JP3775574B2 - 光結合装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトカプラなどとして実現される光結合装置に関し、特に2次側の受光集積回路における高速化に関する。
【0002】
【従来の技術】
図6は、一般的なフォトカプラ1の構成を示す断面図である。フォトカプラ1は、1次側の端子2から入力された電気信号を1次側の発光集積回路3で一旦光信号に変換し、2次側の前記受光集積回路4で再び電気信号に変換し、2次側の端子5から出力することで、1次側回路と2次側回路とを電気的に遮断し、機器間が電気的に絶縁状態で、信号の送受信を実現するものである。発光ダイオードなどの前記発光集積回路3上の発光素子と、フォトダイオードなどの前記受光集積回路4上の受光素子とは、相互に近接して対向配置され、それらの間のギャップには所定の誘電率を有する半透明のエポキシ樹脂6が充填され、さらに外側は遮光性のエポキシ樹脂7で封止されている。
【0003】
図7は、従来技術のフォトカプラ11の電気的構成を示すブロック図である。1次側回路は、送信用ドライバIC12と発光素子13とから構成されており、2次側回路は、受信用IC14から構成されている。送信用ドライバIC12では、端子Vcc1−GND1間の電圧を電源電圧とし、アンプ15が入力端子INに入力された電圧信号を電流信号に変換し、駆動素子16がその電流信号で前記発光素子13を点灯駆動する。また、1次側回路としては、入力された電気信号を光信号に変換する発光素子のみで構成されることもある。
【0004】
受信用IC14では、端子Vcc2−GND2間の電圧を電源電圧とし、前記光信号を受光素子17が電流信号に変換し、その電流信号を電流−電圧変換アンプ18が電流−電圧変換した後、コンパレータ19が波形整形して出力端子OUTへ出力する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、フォトカプラを特徴付ける重要な特性として、パルス幅歪特性がある。近年、特にFA機器は、半導体の高性能化やデジタル機器の拡大等によって高性能化が進んでおり、ACサーボやプログラマブルコントローラのユニット間をノイズ対策や機器保護のために絶縁しているフォトカプラについても、高速化が要求されている。たとえば、25Mbpsの伝送速度のフォトカプラでは、前記パルス幅歪みは、パルス幅の40nsecに対して、±6nsec以下が要求される。
【0006】
一方、発光素子13の光出力ばらつきや、前記エポキシ樹脂6,7でのモールド成型時の送信側回路と受信側回路との間の距離の製造ばらつきなどによって受光素子17に入射する光量が大きく変化するとともに、受信側回路の製造ばらつきによる電流−電圧変換アンプ18のゲインのばらつきがあり、高速のフォトカプラを実現するためには、受光素子17への入射光量の変化に対する出力パルス幅の歪みを最小限に抑える必要がある。
【0007】
一方、フォトカプラを特徴付けるもう1つの重要な特性として、同相雑音信号除去比(CMRR:Commmon Mode Rejection Ratio)がある。このCMR特性は外乱ノイズに対しての誤動作のしにくさを表す量である。前述の図6で示すように、フォトカプラ1は、前記集積回路3,4間が所定の誘電率を有するエポキシ樹脂6で充填されてコンデンサ構造となっており、該集積回路3,4間がその寄生容量によって接続されることになる。したがって、フォトカプラ1の入力側と出力側とにパルスの立上り、立下りが(dv/dt)であるような急峻なノイズが入った場合、前記寄生容量をCとすると、C・(dv/dt)のノイズ電流が入出力間に流れ、このノイズ電流の一部が受光集積回路4上の受光素子に流込んだ場合、誤動作を生じる原因になる。
【0008】
この誤動作を防ぐ方法として、受光素子上にITO膜のような透明の導電性膜を被せ、その電位を受信側のGND電位に接地しておく方式がある。このような構成では、前記寄生容量によるノイズ電流は、前記透明導電膜を介して出力側のGNDに流れ、入力側の光信号のみを受光素子で受けることで、ノイズによる誤動作を防止し、高いCMR特性を実現することができる。しかしながら、前記導電性膜を形成するための専用のプロセス装置が必要となり、プロセスが複雑になるという問題がある。
【0009】
そこで、前記寄生容量による誤動作を防止する他の方法として、たとえば特許第2531070号で示されるように、ダミーフォトダイオードを用いる構成がある。図8は、そのようなダミーフォトダイオード用いた他の従来技術の受光回路21のブロック図である。この受光回路21では、同一形状、同一容量で相互に特性の等しい2個のフォトダイオードd1,d2を用い、一方のフォトダイオードd1のみを発光素子からの光信号の受信用に用い、他方のフォトダイオードd2は遮光してダミーフォトダイオードとする。ダミーフォトダイオードd2は、その受光面がカーソドのメタル配線22で覆われ、カーソド電位で遮光されている。
【0010】
前記フォトダイオードd1とフォトダイオードd2とは、図9に示すように、田の字のクロス配置になっており、しかも前記の集積回路3,4を搭載するフレームの大きさが、たとえば2×2mm程度であるのに対して、これらフォトダイオードd1,d2の面積は0.1×0.1mm程度で充分小さく、フォトダイオードd1,d2に流込むノイズ電流は略等しくなる。
【0011】
したがって、フォトダイオードd1,d2の出力電流を、電流−電圧変換アンプa1,a2でそれぞれ電圧変換した後、差動アンプであるヒステリシスコンパレータ23で相互に比較し、こうしてフォトダイオードd1からの出力をパルス信号に波形整形することによって、同相のノイズ成分が除去され、出力は高いCMR特性を実現することができる。
【0012】
しかしながら、前記電流−電圧変換アンプa1,a2は、抵抗r1,r2およびコンデンサc1,c2で負帰還された線形増幅のアンプであり、入射光量の変化に対する出力パルス幅の歪みを小さくしようとした場合、初段アンプの帯域を十分広く取る必要がある。しかしながら、アンプの帯域を広くした場合、前記CMR特性が悪化するという問題がある。
【0013】
すなわち、たとえば前記25Mbpsの伝送速度の高速高CMRのフォトカプラには、CMR耐量が10kV/μsecで、Vcm=1000Vの目標があり、この場合、図10(a)で示すようにノイズパルスの立上がり時間が100nsecとすると、その波高値は1kVとなり、それによって1次−2次間の容量結合でフォトダイオードd1,d2に流れるノイズ電流波形は、図10(b)で示すように100nsecのパルス波形になり、したがって10MHz以上の高周波成分を含んでいるので、アンプの帯域を前記25Mbpsに対応した帯域から広くする程、前記の高周波成分を増幅し易くなり、ノイズによる誤動作が起こり易くなる。
【0014】
このため、CMR特性を確保するにあたって、前記アンプの帯域で対応することができず、フォトダイオードd1への入射光量を一定にすることで対応することになり、製造ばらつきに対する許容範囲が狭くなり、高速高CMRのフォトカプラを充分な歩留まりを確保して製造することは困難であるという問題がある。
【0015】
本発明の目的は、ノイズに対する誤動作の耐量を低下させずに、受光素子への入射光量の変化に対するパルス幅歪みを最小限に抑え、パルスの伝送レートを高速化することができる光結合装置を提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の光結合装置は、1次側回路では入力された電気信号を発光素子で光信号に変換し、2次側回路では前記発光素子に近接して対向配置される受光素子で受光した前記光信号を電気信号に変換して出力するようにした光結合装置において、前記2次側回路では、前記受光素子で光電変換された光電流を増幅するための電流−電圧変換アンプの負帰還回路に、入力光電流のレベルに対応してインピーダンスが変化するインピーダンス可変手段を備え、該インピーダンス可変手段によって、前記入力光電流のレベルが大きくなる程、電流−電圧変換アンプのゲインを低下することを特徴とする。
【0017】
上記の構成によれば、入力された電気信号を1次側回路で一旦光信号に変換し、2次側回路で再び電気信号に変換することで、1次側回路と2次側回路とを電気的に遮断する、いわゆるフォトカプラなどとして実現される光結合装置において、受光素子で光電変換された光電流を増幅するための電流−電圧変換アンプの負帰還回路に、入力光電流のレベルに対応してインピーダンスが変化するインピーダンス可変手段を設け、該電流−電圧変換アンプのゲインを、前記入力光電流が小さいときは大きくし、入力光電流が大きくなると小さくすることによって、該電流−電圧変換アンプからの出力を同じしきい値で波形整形しても、光量によるパルス幅歪みを最小限に抑えることができる。
【0018】
これによって、前記パルスの伝送レートを高速化することができる。また、2次側回路を2組設け、前記受光素子をフォトダイオードとダミーフォトダイオードとして、同相雑音信号を除去するようにした構成では、ノイズによる同相電流に対しては電流−電圧変換アンプのゲインが共に低下するので、誤動作がおきにくくなり、CMR特性を高くすることができる。
【0019】
また、本発明の光結合装置では、前記インピーダンス可変手段は、第1の抵抗およびトランジスタの直列回路と、コンデンサとが前記電流−電圧変換アンプの出力と負入力との間に相互に並列に設けられるとともに、前記トランジスタのコレクタとベースとの間に設けられる第2の抵抗を備えて構成されることを特徴とする。
【0020】
上記の構成によれば、入力光電流の周波数が高くなるとインピーダンス可変手段のトランジスタの電流増幅率が小さくなってゆき、該インピーダンス可変手段のインピーダンスが大きくなるので、電流−電圧変換アンプの周波数特性にはカットオフ周波数付近にゲインのピーキングが発生し、前記光電流に対する帯域の延び率が大きくなり、該光電流のばらつきによるによるパルス幅歪みをさらに小さくすることができる。
【0021】
さらにまた、本発明の光結合装置は、前記受光素子を同相雑音信号を除去するためにフォトダイオードとダミーフォトダイオードとで構成し、それらに個別に対応する前記電流−電圧変換アンプの内、フォトダイオード側の電流−電圧変換アンプの出力に受信感度を調整するためのオフセット回路を設け、前記オフセット回路による電流−電圧変換アンプの出力の不整合をキャンセルするように、前記フォトダイオードとダミーフォトダイオードとを相互に異なる面積に形成することを特徴とする。
【0022】
上記の構成によれば、フォトダイオードにダミーフォトダイオードを設け、それらに個別に対応する電流−電圧変換アンプの出力の差分を求めることで同相雑音信号を除去し、高CMR特性を得るようにした構成において、受信感度の調整のために設けたオフセット回路による出力の不整合を、フォトダイオードとダミーフォトダイオードとの面積比を調整することでキャンセルする。
【0023】
したがって、受信感度の調整を、問題なく行うことができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について、図1に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【0025】
図1は、本発明の実施の一形態の受光回路31の電気的構成を示すブロック図である。この受光回路31では、同一形状、同一容量で相互に特性の等しい2個のフォトダイオードD1,D2を用い、一方のフォトダイオードD1のみを発光素子からの光信号の受信用に用い、他方のフォトダイオードD2は遮光してダミーフォトダイオードとする。ダミーフォトダイオードD2は、その受光面がカーソドのメタル配線32で覆われ、カーソド電位で遮光されている。
【0026】
フォトダイオードD1,D2の出力電流は、電流−電圧変換アンプA1,A2でそれぞれ電圧変換された後、差動アンプであるヒステリシスコンパレータ33で相互に比較され、こうしてフォトダイオードD1からの出力をパルス信号に波形整形することによって、同相のノイズ成分が除去され、高いCMR特性の出力が得られている。
【0027】
注目すべきは、本発明では、電流−電圧変換アンプA1,A2は、インピーダンス可変回路Z1,Z2を介して負帰還がそれぞれ行われる非線形増幅のアンプであることである。インピーダンス可変回路Z1は、電流−電圧変換アンプA1の出力と負入力との間に、抵抗Rlおよびダイオード接続されたトランジスタQ1の直列回路と、コンデンサC1とが相互に並列に設けられて構成されている。整合性を得るために、ダミーフォトダイオードD2側でも、インピーダンス可変回路Z2は、電流−電圧変換アンプA2の出力と負入力との間に、抵抗R2およびダイオード接続されたトランジスタQ2の直列回路と、コンデンサC2とが相互に並列に設けられて構成され、R2=R1、Q2=Q1およびC2=C1に形成されている。
【0028】
したがって、フォトダイオードD1を流れる電流をIpd、電流−電圧変換アンプA1の入力端子のバイアス電流をIbとすると、インピーダンス可変回路Z1のインピーダンスZ1は、以下のように表される。
【0029】
Z1=R1+(kT/q)/(Ib+Ipd) …(1)
ただし、kはボルツマン定数であり、Tは絶対温度であり、qは素電荷である。
【0030】
したがって、フォトダイオードD1の電流Ipdが増加すると、インピーダンスZ1は減少するので、大きな信号が入ってきた場合、電流−電圧変換アンプA1のゲインが低下する。こうして、電流−電圧変換アンプA1は対数圧縮した出力電圧をヒステリシスコンパレータ33に与えるので、該ヒステリシスコンパレータ33が電流−電圧変換アンプA2からの固定しきい値で波形整形しても、出力パルス幅の増大を防ぐことができる。また、ダミーフォトダイオードD2とフォトダイオードD1とにノイズによる同相電流が流れた場合、電流−電圧変換アンプA1,A2のゲインが低下するので、誤動作がおきにくくなり、高CMR特性を実現することができる。
【0031】
また、電流−電圧変換アンプA1のカットオフ周波数(帯域)fcは、該電流−電圧変換アンプA1自体の帯域が充分広いとすると、
fc=1/(2π・C1・Z1) …(2)
となる。
【0032】
したがって、前記のようにフォトダイオードD1の電流Ipdが増加し、インピーダンスZ1が減少すると、カットオフ周波数fcは大きくなる。たとえば、R1=5kΩ、C1=0.3pF、Ib=2μA、Ipd=1μA、T=300Kとすると、Z1=13.6kΩとなり、fc=39MHzとなる。Ipd=2μAに増加した場合、Z1=11.45kΩ、fc=46.3MHzとなる。
【0033】
このようにインピーダンスZ1を可変するトランジスタQ1および抵抗Rlの直列回路に並列にコンデンサC1を入れることによって、フォトダイオードD1の電流Ipdに比例して前記式1からインピーダンスZ1が低下すると、前記式2から電流−電圧変換アンプA1の帯域が広くなる。この作用によって、入射光量変動によるパルス幅歪みをさらに低減することが可能となる。また、フォトダイオードD1の電流Ipdが流れていないときの電流−電圧変換アンプA1の帯域を狭くすることができ、高いCMR特性を実現するのにも都合がよい。
【0034】
本発明の実施の他の形態について、図2および図3に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【0035】
図2は、本発明の実施の他の形態の受光回路41の電気的構成を示すブロック図である。この受光回路41は前述の受光回路31に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。前述の受光回路31では、インピーダンス可変回路Z1,Z2内でインピーダンスの可変を実現するトランジスタQ1,Q2は、コレクタとベースとの間を接続したダイオード構造となっているのに対して、注目すべきは、この受光回路41のインピーダンス可変回路Z1a,Z2aでは、前記コレクタとベースとの間に、抵抗R1a,R2aがそれぞれ介在されており、電流−電圧変換アンプA1,A2は、その周波数特性にピーキングを有することである。そして、ダミーフォトダイオードD2側も整合性を得るために、前記R2=R1とともに、R2a=R1aとなっている。
【0036】
したがって、前記式1は、
のように表される。hFE(Q1)は、トランジスタQ1の電流増幅率である。この電流増幅率hFEは、周波数特性を有し、以下の複素表現で表される。
【0037】
hFE(jf)=hFE0/(1+hFE0・(f/fTh)・j)…(4)
ここで、fThは、遷移周波数と呼ばれ、hFE=1となる周波数である。
【0038】
一方、ゲイン抵抗のインピーダンスは、Z1とC1とを並列接続した値になり、周波数特性を持つことになる。
【0039】
ゲイン抵抗=Z1//C1=Z1/(1+2π・f・C1・j) …(5)
この計算は非常に複雑であるけれども、たとえばR1=5kΩ、R1a=10kΩ、C1=0.3pF、Ib=2μA、Ipd=5μA、T=300K、hFE0=100、fTh=1GHzとして、前記式5からゲイン抵抗の周波数特性を計算すると、図3(a)で示すようになり、ピーキングが発生する。抵抗R1aの値を小さくすると、前記ピーキングはなくなる。
【0040】
したがって、前記インピーダンス可変回路Z1を用いた電流−電圧変換アンプA1の周波数特性を図3(b)において参照符α1で示すとき、このインピーダンス可変回路Z1aを用いた場合には、周波数が高くなるとhFE(Q1)が小さくなってゆき、インピーダンスZ1が大きくなるので、周波数特性には、前記式2から、参照符α2で示すように、カットオフ周波数fc付近にゲインのピーキングが発生する。これによって、前記フォトダイオードD1の電流Ipdに対する帯域の延び率が大きくなり、該電流Ipdのばらつきによるによるパルス幅歪みをさらに小さくすることができる。
【0041】
本発明の実施のさらに他の形態について、図4および図5ならびに前記図9に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【0042】
図4は、本発明の実施のさらに他の形態の受光回路51の電気的構成を示すブロック図である。この受光回路51は前述の受光回路31,41に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この受光回路51では、フォトダイオードD1a側の電流−電圧変換アンプA1の出力に、受信感度を調整するためのオフセット回路52を設けていることである。したがって、前述のようにフォトダイオードD1a側とダミーフォトダイオードD2側とで、電流−電圧変換アンプA1,A2間やインピーダンス可変回路Z1,Z2(Z1a,Z2a)間で整合が取れているために、それらの出力間に若干の不整合が生じる。
【0043】
このため、通常は、フォトダイオードD1aとダミーフォトダイオードD2との面積は、前述の図9のように相互に等しく形成されるのに対して、前記不整合をキャンセルするように、図5で示すように、相互に異なる面積に形成される。その面積比は、1:0.9程度である。これによって、最もCMR特性が良くなるように受光回路51を構成することができる。
【0044】
【発明の効果】
本発明の光結合装置は、以上のように、フォトカプラなどとして実現される光結合装置において、受光素子で光電変換された光電流を増幅するための電流−電圧変換アンプの負帰還回路に、入力光電流のレベルに対応してインピーダンスが変化するインピーダンス可変手段を設け、該電流−電圧変換アンプのゲインを、前記入力光電流が小さいときは大きくし、入力光電流が大きくなると小さくする。
【0045】
それゆえ、電流−電圧変換アンプからの出力を同じしきい値で波形整形しても、光量によるパルス幅歪みを最小限に抑えることができ、前記パルスの伝送レートを高速化することができる。また、2次側回路を2組設け、前記受光素子をフォトダイオードとダミーフォトダイオードとして、同相雑音信号を除去するようにした構成では、ノイズによる同相電流に対しては電流−電圧変換アンプのゲインが共に低下するので、誤動作がおきにくくなり、CMR特性を高くすることができる。
【0046】
また、本発明の光結合装置は、以上のように、前記インピーダンス可変手段を、第1の抵抗およびトランジスタの直列回路と、コンデンサとを前記電流−電圧変換アンプの出力と負入力との間に相互に並列に設けるとともに、前記トランジスタのコレクタとベースとの間に第2の抵抗を設けて構成する。
【0047】
それゆえ、入力光電流の周波数が高くなるとインピーダンス可変手段のトランジスタの電流増幅率が小さくなってゆき、該インピーダンス可変手段のインピーダンスが大きくなるので、電流−電圧変換アンプの周波数特性にはカットオフ周波数付近にゲインのピーキングが発生し、前記光電流に対する帯域の延び率が大きくなり、該光電流のばらつきによるによるパルス幅歪みをさらに小さくすることができる。
【0048】
さらにまた、本発明の光結合装置は、以上のように、フォトダイオードにダミーフォトダイオードを設け、それらに個別に対応する電流−電圧変換アンプの出力の差分を求めることで同相雑音信号を除去し、高CMR特性を得るようにした構成において、受信感度の調整のために設けたオフセット回路による出力の不整合を、フォトダイオードとダミーフォトダイオードとの面積比を調整することでキャンセルする。
【0049】
それゆえ、受信感度の調整を、問題なく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態の受光回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施の他の形態の受光回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図3】前記図1および図2の受光回路における電流−電圧変換アンプの周波数特性を示すグラフである。
【図4】本発明の実施のさらに他の形態の受光回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図5】前記図4の受光回路におけるフォトダイオードおよびダミーフォトダイオードの形状を示す正面図である。
【図6】一般的なフォトカプラの構造を示す断面図である。
【図7】典型的な従来技術のフォトカプラの電気的構成を示すブロック図である。
【図8】他の従来技術である受光回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図9】前記図8の受光回路におけるフォトダイオードおよびダミーフォトダイオードの形状を示す正面図である。
【図10】フォトカプラへ印加されるノイズおよびそれによるフォトダイオードの出力波形を示す図である。
【符号の説明】
1 フォトカプラ
2 1次側の端子
3 発光集積回路
4 受光集積回路
5 2次側の端子
6,7 エポキシ樹脂
31,41,51 受光回路
32 メタル配線
33 ヒステリシスコンパレータ
52 オフセット回路
A1,A2 電流−電圧変換アンプ
C1,C2 コンデンサ
D1,D1a フォトダイオード(受光素子)
D2 ダミーフォトダイオード
Q1,Q2 トランジスタ
Rl,R2 抵抗(第1の抵抗)
R1a,R2a 抵抗(第2の抵抗)
Z1,Z2;Z1a,Z2a インピーダンス可変回路
Claims (3)
- 1次側回路では入力された電気信号を発光素子で光信号に変換し、2次側回路では前記発光素子に近接して対向配置される受光素子で受光した前記光信号を電気信号に変換して出力するようにした光結合装置において、
前記2次側回路では、前記受光素子で光電変換された光電流を増幅するための電流−電圧変換アンプの負帰還回路に、第1の抵抗およびトランジスタの直列回路とコンデンサとが前記電流−電圧変換アンプの出力と負入力との間に相互に並列に設けられた、入力光電流のレベルに対応してインピーダンスが変化するインピーダンス可変手段を備え、該インピーダンス可変手段によって、前記入力光電流のレベルが大きくなる程、電流−電圧変換アンプのゲインを低下することを特徴とする光結合装置。 - 前記インピーダンス可変手段は、前記トランジスタのコレクタとベースとの間に設けられる第2の抵抗を備えて構成されることを特徴とする請求項1記載の光結合装置。
- 前記受光素子を同相雑音信号を除去するためにフォトダイオードとダミーフォトダイオードとで構成し、それらに個別に対応する前記電流−電圧変換アンプの内、フォトダイオード側の電流−電圧変換アンプの出力に受信感度を調整するためのオフセット回路を設け、
前記オフセット回路による電流−電圧変換アンプの出力の不整合をキャンセルするように、前記フォトダイオードとダミーフォトダイオードとを相互に異なる面積に形成することを特徴とする請求項1または2記載の光結合装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7620330B2 (en) * | 2003-06-05 | 2009-11-17 | Tom Faska | Optical receiver device and method |
US7406268B2 (en) | 2003-08-27 | 2008-07-29 | Avago Technologies Limited | Optical receiver circuit |
US7421213B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-09-02 | Avago Technologies Limited | Optical receiver control device with a switchable bandwidth |
US6952005B2 (en) * | 2003-12-19 | 2005-10-04 | Infineon Technologies Ag | Optical receiver circuit |
JP2006040976A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出器 |
US7263342B2 (en) * | 2004-08-30 | 2007-08-28 | Wilinx, Inc. | High frequency wireless receiver circuits and methods |
DE502004007397D1 (de) * | 2004-10-15 | 2008-07-31 | Avago Tech Fiber Ip Sg Pte Ltd | Empfangsschaltung für eine optische Empfangseinrichtung |
JP2006294682A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 光電変換装置および電子機器 |
JP4907914B2 (ja) * | 2005-07-12 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出回路 |
US7363603B2 (en) * | 2005-09-13 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and system for case-splitting on nodes in a symbolic simulation framework |
JP4568205B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2010-10-27 | 株式会社東芝 | 受信装置 |
JP5068443B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-11-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 光結合装置 |
JP2007122841A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sharp Corp | 受光アンプ回路及び光ピックアップ装置 |
US20070252125A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Jewett Cameron Lumber Corporation | Modular fencing system |
US20080002993A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Kirkpatrick Peter E | Optical receiver with dual photodetector for common mode noise suppression |
KR100958028B1 (ko) | 2008-02-13 | 2010-05-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광센서 및 그를 이용한 평판표시장치 |
KR100972033B1 (ko) * | 2008-08-13 | 2010-07-23 | 한국전자통신연구원 | 전치 증폭기와 후치 증폭기가 단일로 집적된 기가비트 수동형 광 네트워크용 버스트 모드 수신기 |
CN101769791B (zh) * | 2008-12-30 | 2011-11-09 | 达尔科技股份有限公司 | 一种线性光感应装置 |
CN101776477B (zh) * | 2009-01-14 | 2012-07-18 | 达尔科技股份有限公司 | 光感应装置 |
JP2012231272A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Toshiba Corp | 受信回路 |
US9246450B2 (en) * | 2013-08-19 | 2016-01-26 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for testing of successful operation of transimpedance amplifiers |
WO2018044190A1 (ru) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | Алексей Витальевич БЫКОВ | Оптически развязанный драйвер силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи. |
JP2019168330A (ja) | 2018-03-23 | 2019-10-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP7249185B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-03-30 | セイコーグループ株式会社 | 光ラッチ回路及び電子装置 |
GB2610887B (en) * | 2022-03-25 | 2023-12-27 | Hilight Semiconductor Ltd | Opto-electonic assemblies |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3902060A (en) * | 1972-04-04 | 1975-08-26 | Westinghouse Electric Corp | Self-optimizing biasing feedback for photo-electric transmission systems |
US3978343A (en) * | 1975-06-30 | 1976-08-31 | National Semiconductor Corporation | Optically coupled isolator circuit having increased common mode rejection |
JP2531070B2 (ja) * | 1992-11-18 | 1996-09-04 | 日本電気株式会社 | フォトカプラ |
JP3005403B2 (ja) | 1993-10-05 | 2000-01-31 | 群馬日本電気株式会社 | 磁気ヘッド |
JPH098563A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Nec Miyagi Ltd | 光受信前置増幅器 |
JP2689967B2 (ja) | 1995-09-22 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | 受光集積回路 |
JP2770810B2 (ja) | 1995-12-28 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | 受光素子 |
EP0838914A3 (en) * | 1996-10-25 | 2002-03-27 | Nec Corporation | Circuit arrangement for amplifying an electrical signal converted from an optical signal |
US5828178A (en) * | 1996-12-09 | 1998-10-27 | Tir Systems Ltd. | High intensity discharge lamp color |
US5949085A (en) * | 1997-01-29 | 1999-09-07 | Xircom, Inc. | Ratiometric compensated optical isolation coupler |
JPH11316245A (ja) * | 1998-05-01 | 1999-11-16 | Ando Electric Co Ltd | 電気光学サンプリングオシロスコープ |
US6246284B1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-06-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Negative feedback amplifier with automatic gain control function |
-
2001
- 2001-05-22 JP JP2001153082A patent/JP3775574B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8791442B2 (en) | 2011-08-05 | 2014-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical coupling device having dual inverting amplifier and a comparison amplified output signal |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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