WO2018044190A1 - Оптически развязанный драйвер силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи. - Google Patents

Оптически развязанный драйвер силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи. Download PDF

Info

Publication number
WO2018044190A1
WO2018044190A1 PCT/RU2016/000585 RU2016000585W WO2018044190A1 WO 2018044190 A1 WO2018044190 A1 WO 2018044190A1 RU 2016000585 W RU2016000585 W RU 2016000585W WO 2018044190 A1 WO2018044190 A1 WO 2018044190A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
photodiode
operational amplifier
power switch
mode interference
voltage
Prior art date
Application number
PCT/RU2016/000585
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Алексей Витальевич БЫКОВ
Original Assignee
Алексей Витальевич БЫКОВ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Алексей Витальевич БЫКОВ filed Critical Алексей Витальевич БЫКОВ
Priority to PCT/RU2016/000585 priority Critical patent/WO2018044190A1/ru
Publication of WO2018044190A1 publication Critical patent/WO2018044190A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/142—Energy conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled

Definitions

  • the invention relates to microelectronics, and in particular to devices for protecting power key drivers from high-voltage common-mode interference.
  • An optically decoupled power key driver consists of an optical pair of an LED - photodiode and a photocurrent amplifier to the level necessary for the normal operation of the power key located in one housing.
  • the photodiode and the photocurrent amplifier (receiving part) are implemented on a single crystal, above which the LED (transmitting part) is located.
  • the parameter “maximum isolation voltage” is achieved by using a high-voltage insulating layer, but one of the main parameters of such a driver is the resistance of the receiving part to high-voltage common-mode interference from the side of the transmitting part. This interference occurs when the voltage between the transmitting and receiving parts changes rapidly, while the insulation capacitance is charged or discharged.
  • the charge / discharge current (interference current) passes through the structure of the photodiode and the elements of the amplifier of the photocurrent and can cause a false alarm.
  • the topology of the photocurrent amplifier assumes complete coverage of the circuit with a layer of metal connected to a common wire of the receiving part. At the same time, part of the charge / discharge current of the insulation capacitance passes through this screen, bypassing the elements of the photocurrent amplifier. But this solution is not suitable for a photodiode that cannot be coated with metal due to the optical opacity of the metal. Thus, the photodiode remains the most vulnerable place of the receiving part when exposed to high-voltage common-mode interference.
  • the calculated values of the charge / discharge current through the area of the photodiode become comparable with the magnitude of the photocurrent even at rates of voltage change between the transmitting and receiving parts of 10 - 15 kV / ⁇ s.
  • a conductive optically transparent screen is used, which is placed between the receiving part and the high-voltage insulation at the stage of assembly of the housing with subsequent connection to the common wire of the receiving part.
  • This solution increases the complexity of manufacturing and the cost of the finished product.
  • Another type of shielding implementation is the deposition of a conductive and optically transparent layer of indium tin oxide directly on the receiving crystal (1). This simplifies the assembly of the crystal, but the cost of such an operation is also high.
  • Comparison comparison requires the use of a special correction circuit for the initial bias voltage (offset) of the amplifiers and the comparator, which is mentioned in the article.
  • offset initial bias voltage
  • the level of such voltage (offset) can reach 5 mV.
  • the fight against such voltage results either in the organization of a special circuit, which requires time for auto-tuning, and, consequently, increases the time for the driver to work, or in the adjustment of this voltage at the production stage of each crystal, which also makes production more expensive.
  • the aim of the invention is to increase the protection efficiency of the power key driver from high-voltage common mode interference.
  • the optically isolated driver of the power switch containing an LED as the transmitting part, a photodiode as the receiving part, electrically connected to one input of the operational amplifier located on the same chip, the comparator, characterized in that it contains an additional photodiode on the same a crystal coated with a layer of opaque metal, electrically connected to another input of the operational amplifier together with a reference voltage source and the above layer of opaque
  • the output of the operational amplifier is electrically connected to one input of the comparator and the driver contains a second reference voltage source, which is electrically connected to the other input of the comparator.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of an input portion of an optically decoupled power switch driver with protection against high voltage common mode interference.
  • FIG. 2 is a block diagram of an optically decoupled driver with protection against high-voltage common mode interference.
  • FIG. 3 is a possible arrangement of photodiodes.
  • FIG. 4 another variant of a possible arrangement of photodiodes is presented.
  • FIG. 1 is an electrical diagram of the input portion of an optically decoupled power switch driver with protection against high voltage common mode interference. Based on the scheme of the transimpedance photocurrent amplifier, which has high speed. Two identical photodiodes VD2 and VD1 are connected to the positive and negative inputs of the operational amplifier U1. A voltage reference REF1 is connected to the positive input via resistance R2. From the output of the operational amplifier, resistance R1 is connected to the negative input to form feedback. The photodiode VD1 connected to the negative input of the operational amplifier is operational. An additional photodiode VD2, connected to the positive input of the operational amplifier U1, is a “dummy”.
  • FIG. 2 is a structural diagram of an optically decoupled driver with protection against high-voltage common mode interference.
  • the LED transmitting part
  • the LED is located above the crystal with photodiodes VD1 and VD2 and the circuit of the operational amplifier U1 of the photocurrent.
  • the working photodiode VD1 and the additional photodiode VD2 have an equal area and are located symmetrically relative to the optical center of the LED.
  • An additional VD2 photodiode is also coated with metal, but this layer is connected to the positive input of the operational amplifier U1.
  • the resulting parasitic capacitances C1 and C2 will be equal (the screen area of the additional photodiode VD2 is equal to its area). Since the distance from the LED to the photodiodes VD1 and VD2 is much greater than the thickness of the metal layer on the surface of the additional photodiode VD2, the difference in the distance between the working photodiode VD1 and the additional photodiode VD2 to the LED can be neglected.
  • the photodiodes VD1 and VD2 are connected by anodes to a common terminal, which is very convenient in integrated design with a P-type crystal.
  • the reference voltage source REF1 generates an initial bias voltage.
  • the operational amplifier U1 covered by feedback through R1, creates the same voltage at the cathode of the worker photodiode VD1, displacing it in the opposite direction, thereby reducing the capacity of its pn junction and increasing the speed of the circuit.
  • the photocurrent passing through the working photodiode VD1 reduces the potential of its cathode, to which the operational amplifier U1 responds by increasing the voltage at its output.
  • This voltage is compared with the reference voltage of the reference source REF2 on the comparator U2, after which a logic level signal is generated.
  • the reference voltage of the reference source REF2 is slightly higher than the reference voltage of the reference source REF1 in order to increase the stability of the circuit to the presence of the initial bias voltage (offset) of the amplifier U1 and the comparator U2.
  • An increase in the reference voltage of the reference source REF1 increases the speed of the circuit, but reduces the range of the amplified photocurrent, since too much photocurrent saturates the output stage of the operational amplifier U1.
  • the reference voltage of the reference source REF2 sets the sensitivity threshold of the amplifier U1 to the photocurrent.
  • the value of the resistor R1 selects a gain such that at the maximum value of the photocurrent, the output stage of the operational amplifier U1 does not enter into saturation.
  • An additional photodiode VD2 has no effect on the circuit in a static position, creating only an additional blocking capacitance at the positive input of amplifier U1.
  • the photocurrent is formed only in the working photodiode VD1, which is then amplified by the operational amplifier U1.
  • the additional photodiode VD2 is a “dummy” and does not produce photocurrent, and does not at all change the potential of its cathode, without affecting the circuit.
  • the difference in the output resistances of the operational amplifier U1 and the reference voltage source REF1 should be taken into account.
  • correction of the resistance R2 is required to obtain equal impedances at the inputs of the operational amplifier U1.
  • an operational amplifier circuit with a high common-mode signal attenuation coefficient (COSS) of the order of 65 ... 100 dB is used
  • FIG. 3 shows a possible arrangement of photodiodes.
  • Working photodiodes VD1 and additional photodiodes VD2 are staggered.
  • the number of working photodiodes VD1 and additional VD2 photodiodes are the same.
  • the optical center of the light spot of the LED coincides with the geometric center of the array of photodiodes.
  • This arrangement ensures the formation of identical stray capacitances between the photodiodes VD1, VD2 and the LED, and also guarantees the identity of the capacitances p- ⁇ junctions of the photodiodes VD1 and VD2, which greatly simplifies the design of the topology.
  • FIG. 4 shows another possible arrangement of photodiodes.
  • a working photodiode VD1 In the center is a working photodiode VD1.
  • the area of the working photodiode VD1 and the additional photodiode VD2 are equal.
  • This arrangement provides the formation of the same stray capacitance between the photodiodes and the LED, but has difficulties in equalizing the capacitances of the p- ⁇ junctions, which will require several iterations of stray capacitance extraction during design. But, unlike the previous scheme, it has a greater sensitivity to light radiation, since the light spot from the LED has a gradient character with a maximum in the center.
  • the proposed scheme of an optically decoupled power key driver with protection against high-voltage common-mode noise for implementing protection uses circuit topological solutions that are implemented even at the design stage of the receiving crystal, which eliminates the expensive and complicated stage of installing the screen when assembling the device case.
  • the circuit described above is simpler to implement, since it has only one operational amplifier, has high speed due to the initial bias of the photodiode, and is devoid of such a significant drawback as the susceptibility to the initial bias voltage of the amplifiers and comparator (offsets). It should also be noted that in the prototype, the actual subtraction of signals from photodiodes created by interference occurs at the input of the comparator after they are amplified.
  • amplifiers should have the same bandwidth in a very wide frequency range, because the time of exposure to common mode noise is several tens of nanoseconds.
  • the creation of identical amplifiers provided that there is a variation in the parameters of all elements in the production process, is an extremely difficult task.
  • the subtraction of signals from photodiodes occurs immediately before amplification, which does not impose high requirements on the design of the amplifier.
  • the simulation results show the insensitivity of the circuit to common-mode noise with a capacitance spread of C1 and C2 at 20%, such a variation in capacitance is possible during production.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к устройствам защиты драйверов силовых ключей от высоковольтной синфазной помехи. Целью изобретения является повышение эффективности защиты драйвера силового ключа от высоковольтной синфазной помехи. Технический результат достигается тем, что оптически развязанный драйвер силового ключа, содержащий светодиод в качестве передающей части, фотодиод в качестве приемной части, электрически подключенный к одному входу операционного усилителя с расположением на одном кристалле, компаратор, отличается тем, что содержит дополнительный фотодиод на этом же кристалле, покрытый слоем непрозрачного металла, электрически подключенный к другому входу операционного усилителя вместе с источником опорного напряжения и вышеуказанным слоем непрозрачного металла, в качестве защиты от высоковольтной синфазной помехи, выход операционного усилителя электрически подключен к одному входу компаратора и драйвер содержит второй источник опорного напряжения, который электрически подключен к другому входу компаратора.

Description

Оптически развязанный драйвер силового ключа с защитой от
высоковольтной синфазной помехи
Область техники
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к устройствам защиты драйверов силовых ключей от высоковольтной синфазной помехи.
Предшествующий уровень техники
Оптически развязанный драйвер силового ключа, как правило, состоит из оптической пары светодиод - фотодиод и усилителя фототока до уровня, необходимого для нормальной работы силового ключа, расположенных в одном корпусе. При этом фотодиод и усилитель фототока (приемная часть) реализованы на едином кристалле, над которым расположен светодиод (передающая часть). Параметр «максимальное напряжение изоляции» - достигается применением высоковольтного изолирующего слоя, но одним из главных параметром такого драйвера является устойчивость приемной части к высоковольтной синфазной помехе со стороны передающей части. Такая помеха возникает при быстром изменении напряжения между передающей и приемной частью, при этом заряжается или разряжается емкость изоляции. Ток заряда/разряда (ток помехи) проходит через структуру фотодиода и элементы усилителя фототока и может вызывать ложное срабатывание.
Топология усилителя фототока предполагает полное покрытие схемы слоем металла, подключенного к общему проводу приемной части. При этом, часть тока заряда/разряда емкости изоляции проходит через этот экран, минуя элементы усилителя фототока. Но данное решение не подходит для фотодиода, который нельзя покрывать металлом из-за оптической непрозрачности металла. Таким образом, фотодиод остается наиболее уязвимым местом приемной части при воздействии высоковольтной синфазной помехи.
Расчетные значения тока заряда/разряда через площадь фотодиода становятся сравнимы с величиной фототока уже при скоростях изменении напряжения между передающей и приемной частью в 10 - 15 кВ/мкс.
Существует несколько способов защиты от высоковольтной синфазной помехи, которые можно разделить на две группы: конструктивные и схемо- топологические.
При конструктивных способах защиты используется токопроводящий оптически - прозрачный экран, который размещается между приемной частью и высоковольтной изоляцией на этапе сборки корпуса с последующим подключением к общему проводу приемной части. Данное решение увеличивает сложность изготовления и стоимость готового изделия. Другой вид реализация экранирования - это нанесение токопроводящего и оптически прозрачного слоя оксида индия-олова непосредственно на кристалл приемной части (1 ). При этом упрощается сборка кристалла, но стоимость такой операции также высока.
Наиболее близким к заявленному изобретению является устройство - патент США (2), взятый за прототип, в котором схемо-топологические способы подразумевают применение фиктивных элементов для улавливания тока заряда/разряда емкости изоляции с последующим вычитанием из тока помехи, который проходит через фотодиод. Но, данное решение не лишено недостатков. Применение двух усилителей токов фотодиода с последующим W 201
3
сравнением на компараторе требует использование специальной схемы коррекции начального напряжения смещения (оффсета) усилителей и компаратора, о чем и упоминается в статье. При производстве такой схемы в стандартной КМОП технологии уровень такого напряжения (оффсет) может достигать 5 мВ. Борьба с таким напряжением выливается либо в организацию специальной схемы, которая требует время для автоподстройки, а, следовательно, увеличивает время готовности к работе драйвера, либо в подстройку этого напряжения на этапе производства каждого кристалла, что также удорожает производство.
Раскрытие изобретения
Целью изобретения является повышение эффективности защиты драйвера силового ключа от высоковольтной синфазной помехи.
Технический результат достигается тем, что оптически развязанный драйвер силового ключа, содержащий светодиод в качестве передающей части, фотодиод в качестве приемной части, электрически подключенный к одному входу операционного усилителя с расположением на одном кристалле, компаратор, отличается тем, что содержит дополнительный фотодиод на этом же кристалле, покрытый слоем непрозрачного металла, электрически подключенный к другому входу операционного усилителя вместе с источником опорного напряжения и вышеуказанным слоем непрозрачного металла, в качестве защиты от высоковольтной синфазной помехи, выход операционного усилителя электрически подключен к одному входу компаратора и драйвер содержит второй источник опорного напряжения, который электрически подключен к другому входу компаратора. На чертежах изображено:
На фиг. 1 - электрическая схема входной части оптически развязанного драйвера силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи.
На фиг. 2 - структурная схема оптически-развязанного драйвера с реализацией защиты от высоковольтной синфазной помехи.
На фиг. 3 - возможная схема расположения фотодиодов.
На фиг. 4. представлен другой вариант возможной схемы расположения фотодиодов.
На фиг. 1 представлена электрическая схема входной части оптически развязанного драйвера силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи. За основу взята схема трансимпедансного усилителя фототока, обладающая высоким быстродействием. Два одинаковых фотодиода VD2 и VD1 подключены к положительному и отрицательному входам операционного усилителя U1. К положительному входу через сопротивление R2 подключен источник опорного напряжения REF1. С выхода операционного усилителя подключено сопротивления R1 к отрицательному входу для формирования обратной связи. Фотодиод VD1 , подключенный к отрицательному входу операционного усилителя, является рабочим. Дополнительный фотодиод VD2, подключенный к положительному входу операционного усилителя U1 , является «пустышкой». Этот фотодиод VD2 накрыт сверху слоем непрозрачного металла, который в свою очередь подключен к катоду фотодиода VD2. Напряжение с выхода усилителя U1 сравнивается с опорным напряжением REF2 с помощью компаратора U2, цифровой выход которого подается на дальнейшую схему. На фиг. 2 представлена структурная схема оптически-развязанного драйвера с реализацией защиты от высоковольтной синфазной помехи. Светодиод (передающая часть) располагается над кристаллом с фотодиодами VD1 и VD2 и схемой операционного усилителя U1 фототока. Вся поверхность кристалла кроме области с фотодиодами VD1 и VD2, закрыта слоем металла, который соединен с общим выводом приемной части. Рабочий фотодиод VD1 и дополнительный фотодиод VD2 имеют равную площадь и располагаются симметрично относительно оптического центра светодиода. Дополнительный фотодиод VD2 так же покрыт металлом, но этот слой подключается к положительному входу операционного усилителя U1. Между светодиодом и фотодиодами VD1 и VD2 образуются паразитные емкости С1 и С2, при симметричном расположении фотодиодов VD1 и VD2 и равенстве их площадей, образующиеся паразитные емкости С1 и С2 будут равны (площадь экрана дополнительного фотодиода VD2 равна его площади). Так как расстояние от светодиода до фотодиодов VD1 и VD2 много больше толщины слоя металла на поверхности дополнительного фотодиода VD2, разницей в расстоянии между рабочим фотодиодом VD1 и дополнительным фотодиодом VD2 до светодиода, можно пренебречь.
Статика
На фиг. 1 , фотодиоды VD1 и VD2 подключены анодами к общему выводу, что очень удобно в интегральном исполнении с кристаллом Р-типа проводимости. Источник опорного напряжения REF1 создает начальное напряжение смещения. Операционный усилитель U1 , охваченный обратной связью через R1 , создает такое же напряжение и на катоде рабочего фотодиода VD1 , смещая его в обратном направлении, тем самым уменьшая емкость его р-п перехода и увеличивая быстродействие схемы. Фототок, проходящий через рабочий фотодиод VD1 , уменьшает потенциал его катода, на что операционный усилитель U1 отвечает повышением напряжения на своем выходе. Это напряжение сравнивается с опорным напряжением опорного источника REF2 на компараторе U2, после чего образуется сигнал логического уровня. Опорное напряжение опорного источника REF2 несколько выше опорного напряжения опорного источника REF1 , чтобы повысить устойчивость схемы к наличию начального напряжения смещения (оффсета) усилителя U1 и компаратора U2. Увеличение опорного напряжения опорного источника REF1 повышает быстродействие схемы, но снижает диапазон усиливаемого фототока, т.к. слишком большой фототок вводит в насыщение выходной каскад операционного усилителя U1 . Опорным напряжением опорного источника REF2 устанавливается порог чувствительности усилителя U1 к фототоку. Значением резистора R1 выбирается такой коэффициент усиления, чтобы при максимальном значении фототока выходной каскад операционного усилителя U1 не входил в насыщение. Дополнительный фотодиод VD2 не оказывает на схему никакого влияния в статическом положении, создавая на положительном входе усилителя U1 лишь дополнительную блокировочную емкость.
Динамика
При попадании рабочего излучения на кристалл со стороны светодиода фототок образуется только в рабочем фотодиоде VD1 , который затем усиливается операционным усилителем U1 . При этом накрытый металлом дополнительный фотодиод VD2 является «пустышкой» и не производит фототока, и нисколько не меняет потенциала своего катода, не оказывая влияния на схему.
При воздействии высоковольтной синфазной помехи через одинаковые емкости С1 и С2 на входах операционного усилителя U1 возникают одинаковые импульсы напряжения, которые операционный усилитель U1 воспринимает как синфазный сигнал и не усиливает его. Необходимость установки дополнительного фотодиода VD2 вместо имитирующей его емкости обусловлена зависимостью этой емкости от напряжения. Таким образом, одинаковые фотодиоды VD1 и VD2 на входах операционного усилителя U1 создают одинаковый импеданс для наведенной синфазной помехи во всем диапазоне ее напряжений. Для этой цели также установлен резистор R2, который по номиналу равен R1. При исполнении схемы на реальных элементах следует учитывать разницу выходных сопротивлений операционного усилителя U1 и источника опорного напряжения REF1. При этом потребуется корректирование сопротивления R2 для получения равных импедансов на входах операционного усилителя U1.
Для обеспечения высокого подавления синфазной помехи, применяется схема операционного усилителя с высоким коэффициентом ослабления синфазного сигнала (КОСС) порядка 65... 100 дБ
Реализация топологии
На фиг. 3 представлена возможная схема расположения фотодиодов. Рабочие фотодиоды VD1 и дополнительные фотодиоды VD2 расположены в шахматном порядке. Количество рабочих фотодиодов VD1 и дополнительных фотодиодов VD2 одинаковое. Оптический центр светового пятна светодиода совпадает с геометрическим центром массива фотодиодов. Данная схема расположения обеспечивает формирование одинаковых паразитных емкостей между фотодиодами VD1 , VD2 и светодиодом, а также гарантирует идентичность емкостей p-η переходов фотодиодов VD1 и VD2, что значительно упрощает проектирование топологии.
На фиг. 4 представлена иная возможная схема расположения фотодиодов. В центре располагается рабочий фотодиод VD1. Вокруг него по периметру располагается дополнительный фотодиод VD2. Площадь рабочего фотодиода VD1 и дополнительного фотодиода VD2 равны. Данная схема расположения обеспечивает формирование одинаковых паразитных емкостей между фотодиодами и светодиодом, но имеет сложности в уравнивании емкостей p-η переходов, что потребует несколько итераций извлечения паразитных емкостей при проектировании. Но, в отличии от предыдущей схемы, имеет большую чувствительность к световому излучению, так как световое пятно от светодиода имеет градиентный характер с максимумом в центре.
Улучшения относительно прототипа
Предложенная схема оптически развязанного драйвера силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи для реализации защиты использует схемо-топологические решения, которые внедряются еще на этапе проектирования кристалла приемной части, что позволяет отказаться от дорогостоящего и сложного этапа установки экрана при сборке корпуса устройства. В отличие от схемотехнического решения, предложенного в патенте (2), описанная выше схема проще в реализации, так как имеет лишь один операционный усилитель, обладает большим быстродействием благодаря начальному смещению фотодиода, и лишена такого существенного недостатка, как восприимчивость к начальному напряжению смещения усилителей и компаратора (оффсету). Также следует заметить, что в прототипе фактическое вычитание сигналов от фотодиодов, созданных помехой, происходит на входе компаратора уже после их усиления. Следовательно, усилители должны иметь одинаковую полосу пропускания в очень широком диапазоне частот, ведь время воздействия синфазной помехи составляет несколько десятков наносекунд. Создание идентичных усилителей при условии наличия разброса параметров всех элементов в процессе производства крайне трудная задача. В предложенной нами схеме вычитание сигналов от фотодиодов происходит непосредственно перед усилением, что не предъявляет высоких требований к проектированию усилителя. Результаты моделирования показывают нечувствительность схемы к синфазной помехе при разбросе емкостей С1 и С2 в 20%, такая величина разброса емкости возможна в процессе производства.
Литература:
1. Патент США US7919781 от 5.04.201 1 «Galvanic isolator having improved high voltage common mode transient immunity», МПК H01 L 27/15
2. Патент США US6841771 от 1 1.01.2005 «Optical coupling device and light- receiving circuit of same», МПК H01 J 40/14, H03F 3/08

Claims

Оптически развязанный драйвер силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи Формула изобретения
1. Оптически развязанный драйвер силового ключа, содержащий светодиод в качестве передающей части, фотодиод в качестве приемной части, электрически подключенный к одному входу операционного усилителя с расположением на одном кристалле, компаратор, отличающийся тем, что содержит дополнительный фотодиод на этом же кристалле, покрытый слоем непрозрачного металла, электрически подключенный к другому входу операционного усилителя вместе с источником опорного напряжения и вышеуказанным слоем непрозрачного металла, в качестве защиты от высоковольтной синфазной помехи.
2. Оптически развязанный драйвер силового ключа по п.1 , отличающийся тем, что выход операционного усилителя электрически подключен к одному входу компаратора.
3. Оптически развязанный драйвер силового ключа по п.1 , отличающийся тем, что содержит второй источник опорного напряжения, который электрически подключен к другому входу компаратора.
PCT/RU2016/000585 2016-08-31 2016-08-31 Оптически развязанный драйвер силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи. WO2018044190A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2016/000585 WO2018044190A1 (ru) 2016-08-31 2016-08-31 Оптически развязанный драйвер силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2016/000585 WO2018044190A1 (ru) 2016-08-31 2016-08-31 Оптически развязанный драйвер силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018044190A1 true WO2018044190A1 (ru) 2018-03-08

Family

ID=61301867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2016/000585 WO2018044190A1 (ru) 2016-08-31 2016-08-31 Оптически развязанный драйвер силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи.

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2018044190A1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6841771B2 (en) * 2001-05-22 2005-01-11 Sharp Kabushiki Kaisha Optical coupling device and light-receiving circuit of same
US7406268B2 (en) * 2003-08-27 2008-07-29 Avago Technologies Limited Optical receiver circuit
US20080308715A1 (en) * 2005-10-14 2008-12-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Receiving apparatus
US7605358B2 (en) * 2004-07-22 2009-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. Photodetector having dual photodiode and gain adjusting amplifiers

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6841771B2 (en) * 2001-05-22 2005-01-11 Sharp Kabushiki Kaisha Optical coupling device and light-receiving circuit of same
US7406268B2 (en) * 2003-08-27 2008-07-29 Avago Technologies Limited Optical receiver circuit
US7605358B2 (en) * 2004-07-22 2009-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. Photodetector having dual photodiode and gain adjusting amplifiers
US20080308715A1 (en) * 2005-10-14 2008-12-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Receiving apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9728659B2 (en) SPAD device with radiation blocking rings and vias and related arrays and methods
US11322635B2 (en) Light detection device
US6841771B2 (en) Optical coupling device and light-receiving circuit of same
US3927383A (en) Low noise wide band transducer system
US11183608B2 (en) Photodetecting device with weak light signal detection and low power consumption
Ray et al. Speed optimized large area avalanche photodetector in standard CMOS technology for visible light communication
CN106197662B (zh) 一种光电检测电路
KR101911141B1 (ko) 광 모듈
JP2015056590A (ja) 受光素子および光結合型信号絶縁装置
WO2018044190A1 (ru) Оптически развязанный драйвер силового ключа с защитой от высоковольтной синфазной помехи.
US7262655B2 (en) High bandwidth resistor
KR20150018762A (ko) 펄스형 전자기 방사 검출 디바이스
CN109904273B (zh) 一种cmos spad光电器件的等效电路
JPH07505502A (ja) 検出器として動作する半導体ダイオードと該ダイオードに集積された増幅器回路を備えた検出器回路
CN107918439A (zh) Apd暗电流补偿模拟前端电路及apd暗电流补偿方法
CN107817097B (zh) 激光器光检测电路
CN101494503B (zh) 一种肖特基型标准cmos全差分光电集成接收机
CN106249023B (zh) 一种微电流检测电路
KR101333806B1 (ko) 단기 전압 스파이크 제거 방법 및 그 장치
CN106018926B (zh) 一种微电流检测电路
CN111024220B (zh) 一种消除象限光电探测器串扰的信号处理系统
JP5592856B2 (ja) 光受信回路
Chowdhury et al. A monolithically integrated time-of-flight sensor with large area silicon avalanche photodiode
US20200112291A1 (en) Differential opto isolator
JPH02164111A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16915322

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16915322

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1