JPH0786544A - Ｃｃｄ素子 - Google Patents
Ｃｃｄ素子Info
- Publication number
- JPH0786544A JPH0786544A JP5250994A JP25099493A JPH0786544A JP H0786544 A JPH0786544 A JP H0786544A JP 5250994 A JP5250994 A JP 5250994A JP 25099493 A JP25099493 A JP 25099493A JP H0786544 A JPH0786544 A JP H0786544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- ccd chip
- ccd
- light receiving
- anisotropic conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で薄いＣＣＤ素子を提供する。
【構成】 ＣＣＤ素子は、ＣＣＤチップ１１をガラス基
板２１上に異方導電性接着剤３１を介して設けた構造と
なっている。そして、ガラス基板２１を透過した光がＣ
ＣＤチップ１１の下面の受光領域１３に照射されると、
この照射光に応じた光信号が電気信号に変換される。こ
の場合、ＣＣＤチップ１１の下面の受光領域１３をガラ
ス基板２１によって保護することができ、このため専用
のガラス保護板等が不要となり、その分だけ小型化およ
び薄型化することができる。
板２１上に異方導電性接着剤３１を介して設けた構造と
なっている。そして、ガラス基板２１を透過した光がＣ
ＣＤチップ１１の下面の受光領域１３に照射されると、
この照射光に応じた光信号が電気信号に変換される。こ
の場合、ＣＣＤチップ１１の下面の受光領域１３をガラ
ス基板２１によって保護することができ、このため専用
のガラス保護板等が不要となり、その分だけ小型化およ
び薄型化することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＣＣＤ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３（Ａ）および（Ｂ）は従来のＣＣＤ
素子の一例を示したものである。このＣＣＤ素子は正方
形状のセラミック基板１を備えている。セラミック基板
１の上面中央部には正方形状の凹部２が形成され、凹部
２の左右両側におけるセラミック基板１の上面には配線
パターン３が形成されている。凹部２内には正方形状の
ＣＣＤチップ４が接着剤（図示せず）によって接着され
て配置されている。ＣＣＤチップ４の上面の左右両側に
設けられた入出力端子パッド５は、ワイヤボンディング
により、Ａｕ等からなるワイヤ６を介してセラミック基
板１上の左右の配線パターン３の内端部に接続されてい
る。配線パターン３の外端部には外部端子７が接続され
ている。セラミック基板１の上面周囲には枠状のセラミ
ック側壁８が接着剤（図示せず）を介して接着されてい
る。セラミック側壁８の上面にはガラス保護板９が接着
剤（図示せず）を介して接着されている。そして、ガラ
ス保護板９を透過した光がＣＣＤチップ４の上面の受光
領域１０に照射されると、この照射光に応じた光信号が
電気信号に変換されるようになっている。
素子の一例を示したものである。このＣＣＤ素子は正方
形状のセラミック基板１を備えている。セラミック基板
１の上面中央部には正方形状の凹部２が形成され、凹部
２の左右両側におけるセラミック基板１の上面には配線
パターン３が形成されている。凹部２内には正方形状の
ＣＣＤチップ４が接着剤（図示せず）によって接着され
て配置されている。ＣＣＤチップ４の上面の左右両側に
設けられた入出力端子パッド５は、ワイヤボンディング
により、Ａｕ等からなるワイヤ６を介してセラミック基
板１上の左右の配線パターン３の内端部に接続されてい
る。配線パターン３の外端部には外部端子７が接続され
ている。セラミック基板１の上面周囲には枠状のセラミ
ック側壁８が接着剤（図示せず）を介して接着されてい
る。セラミック側壁８の上面にはガラス保護板９が接着
剤（図示せず）を介して接着されている。そして、ガラ
ス保護板９を透過した光がＣＣＤチップ４の上面の受光
領域１０に照射されると、この照射光に応じた光信号が
電気信号に変換されるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなＣＣＤ素子では、セラミック基板１上に設け
たＣＣＤチップ４の上面の受光領域１０等を保護するた
めに、セラミック基板１上にセラミック側壁８を介して
ガラス保護板９を設けているので、外部端子７を除いた
全体の厚さが厚くなり、またＣＣＤチップ４の左右両側
にワイヤ６を配置し、これらワイヤ６の外側にセラミッ
ク側壁８を配置し、セラミック側壁８の左右両側に外部
端子７を配置しているので、占有面積も大きいという問
題があった。一例として、ＣＣＤチップ４の大きさが６
ｍｍ角〜８ｍｍ角で厚さが０．５ｍｍの場合、外部端子
７を除いた全体の大きさが２０ｍｍ角〜２５ｍｍ角程度
で厚さが５ｍｍ程度とかなり大型で厚くなってしまう。
また、ＣＣＤチップ４の入出力端子パッド５とセラミッ
ク基板１の配線パターン３とを接続するためのワイヤボ
ンディングはワイヤ６を１本ずつ接合するものであるの
で、この工程に要する時間が長く、ひいてはコストアッ
プになるという問題があった。この発明の目的は、小型
で薄くすることができ、またコストの低減を図ることの
できるＣＣＤ素子を提供することにある。
このようなＣＣＤ素子では、セラミック基板１上に設け
たＣＣＤチップ４の上面の受光領域１０等を保護するた
めに、セラミック基板１上にセラミック側壁８を介して
ガラス保護板９を設けているので、外部端子７を除いた
全体の厚さが厚くなり、またＣＣＤチップ４の左右両側
にワイヤ６を配置し、これらワイヤ６の外側にセラミッ
ク側壁８を配置し、セラミック側壁８の左右両側に外部
端子７を配置しているので、占有面積も大きいという問
題があった。一例として、ＣＣＤチップ４の大きさが６
ｍｍ角〜８ｍｍ角で厚さが０．５ｍｍの場合、外部端子
７を除いた全体の大きさが２０ｍｍ角〜２５ｍｍ角程度
で厚さが５ｍｍ程度とかなり大型で厚くなってしまう。
また、ＣＣＤチップ４の入出力端子パッド５とセラミッ
ク基板１の配線パターン３とを接続するためのワイヤボ
ンディングはワイヤ６を１本ずつ接合するものであるの
で、この工程に要する時間が長く、ひいてはコストアッ
プになるという問題があった。この発明の目的は、小型
で薄くすることができ、またコストの低減を図ることの
できるＣＣＤ素子を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
上面に電極パッドおよび該電極パッドに接続された配線
パターンが形成されたガラス基板と、下面に設けられた
入出力端子パッドに形成されたバンプを含む接合部分を
前記ガラス基板の前記電極パッドを含む接合部分に異方
導電性接着剤を介して接合されたＣＣＤチップとを具備
したものである。請求項２記載の発明は、請求項１記載
の発明において、前記ガラス基板の前記電極パッドを含
む接合部分と前記ＣＣＤチップの下面の受光領域に対応
する部分との間における前記ガラス基板の上面に絶縁性
仕切壁を設けたものである。請求項３記載の発明は、請
求項１記載の発明において、少なくとも前記ＣＣＤチッ
プの下面の受光領域に対応する部分の前記ガラス基板の
上面に絶縁性透明膜を設けたものである。
上面に電極パッドおよび該電極パッドに接続された配線
パターンが形成されたガラス基板と、下面に設けられた
入出力端子パッドに形成されたバンプを含む接合部分を
前記ガラス基板の前記電極パッドを含む接合部分に異方
導電性接着剤を介して接合されたＣＣＤチップとを具備
したものである。請求項２記載の発明は、請求項１記載
の発明において、前記ガラス基板の前記電極パッドを含
む接合部分と前記ＣＣＤチップの下面の受光領域に対応
する部分との間における前記ガラス基板の上面に絶縁性
仕切壁を設けたものである。請求項３記載の発明は、請
求項１記載の発明において、少なくとも前記ＣＣＤチッ
プの下面の受光領域に対応する部分の前記ガラス基板の
上面に絶縁性透明膜を設けたものである。
【０００５】
【作用】請求項１記載の発明によれば、ガラス基板を透
過した光をＣＣＤチップの下面の受光領域に照射させる
ことができるので、ガラス基板にＣＣＤチップの下面の
受光領域を保護するための機能を兼ねさせることがで
き、このため基本的にはＣＣＤチップをガラス基板上に
異方導電性接着剤を介して設けた構造とするだけでよ
く、したがって小型で薄くすることができる。また、異
方導電性接着剤を用いた接合は接続端子数に関係なく一
度に行うことができるので、この工程に要する時間を短
縮することができ、ひいてはコストの低減を図ることが
できる。この場合、請求項２または３記載の発明のよう
にすると、異方導電性接着剤を用いて接合する際に異方
導電性接着剤中の絶縁性接着剤が流動しても、この流動
した絶縁性接着剤がＣＣＤチップの下面の受光領域に対
応する部分に流れ込むのを絶縁性仕切壁または絶縁性透
明膜によって防止することができる。
過した光をＣＣＤチップの下面の受光領域に照射させる
ことができるので、ガラス基板にＣＣＤチップの下面の
受光領域を保護するための機能を兼ねさせることがで
き、このため基本的にはＣＣＤチップをガラス基板上に
異方導電性接着剤を介して設けた構造とするだけでよ
く、したがって小型で薄くすることができる。また、異
方導電性接着剤を用いた接合は接続端子数に関係なく一
度に行うことができるので、この工程に要する時間を短
縮することができ、ひいてはコストの低減を図ることが
できる。この場合、請求項２または３記載の発明のよう
にすると、異方導電性接着剤を用いて接合する際に異方
導電性接着剤中の絶縁性接着剤が流動しても、この流動
した絶縁性接着剤がＣＣＤチップの下面の受光領域に対
応する部分に流れ込むのを絶縁性仕切壁または絶縁性透
明膜によって防止することができる。
【０００６】
【実施例】図１（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の一実施例に
おけるＣＣＤ素子を示したものである。このＣＣＤ素子
は、基本的には、ＣＣＤチップ１１をガラス基板２１上
に異方導電性接着剤３１を介して設けた構造となってい
る。このうちＣＣＤチップ１１は正方形状であって、そ
の下面の図１（Ａ）における左右両側に８個ずつ設けら
れたＡｌからなる入出力端子パッド（図示せず）の下面
にはＡｕからなる高さ１０μｍ程度のバンプ１２が形成
されている。ガラス基板２１は長方形状であって、その
上面の図１（Ａ）における左側および左右方向ほぼ中央
部には、ＣＣＤチップ１１のバンプ１２に対応して、電
極パッド２２が８個ずつ形成されている。また、詳細に
は図示していないが、ガラス基板２１の上面には１６本
の配線パターン２３が形成されている。１６本の配線パ
ターン２３の一端部はガラス基板２１の上面の図１
（Ａ）における右側に集められ、他端部は対応する電極
パッド２２に接続されている。電極パッド２２および配
線パターン２３をＣｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ａｕ等の不透明な
金属によって形成する場合には、図１（Ａ）における左
側の８個の電極パッド２２に接続される配線パターン２
３については、ＣＣＤチップ１１の下面の受光領域１３
に対応する部分を避けて引き回す。ＩＴＯ等の透明な金
属で形成する場合には、そのような必要はない。さら
に、図１（Ａ）における左右の電極パッド２２の間であ
ってＣＣＤチップ１１の下面の受光領域１３に対応する
部分の周囲におけるガラス基板２１の上面には、樹脂材
料を印刷すること等により、正方形状の枠体からなる高
さ１０μｍ程度の絶縁性仕切壁２４が設けられている。
異方導電性接着剤３１は、熱硬化性樹脂または熱可塑性
樹脂からなる絶縁性接着剤３２中に導電性粒子３３を混
入したものからなっている。
おけるＣＣＤ素子を示したものである。このＣＣＤ素子
は、基本的には、ＣＣＤチップ１１をガラス基板２１上
に異方導電性接着剤３１を介して設けた構造となってい
る。このうちＣＣＤチップ１１は正方形状であって、そ
の下面の図１（Ａ）における左右両側に８個ずつ設けら
れたＡｌからなる入出力端子パッド（図示せず）の下面
にはＡｕからなる高さ１０μｍ程度のバンプ１２が形成
されている。ガラス基板２１は長方形状であって、その
上面の図１（Ａ）における左側および左右方向ほぼ中央
部には、ＣＣＤチップ１１のバンプ１２に対応して、電
極パッド２２が８個ずつ形成されている。また、詳細に
は図示していないが、ガラス基板２１の上面には１６本
の配線パターン２３が形成されている。１６本の配線パ
ターン２３の一端部はガラス基板２１の上面の図１
（Ａ）における右側に集められ、他端部は対応する電極
パッド２２に接続されている。電極パッド２２および配
線パターン２３をＣｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ａｕ等の不透明な
金属によって形成する場合には、図１（Ａ）における左
側の８個の電極パッド２２に接続される配線パターン２
３については、ＣＣＤチップ１１の下面の受光領域１３
に対応する部分を避けて引き回す。ＩＴＯ等の透明な金
属で形成する場合には、そのような必要はない。さら
に、図１（Ａ）における左右の電極パッド２２の間であ
ってＣＣＤチップ１１の下面の受光領域１３に対応する
部分の周囲におけるガラス基板２１の上面には、樹脂材
料を印刷すること等により、正方形状の枠体からなる高
さ１０μｍ程度の絶縁性仕切壁２４が設けられている。
異方導電性接着剤３１は、熱硬化性樹脂または熱可塑性
樹脂からなる絶縁性接着剤３２中に導電性粒子３３を混
入したものからなっている。
【０００７】そして、ＣＣＤチップ１１のバンプ１２を
含む接合部分はガラス基板２１の電極パッド２２を含む
接合部分に異方導電性接着剤３１を介して接合されてい
る。すなわち、熱圧着により絶縁性接着剤３２を軟化さ
せ、この軟化した絶縁性接着剤３２の一部が流動して逃
げることにより、導電性粒子３３の一部がバンプ１２と
電極パッド２２とに共に接触し、これによりバンプ１２
と電極パッド２２とが互いに導電接続されている。ま
た、一度軟化した絶縁性接着剤３２が硬化することによ
り、ＣＣＤチップ１１のバンプ１２を含む接合部分がガ
ラス基板２１の電極パッド２２を含む接合部分に接着さ
れている。この場合、図１（Ｂ）に示すように、流動し
た絶縁性接着剤３２がＣＣＤチップ１１の下面の受光領
域１３に対応する部分に流れ込もうとしても、絶縁性仕
切壁２４によって防止される。また、このＣＣＤ素子で
は、耐湿性を持たせる等のために、ＣＣＤチップ１１の
周囲におけるガラス基板２１上に樹脂からなる封止材４
１が塗布や印刷等により設けられている。この場合、図
１（Ｄ）に示すように、塗布または印刷直後の流動性を
有する封止材４１がＣＣＤチップ１１の下面の受光領域
１３に対応する部分に流れ込もうとしても、絶縁性仕切
壁２４によって防止される。そして、このＣＣＤ素子で
は、ガラス基板２１を透過した光がＣＣＤチップ１１の
下面の受光領域１３に照射されると、この照射光に応じ
た光信号が電気信号に変換されることになる。
含む接合部分はガラス基板２１の電極パッド２２を含む
接合部分に異方導電性接着剤３１を介して接合されてい
る。すなわち、熱圧着により絶縁性接着剤３２を軟化さ
せ、この軟化した絶縁性接着剤３２の一部が流動して逃
げることにより、導電性粒子３３の一部がバンプ１２と
電極パッド２２とに共に接触し、これによりバンプ１２
と電極パッド２２とが互いに導電接続されている。ま
た、一度軟化した絶縁性接着剤３２が硬化することによ
り、ＣＣＤチップ１１のバンプ１２を含む接合部分がガ
ラス基板２１の電極パッド２２を含む接合部分に接着さ
れている。この場合、図１（Ｂ）に示すように、流動し
た絶縁性接着剤３２がＣＣＤチップ１１の下面の受光領
域１３に対応する部分に流れ込もうとしても、絶縁性仕
切壁２４によって防止される。また、このＣＣＤ素子で
は、耐湿性を持たせる等のために、ＣＣＤチップ１１の
周囲におけるガラス基板２１上に樹脂からなる封止材４
１が塗布や印刷等により設けられている。この場合、図
１（Ｄ）に示すように、塗布または印刷直後の流動性を
有する封止材４１がＣＣＤチップ１１の下面の受光領域
１３に対応する部分に流れ込もうとしても、絶縁性仕切
壁２４によって防止される。そして、このＣＣＤ素子で
は、ガラス基板２１を透過した光がＣＣＤチップ１１の
下面の受光領域１３に照射されると、この照射光に応じ
た光信号が電気信号に変換されることになる。
【０００８】このように、このＣＣＤ素子では、ガラス
基板２１を透過した光をＣＣＤチップ１１の下面の受光
領域１３に照射させることができるので、ガラス基板２
１にＣＣＤチップ１１の下面の受光領域１３を保護する
ための機能を兼ねさせることができ、このため基本的に
はＣＣＤチップ１１をガラス基板２１上に異方導電性接
着剤３１を介して設けた構造とするだけでよく、したが
って小型で薄くすることができる。ちなみに、ＣＣＤチ
ップ１１の大きさが６ｍｍ角〜８ｍｍ角で厚さが０．５
ｍｍの場合、ガラス基板２１の長辺方向の長さを１０ｍ
ｍ〜１５ｍｍ程度で全体の厚さを２ｍｍ程度とかなり小
型で薄くすることができる。また、異方導電性接着剤３
１を用いた接合は接続端子数に関係なく一度に行うこと
ができるので、この工程に要する時間を短縮することが
でき、ひいてはコストの低減を図ることができる。
基板２１を透過した光をＣＣＤチップ１１の下面の受光
領域１３に照射させることができるので、ガラス基板２
１にＣＣＤチップ１１の下面の受光領域１３を保護する
ための機能を兼ねさせることができ、このため基本的に
はＣＣＤチップ１１をガラス基板２１上に異方導電性接
着剤３１を介して設けた構造とするだけでよく、したが
って小型で薄くすることができる。ちなみに、ＣＣＤチ
ップ１１の大きさが６ｍｍ角〜８ｍｍ角で厚さが０．５
ｍｍの場合、ガラス基板２１の長辺方向の長さを１０ｍ
ｍ〜１５ｍｍ程度で全体の厚さを２ｍｍ程度とかなり小
型で薄くすることができる。また、異方導電性接着剤３
１を用いた接合は接続端子数に関係なく一度に行うこと
ができるので、この工程に要する時間を短縮することが
でき、ひいてはコストの低減を図ることができる。
【０００９】なお、上記実施例では、ＣＣＤチップ１１
の下面の受光領域１３に対応する部分の周囲におけるガ
ラス基板２１の上面に正方形状の枠体からなる絶縁性仕
切壁２４を設けているが、これの代わりに、図２（Ａ）
〜（Ｃ）に示すように、ＣＣＤチップ１１の下面の受光
領域１３およびその周囲に対応する部分のガラス基板２
１の上面に、透明な樹脂材料や透明な樹脂フィルム等か
らなる絶縁性透明膜４２を設けてもよい。この場合も、
絶縁性透明膜４２によって、絶縁性接着剤３２および封
止材４１がＣＣＤチップ１１の下面の受光領域１３に対
応する部分に流れ込もうとするのを防止することができ
る。
の下面の受光領域１３に対応する部分の周囲におけるガ
ラス基板２１の上面に正方形状の枠体からなる絶縁性仕
切壁２４を設けているが、これの代わりに、図２（Ａ）
〜（Ｃ）に示すように、ＣＣＤチップ１１の下面の受光
領域１３およびその周囲に対応する部分のガラス基板２
１の上面に、透明な樹脂材料や透明な樹脂フィルム等か
らなる絶縁性透明膜４２を設けてもよい。この場合も、
絶縁性透明膜４２によって、絶縁性接着剤３２および封
止材４１がＣＣＤチップ１１の下面の受光領域１３に対
応する部分に流れ込もうとするのを防止することができ
る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、ガラス基板にＣＣＤチップの下面の受光領
域を保護するための機能を兼ねさせることができるの
で、基本的にはＣＣＤチップをガラス基板上に異方導電
性接着剤を介して設けた構造とするだけでよく、したが
って小型で薄くすることができる。また、異方導電性接
着剤を用いた接合は接続端子数に関係なく一度に行うこ
とができるので、この工程に要する時間を短縮すること
ができ、ひいてはコストの低減を図ることができる。ま
た、請求項２または３記載の発明によれば、異方導電性
接着剤を用いて接合する際に異方導電性接着剤中の絶縁
性接着剤が流動しても、この流動した絶縁性接着剤がＣ
ＣＤチップの下面の受光領域に対応する部分に流れ込む
のを絶縁性仕切壁または絶縁性透明膜によって防止する
ことができる。
明によれば、ガラス基板にＣＣＤチップの下面の受光領
域を保護するための機能を兼ねさせることができるの
で、基本的にはＣＣＤチップをガラス基板上に異方導電
性接着剤を介して設けた構造とするだけでよく、したが
って小型で薄くすることができる。また、異方導電性接
着剤を用いた接合は接続端子数に関係なく一度に行うこ
とができるので、この工程に要する時間を短縮すること
ができ、ひいてはコストの低減を図ることができる。ま
た、請求項２または３記載の発明によれば、異方導電性
接着剤を用いて接合する際に異方導電性接着剤中の絶縁
性接着剤が流動しても、この流動した絶縁性接着剤がＣ
ＣＤチップの下面の受光領域に対応する部分に流れ込む
のを絶縁性仕切壁または絶縁性透明膜によって防止する
ことができる。
【図１】（Ａ）はこの発明の一実施例におけるＣＣＤ素
子の平面図、（Ｂ）は（Ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面
図、（Ｃ）は（Ａ）図のＣ−Ｃ線に沿う断面図、（Ｄ）
は（Ａ）図のＤ−Ｄ線に沿う断面図。
子の平面図、（Ｂ）は（Ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面
図、（Ｃ）は（Ａ）図のＣ−Ｃ線に沿う断面図、（Ｄ）
は（Ａ）図のＤ−Ｄ線に沿う断面図。
【図２】（Ａ）はこの発明の他の実施例におけるＣＣＤ
素子の平面図、（Ｂ）は（Ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面
図、（Ｃ）は（Ａ）図のＣ−Ｃ線に沿う断面図。
素子の平面図、（Ｂ）は（Ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面
図、（Ｃ）は（Ａ）図のＣ−Ｃ線に沿う断面図。
【図３】（Ａ）は従来のＣＣＤ素子の一部を切り欠いた
平面図、（Ｂ）は（Ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面図。
平面図、（Ｂ）は（Ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面図。
１１ ＣＣＤチップ １２ バンプ １３ 受光領域 ２１ ガラス基板 ２２ 電極パッド ２３ 配線パターン ２４ 絶縁性仕切壁 ３１ 異方導電性接着剤
Claims (3)
- 【請求項１】 上面に電極パッドおよび該電極パッドに
接続された配線パターンが形成されたガラス基板と、 下面に設けられた入出力端子パッドに形成されたバンプ
を含む接合部分を前記ガラス基板の前記電極パッドを含
む接合部分に異方導電性接着剤を介して接合されたＣＣ
Ｄチップと、 を具備してなることを特徴とするＣＣＤ素子。 - 【請求項２】 前記ガラス基板の前記電極パッドを含む
接合部分と前記ＣＣＤチップの下面の受光領域に対応す
る部分との間における前記ガラス基板の上面に絶縁性仕
切壁を設けたことを特徴とする請求項１記載のＣＣＤ素
子。 - 【請求項３】 少なくとも前記ＣＣＤチップの下面の受
光領域に対応する部分の前記ガラス基板の上面に絶縁性
透明膜を設けたことを特徴とする請求項１記載のＣＣＤ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5250994A JPH0786544A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | Ｃｃｄ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5250994A JPH0786544A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | Ｃｃｄ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786544A true JPH0786544A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=17216081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5250994A Pending JPH0786544A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | Ｃｃｄ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786544A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6467139B1 (en) | 1998-08-03 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element |
| KR100406810B1 (ko) * | 2000-04-10 | 2003-11-21 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 촬상 장치 및 휴대 전화기 |
| JP2007019563A (ja) * | 2001-06-15 | 2007-01-25 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、画像読取ユニット及び画像形成装置 |
| EP1981084A2 (en) | 2003-12-18 | 2008-10-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device and light-receiving chip |
| JP2009135401A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-06-18 | Panasonic Corp | 光学デバイス及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP5250994A patent/JPH0786544A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6467139B1 (en) | 1998-08-03 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element |
| KR100406810B1 (ko) * | 2000-04-10 | 2003-11-21 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 촬상 장치 및 휴대 전화기 |
| JP2007019563A (ja) * | 2001-06-15 | 2007-01-25 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、画像読取ユニット及び画像形成装置 |
| EP1981084A2 (en) | 2003-12-18 | 2008-10-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device and light-receiving chip |
| US7859586B2 (en) | 2003-12-18 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device, and light receiving chip |
| US8319871B2 (en) | 2003-12-18 | 2012-11-27 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device, and light receiving chip |
| JP2009135401A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-06-18 | Panasonic Corp | 光学デバイス及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5867368A (en) | Mounting for a semiconductor integrated circuit device | |
| US5418566A (en) | Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics | |
| US5949655A (en) | Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device | |
| US5869886A (en) | Flip chip semiconductor mounting structure with electrically conductive resin | |
| EP0127401B1 (en) | Electro-optical element package | |
| US20060273249A1 (en) | Image sensor chip package and method of manufacturing the same | |
| EP0378209B1 (en) | Hybrid resin-sealed semiconductor device | |
| JP3418373B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP2002511188A (ja) | チップカードのための電子モジュール | |
| JP3362249B2 (ja) | 半導体装置、およびその製造方法 | |
| JPH0786544A (ja) | Ｃｃｄ素子 | |
| JP4934935B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US5728247A (en) | Method for mounting a circuit | |
| JPH02229453A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6362266A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2756791B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| EP0475370B1 (en) | Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics | |
| JPS62131555A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS62260343A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3215244B2 (ja) | 素子パッケージおよびその製造方法 | |
| JP2003060114A (ja) | 半導体装置及び固体撮像装置 | |
| JP3169072B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06163746A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| KR100256305B1 (ko) | 칩 스케일 패키지 | |
| KR100337451B1 (ko) | 반도체패키지 |