JPS584815B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS584815B2
JPS584815B2 JP51049009A JP4900976A JPS584815B2 JP S584815 B2 JPS584815 B2 JP S584815B2 JP 51049009 A JP51049009 A JP 51049009A JP 4900976 A JP4900976 A JP 4900976A JP S584815 B2 JPS584815 B2 JP S584815B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウエハーから複数個の半導体ベレットを
製造する半導体装置の製造方法に関する。
最近半導体素子の製造コストを下げるためにより大きな
面積のウエハーを用いる努力がなされている。
これはウエハ面積の増大により、その中に形成されるペ
レット数が増加し、一度の処理により多数のペレットを
処理出来るようになるからである。
とくにウエハ径拡大による製造コスト低下の効果はウエ
ハ工程の長いプレーナ形素子や、ウエハー状態で表面保
護を完了する例えばガラスパシベーションメサ形素子で
は著しいものがあり製造コストの低減にウエハ径の拡大
は不可欠である。
第１図は従来のガラスパシベーションされたサイリスタ
製造工程におけるガラスパシベーションを完了した状態
のウエハーの断面図を示す。
第１図において、１はウエハ、２はｎ形のシリコン母材
、３及び４は上記シリコン母材２に拡散により形成さけ
ｐ層、５はｐ層４の上に図中。
でしめず窓の部分をのぞいて拡散により形成されたｎ層
である。
しかるのち、メサ溝６をｐ層３および４より深く堀り各
半導体ペレットに分離している。
７ぱｐ−ｎ接合を保護するだめの低融点ガラスである。
低融点ガラス７は溝部について設けられる。このあと両
主面の溝部をのぞいた部分にメッキ等によりメタライズ
がほどこされ、ハンダ層をつけたのち上記溝部の中心に
そって分割される。
従来の例では、例えば６００Ｖのサイリスタでは、ウエ
ハ厚みは２００〜２２０μ、溝部の深さは６５〜８０μ
が一般的である。
この厚みではウエハーがワレないためには４ｏｚ以下の
ウエハー径を使属せさるを得ない。
しかしながら第１図にしめすように溝を堀ることにより
メサ部を構成し、接合を分離するメサ溝構造の素子では
、溝部でウエハー厚みがうすくなるためわれやすく、ウ
エハ径の拡大はむずかしいとされている。
そしてウエハー径を拡大するためにはウエハー厚みを増
大しなければならない。
例えば、４０ψでメサ溝構造の素子を製造する場合われ
を防ぐために必要なウエハー厚みは２２０μである。
これを５０ψに拡大するためにはウエハ厚みは２５０μ
以上にしなければならない。
さらに７５ψに拡大するためには３００μ以上の厚みを
必要とする。
一方素子の特性から考えるとサイリスタ、ダイオードの
ようにウエハー面に垂直に電流を流す構造の素子ではウ
エハー厚みの増大は通電時の電圧降下の増大をまねき、
したがってウエハ厚みはうすい程のぞましい。
通常最ものぞましい厚みはサイリスタの場合２２０μ以
下、ダイオードの場合１８０μ以下である。
この観点からもウエハの厚みは制限されてい九本発明は
このような点に鑑みてなされたもので素子の実質厚みを
厚くすることなくウエハー径を拡大し製造コストを下げ
るようにした半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
以下、この発明について第２図を用いてこの発明の一実
施例について説明する。
第２図は本発明を適用したウエハー１００の構造例で、
８はメサ溝で、各ペレット毎に各ペレットをとりかこむ
ように分離独立して設けられている。
９は各ペレット部の連結部で、ウエハー周辺と各ペレッ
トをとりまくメサ溝８をさらにとりまくようにしている
。
この連結部９のウエハー厚みは、ペレット部のウエハー
厚みより厚くつくられる。
さらに第２図について、第３図を用いて具体的に説明す
る。
第３図ａに示すシリコンウエハーとして径６５ψ、比抵
抗１５〜２５Ωｃｍ、厚み３００μのウエハーがえらば
れた。
次に連結部９として第２図にしめす様なペレットの配列
となるように、ペレットを形成すべき部分（３．５ｍｍ
□）をのぞき、連結部９の巾０．７〜０．８ｍｍ（ペレ
ット間間隔）としてワックスを用いてマスクし、酸とフ
ツ酸の混合液で約４０〜５０μエッチング嘆３図ｂに示
すものとする。
つづいて既知の拡散技術を用いて第３図ｃに示すｐｎｐ
ｎ接合を形成し、しかるのち連結部９のペレットの側の
メサ溝８を巾２００μ深さ６０μで形成し、各ペレット
を電気的に分離した。
その後メサ溝部に第３図ｄに示すように低融点ガラスを
付着させ焼成したのち、第３図ｅにしめずメタライズ層
１０を設けしかるのち一点鎖線でしめす連結部９で切断
分離する。
この構造では連結部のウエハー厚みは３００μと厚くあ
たかも窓わくのように補強の役割をはたしているだめわ
れに対して著しく強い。
一方ペレットの半導体素子部のウエハ厚みは２００〜２
２０μとうすいため、その電気特性とくにその電圧降下
は第１図にしめす従来のものとほとんどかわらなかった
。
このようにして１ウエハあたりのペレット数は４０φウ
エハ使用の場合に比べて約２．５倍となり製造コストの
低下に大きく寄与していた。
第４図はこのペレットをプレート１１上にハンダ１２を
用いてロー付けした状態の断面図をしめす。
電極１３が同時にロー付けされた。このペレット構造で
はプレートのペレットとの接着部分は凸にしておく必要
がある。
なお実施例ではウエハーの両面に連結部を設けたが、若
干のわれの増加を許せば必ずしも両面に設ける必要はな
く、片面でもその効果は十分得られる。
この場合第２図において下面の連結部９はなくなり、こ
の部分は平坦な面となる。
下面のメサ溝８は第２図に示すように２本溝でもよく又
第１図に示す１本溝でもよいことは明らかである。
以上のように、この発明の製造方法によればウエハのわ
れを防止できるので、ウエハの実質厚みを厚くすること
なくウエハ径を拡大することができ、製造コストを大巾
に下げることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の製造方法を説明するだめの
ウエハの断面図、第２図は本発明の一実施例を説明する
ためのウエハの断面図、第３図は第２図の一実施例を具
体的に説明するだめの製造工程図、第４図は第２図のウ
エハーをペレット毎に切断したときのべレソトの構成例
を示す構成図である。 図において、８はメサ溝、９は連結部である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体ウエハの少なくとも一主面を半導体ペレット
    を形成すべき複数の部分を除いてマスクする第１工程と
    、上記半導体ウエハをエッチングして上記半導体ペレッ
    トを形成すべき部分を囲んで突出した連結部を形成する
    第２工程と、上記連結部で囲まれた部分に少なくとも１
    つのＰｎ接合を有する半導体ペレットを形成する第３工
    程と、上記連結部内側に上記半導体ペレットを電気的に
    分離するメサ溝を形成する第４工程と、上記連結部を切
    断して各半導体ペレットを分離する第５工程とを備えた
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP51049009A 1976-04-27 1976-04-27 半導体装置の製造方法 Expired JPS584815B2 (ja)

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SE424787B (sv) 1982-08-09

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