとおり、この考案によれば、抵抗アイラ
ンド領域のチヤンネル・ストツパ領域を利用して
コンデンサを形成したので、面積利用効率が上
り、集積化に寄与すること大である。
ンド領域のチヤンネル・ストツパ領域を利用して
コンデンサを形成したので、面積利用効率が上
り、集積化に寄与すること大である。
第１図ａはこの考案に係るコンデンサの構造の
一例を示す平面図、第１図ｂは第１図ａ，Ａ，
A′における断面図、第２図ａは従来の半導体集
積回路のチヤンネル・ストツパ部を有する抵抗の
一例を示す平面図、第２図ｂは第２図ａのＡ，
A′における断面図である。 １……抵抗アイランド領域、２……抵抗領域、
３……チヤンネル・ストツパ領域、４……酸化
膜、５……コンタクト部、６……金属膜、７……
コンタクト部、なお図中同一符号は同一または相
当する部分を示す。
一例を示す平面図、第１図ｂは第１図ａ，Ａ，
A′における断面図、第２図ａは従来の半導体集
積回路のチヤンネル・ストツパ部を有する抵抗の
一例を示す平面図、第２図ｂは第２図ａのＡ，
A′における断面図である。 １……抵抗アイランド領域、２……抵抗領域、
３……チヤンネル・ストツパ領域、４……酸化
膜、５……コンタクト部、６……金属膜、７……
コンタクト部、なお図中同一符号は同一または相
当する部分を示す。
Claims (1)
- チヤンネル・ストツパ部を有する抵抗を備えた
半導体集積回路において、該抵抗のチヤンネル・
ストツパ領域上に酸化膜を挾んで金属膜を配設
し、上記チヤンネル・ストツパ領域と上記金属膜
を電極とするコンデンサを形成したことを特徴と
する半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7633186U JPH0419809Y2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7633186U JPH0419809Y2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188153U JPS62188153U (ja) | 1987-11-30 |
| JPH0419809Y2 true JPH0419809Y2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=30923309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7633186U Expired JPH0419809Y2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0419809Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP7633186U patent/JPH0419809Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62188153U (ja) | 1987-11-30 |
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